IGBT主要用于电机驱动和各类变流器，IGBT的抗短路能力是系统可靠运行和安全的保障之一，短路保护可以通过串在回路中的分流电阻或退饱和检测等多种方式实现。IGBT是允许短路的，完全有这样的底气，EconoDUAL™3 FF600R12ME4 600A 1200V IGBT4的数据手册是这样描述短路能力的，在驱动电压不超过15V时，短路电流典型值是2400A，只要在10us内成功关断短路电流，器件不会损坏。IGBT的短路承受能力为短路保护赢得时间，驱动保护电路可以从容安全地关断短路电流。短路能力不是免费的器
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英飞凌 IGBT 功率半导体
在通用变频器或伺服驱动器的设计中，经常会用到英飞凌的PIM模块（即集成了二极管整流桥+刹车单元+IGBT逆变单元的模块）。一般情况下PIM模块中的整流二极管都是根据后面逆变IGBT的电流等级来合理配置的，且由于其多数都是连接电网工作于工频50或60Hz工况，芯片结温波动很小，因此其通常不会是IGBT PIM模块是否适用的瓶颈，所以一般在器件选型时也不会特意去计算或仿真PIM模块中整流桥部分的损耗。但有些客户的机型要满足一些特殊工况，或需要考虑模块的整体损耗来做系统的热设计，这时就需要计算整流桥的损耗。而目
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英飞凌 PIM
在IGBT时代，门极电压的选择比较统一，无非Vge=+15V/-15V或+15V/-8V或+15V/0V这几档。而在新兴的SiC MOSFET领域，还未有约定俗成的门极电压规范。本文愿就SiC MOSFET的门极电压选择上的困惑，提供些有用的参考。下文所述，主要以英飞凌工业1200V SiC MOSFET的M1H系列产品与应用为参考，其他不同电压等级或不同厂家的SiC产品，不尽相同。在SiC产品的规格书中，都会有SiC Vgs电压范围和推荐电压区间(如图1所示)，以供大家在实际应用中参考。但是推荐非强制，
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英飞凌 Vgs 门极电压
在之前的技术文章中，介绍了驱动芯片的概览和PN结隔离(JI)技术，本文会继续介绍英飞凌的绝缘体上硅（SOI）驱动芯片技术。高压栅极驱动IC的技术经过长期的发展，走向了绝缘体上硅（silicon-on-insulator，简称SOI），SOI指在硅的绝缘衬底上再形成一层薄的单晶硅，相对于传统的导电型的硅衬底，它有三层结构，第一层是厚的硅衬底层，用于提供机械支撑，第二层是薄的二氧化硅层，二氧化硅是一种绝缘体，从而形成一层绝缘结构，第三层是薄的单晶硅顶层，在这一层进行电路的刻蚀，形成驱动IC的工作层。图１.绝缘
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英飞凌 驱动芯片
英飞凌科技（Infineon）发布了新一代XENSIV MEMS麦克风。新产品包括IM69D127、IM73A135和IM72D128三款型号，进一步壮大了英飞凌的麦克风产品组合，同时也为业界树立了新标竿。这些具有可选功率模式的MEMS麦克风适用于各种消费电子产品，例如具有主动降噪（ANC）功能的耳机、TWS耳机、具有波束成形功能的会议设备、笔记本电脑、平板计算机或具有语音交互功能的智能音箱。此外该产品还适用于某些工业类应用，例如预侧性维护和安全等。这些高性能MEMS麦克风旨在以更高的精度和音质撷取音频讯
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英飞凌 XENSIV MEMS麦克风
海英搏尔电气股份有限公司，率先引入英飞凌科技股份有限公司最新推出750 V车规级IGBT ，包括AIKQ120N75CP2和AIKQ200N75CP2两款型号。 这款分立式IGBT EDT2组件采用TO-247PLUS封装，可以提升电动汽车主逆变器和直流链路放电开关的性能，并节约系统成本。除此之外，它们还能够为设计师提供更大的自由度，有助于实现系统整合。英搏尔MCU技术总监刘宏鑫表示：「英搏尔坚定不移地遵循使用分立式组件设计电机控制单元（MCU）的技术路线，不断开发出高性价比的产品，从而始终保持
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英搏尔 英飞凌 IGBT EDT2组件
中国领先的车载逆变器供应商珠海英搏尔电气股份有限公司率先引入了英飞凌科技股份公司（FSE代码:IFX / OTCQX代码: IFNNY）最新推出的750 V车规级IGBT ，包括AIKQ120N75CP2 和 AIKQ200N75CP2两个型号。这款分立式IGBT EDT2器件采用TO-247PLUS封装，可以提升电动汽车主逆变器和直流链路放电开关的性能，并节约系统成本。除此之外，它们还能够为设计师提供更大的自由度，有助于实现系统集成。 &
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英博尔 英飞凌 IGBT
随着PD产品在市场的日趋成长，Type-C连接口的应用越来越广泛，PD协议是以Type-C作为载体传输资料或充电，也就是说PD协议需要搭配Type-C界面来实现。常见笔电标配的电源供应器由于体积较大，加上不好收纳的电源线，影响携带时的便利性，因此利用大功率的PD充电器加上诱骗器即能快速解决问题。具有智慧快充诱骗功能的PD电源，可解决USB输入口供电不足的问题并结合快充功能的充电器使用，达到输出功率更大，效率更高，提高其实用性，并可利用不同的PD电源产品利用诱骗器来提供给无Type C界面的产品使用，既可提
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英飞凌 BCR CYPD3177 PD控制
物联网提升生活品质的潜力有赖于无数设备之间分享、传输和访问海量信息的能力。不过这种便利却增加了数据泄露的风险，因此需要强大的安全技术，以保护敏感数据。这就是为什么安富利为您推介英飞凌，实事可以证明其解决方案将对您的物联网设计非常有价值。 英飞凌OPTIGA物联网安全解决方案在物联网节点参考设计中并入了主管安全的器件。它还包括了使用意法半导体(ST Micro)传感器的传感器中枢和围绕Dialog Semi设计的低功耗蓝牙模块，通用性极强。令人印象深刻的是，英飞凌OPTIGA Trust产品为在安全应
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安富利 英飞凌 物联网
SiC MOSFET短路时间相比IGBT短很多，英飞凌CoolSiC™ MOSFET单管保证3us的短路时间，Easy模块保证2us的短路时间，因此要求驱动电路和的短路响应迅速而精确。今天，我们来具体看一下这个短而精的程度。图1是传统典型的驱动芯片退饱和检测原理，芯片内置一个恒流源。功率开关器件在门极电压一定时，发生短路后，电流不断增加，导致器件VCE电压迅速提升至母线电压，高压二极管被阻断，恒流源电流向电容CDESAT充电，当上电容CDESAT的电压被恒流源充至大于比较器参考电压后，触发驱动器关闭输出。
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英飞凌 desat 驱动芯片
导读】事物皆有两面：SiC MOSFET以更快的开关速度，相比IGBT可明显降低器件开关损耗，提升系统效率和功率密度；但是高速的开关切换，也产生了更大的dv/dt和di/dt，对一些电机控制领域的电机绝缘和EMI设计都带来了额外的挑战。应用痛点氢燃料系统中的高速空压机控制器功率35kW上下，转速高达10万转以上，输出频率可达2000Hz，调制频率50kHz以上是常见的设计，SiC MOSFET是很好的解决方案。但是，SiC的高dv/dt和谐波会造成空压机线包发热和电机轴电流。一般的对策有二：1.采用大的栅
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英飞凌 MOSFET 2L-SRC
IGBT作为一种功率开关，从门级信号到器件开关过程需要一定反应时间，就像生活中开关门太快容易挤压手一样，过短的开通脉冲可能会引起过高的电压尖峰或者高频震荡问题。这种现象随着IGBT被高频PWM调制信号驱动时，时常会无奈发生，占空比越小越容易输出窄脉冲，且IGBT反并联续流二极管FWD在硬开关续流时反向恢复特性也会变快。什么是窄脉冲现象IGBT作为一种功率开关，从门级信号到器件开关过程需要一定反应时间，就像生活中开关门太快容易挤压手一样，过短的开通脉冲可能会引起过高的电压尖峰或者高频震荡问题。这种现象随着I
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英飞凌 IGBT 窄脉冲
【导读】先说结论，如果条件允许还是很建议使用负压作为IGBT关断的。但是从成本和设计的复杂度来说，很多工程师客户希望不要使用负压。下面我们从门极寄生导通现象来看这个问题。IGBT是一个受门极电压控制开关的器件，只有门极电压超过阈值才能开通。工作时常被看成一个高速开关，在实际使用中会产生很高的电压变化dv/dt和电流变化di/dt。电压变化Dv/dt通过米勒电容CCG电容产生分布电流灌入门极，使门极电压抬升，可能导致原本处于关断状态的IGBT开通，如图1所示。电流变化di/dt可以通过发射极和驱动回路共用的
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英飞凌 门极驱动
在疫情反复和隔离封闭的环境下，如何自主的检测身体和环境状态并进行改善和调整成为当下人们的热点话题。近日，英飞凌召开“智”在健康媒体会，根据英飞凌科技大中华区电源与传感系统事业部应用市场总监李国豪先生的介绍，英飞凌目前有4类广泛应用的传感器。第一种是MEMS类产品，在手机、耳机、智能音箱上都有广泛的应用。第二类是3D立体毫米波雷达传感器，主要应用在汽车领域，雷达传感器可在较远距离侦测到是否有障碍物。第三类传感器是3D ToF飞行光传感器，它能够侦测到人体或者是物体的距离、深度，可以应用在手机面容解锁、面
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英飞凌 传感器 智慧健康
提供超丰富半导体和电子元器件™的业界知名新品引入 (NPI) 分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起备货英飞凌的XENSIV™ PAS CO2二氧化碳传感器。该产品基于光声光谱学 (PAS) 原理，采用高灵敏度MEMS麦克风检测传感器腔内CO2分子产生的压力变化。这种检测方式可以显著减小CO2传感器的尺寸，与市面上其他CO2传感器相比，可以在最终产品中节省超过75%的空间。贸泽电子分销的英飞凌XENSIV PAS CO2传感器集成了光声传感器（包含检测器、红外源和光学滤波器）、用
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贸泽电子 英飞凌 XENSIV PAS CO2传感器 MOSFET
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