全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）开发出“1200V 第4代SiC MOSFET※1”，非常适用于包括主机逆变器在内的车载动力总成系统和工业设备的电源。对于功率半导体来说，当导通电阻降低时短路耐受时间※2就会缩短，两者之间存在着矛盾权衡关系，因此在降低SiC MOSFET的导通电阻时，如何兼顾短路耐受时间一直是一个挑战。此次开发的新产品，通过进一步改进ROHM独有的双沟槽结构※3，改善了二者之间的矛盾权衡关系，与以往产品相比，在不牺牲短路耐受时间的前提下成功地将单位面积的导通电阻降低了约4
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EV OBC MOSFET
Diodes 公司近日宣布推出新一代首款独立 MOSFET。 DMN3012LEG 采用轻巧封装，可提升效率，大幅节省各种电源转换与控制产品应用的成本、电力与空间。DMN3012LEG 在单一封装内整合双 MOSFET，尺寸仅 3.3mm x 3.3mm，相较于典型双芯片解决方案，电路板空间需求最多减少 50%。此节省空间的特点，有利于使用负载点 (PoL) 与电源管理模块的一系列产品应用。DMN3012LEG 可用于 DC-DC 同步降压转换器与半桥电源拓扑，以缩小功率转换器解决方案的尺寸。P
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MOSFET PoL
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）近日宣布，推出栅驱动器开关IPD[1]“TPD7107F”。该产品可用于控制接线盒和车身控制模块等车载控制单元（ECU）的供电电流的通断，并计划于今日开始出货。TPD7107F采用东芝的汽车级低导通电阻N沟道MOSFET[2]，适用于负载电流的高侧开关。作为一种电子开关，这种新型IPD能够避免机械继电器的触头磨损，有助于缩小车载ECU的尺寸并降低功耗，同时还提供免维护功能。通过提供增强功能（自我保护功能和输出到微控制器的各种内置诊断功能）以支持车载ECU所需的高可
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栅极驱动器 MOSFET IPD ECU
英飞凌科技股份公司进一步壮大 StrongIRFET™ 40-60 V MOSFET产品阵容 ，近日推出三款采用D²PAK 7pin+封装的新器件。这些新器件具备极低的RDS(on)和高载流能力，可针对要求高效率的高功率密度应用提供增强的稳健性和可靠性。这三款全新MOSFET瞄准电池供电应用，包括电动工具、电池管理系统和低压驱动装置等。全新D²PAK 7pin+封装使得本已种类丰富的StrongIRFET™封装阵容更加壮大。这能带来更多选项，有助于选择应对设计挑战的理想功率器件。此外，
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电池 MOSFET
半导体基础元器件生产领域的高产能生产专家Nexperia宣布首次采用高鲁棒性、高空间利用率的LFPAK56 (Power-SO8)封装的P沟道MOSFET系列产品。新器件符合AEC-Q101标准，适合汽车应用，可作为DPAK MOSFET的理想替代产品，在保证性能的基础上，将封装占位面积减少了50%以上。 新系列产品在30 V至60 V工作电压范围内可供选择，导通电阻RDS(on)低至10 mΩ (30 V)。 LFPAK封装采用铜夹片结构，由Nexperia率先应用，已在汽车等要求
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Nexperia P沟道 MOSFET LFPAK56封装
Nexperia推出的超微型MOSFET占位面积减小36%，且具备低导通电阻RDS(on)半导体基础元器件生产领域的高产能生产专家Nexperia发布了一系列MOSFET产品，采用超小型DFN0606封装，适用于移动和便携式产品应用，包括可穿戴设备。这些器件还提供低导通电阻RDS(on)，采用常用的0.35 mm间距，从而简化了PCB组装过程。 PMH系列MOSFET采用了DFN0606封装，占位面积仅为0.62 x 0.62 mm，与前一代DFN1006器件相比，节省了超过36%的空间。由于采
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Nexperia MOSFET
作为碳化硅技术全球领先企业的科锐公司，于近日宣布推出Wolfspeed 650V碳化硅MOSFET产品组合，适用于更广阔的工业应用，助力新一代电动汽车车载充电、数据中心和其它可再生能源系统应用，提供业界领先的功率效率。
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科锐 650V MOSFET 电动汽车
王 莹 （《电子产品世界》编辑）近期，多家公司发布了碳化硅 （SiC）方面的新产品。作为新兴 的第三代半导体材料之一，碳化硅 具备哪些优势，现在的发展程度 如何？不久前，碳化硅的先驱英飞凌 科技公司推出了650 V 的 CoolSiC™ MOSFET ，值此机会，电子产品世 界访问了英飞凌电源与传感系统事 业部大中华区开关电源应用高级市 场经理陈清源先生。 碳化硅与氮化镓、硅材料的关系 碳化硅MOSFET是一种新器 件，使一些以前硅材料很难被应用 的电源转换结构，例如电流连续模 式
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202004 碳化硅 CoolSiC™ MOSFET
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）的SiC功率元器件（SiC MOSFET*1）被应用于中国汽车行业一级综合性供应商——联合汽车电子有限公司（United Automotive Electronic Systems Co., Ltd. ，总部位于中国上海市，以下简称“UAES公司”）的电动汽车车载充电器（On Board Charger，以下简称“OBC”）。UAES公司预计将于2020年10月起向汽车制造商供应该款OBC。与IGBT*2等Si（硅）功率元器件相比，SiC功率元器件是一种能
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OBC SiC MOSFET
Steven Shackell （安森美半导体 工业业务拓展经理）摘 要：电动工具用电机正从有刷直流(BDC)转向无刷直流(BLDC)电机；工业电机需要更高能效的电机，同时 需要强固和高质量。安森美以领先的MOSFET、IPM和新的TM-PIM系列赋能和应对这些转变带来的商机。 关键词：电机；电动工具；MOSFET；工业；IGBT；IPM安森美半导体提供全面的电机产品系列，尤其是功 率半导体方面。安森美半导体因来自所有电机类型的 商机感到兴奋，并非常看好无刷直流电机(BLDC)应用 （例如电动工具），
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202003 电机 电动工具 MOSFET 工业 IGBT IPM
近日，英飞凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）进一步扩展其碳化硅（SiC）产品组合，推出650V器件。其全新发布的CoolSiC™ MOSFET满足了包括服务器、电信和工业SMPS、太阳能系统、能源存储和电池化成、不间断电源（UPS）、电机控制和驱动以及电动汽车充电在内的大量应用与日俱增的能效、功率密度和可靠性的需求。“随着新产品的发布，英飞凌完善了其600V/650V细分领域的硅基、碳化硅以及氮化镓功率半导体产品组合，”英飞凌电源管理及多元化市场事业部高压转换业务高级总监St
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SiC MOSFET
威世的SiSS12DN 40V N-Channel MOSFET是为提高功率转换拓扑中的功率密度和效率而设计。它们采用3.3x3.3mm紧凑型PowerPAK 1212-8S封装，可提供低于2mΩ级别中的最低输出电容(Coss)。
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儒卓力 威世N-Channel MOSFET 封装
奈梅亨，2020年2月19日：安世半导体，分立器件和MOSFET器件及模拟和逻辑集成电路器件领域的生产专家，今日宣布推出有史以来最低RDS(on)的功率MOSFET。今日推出的PSMNR51-25YLH已经是业内公认的低压、低RDS(on)的领先器件，它树立了25 V、0.57 mΩ的新标准。该市场领先的性能利用安世半导体独特的NextPowerS3技术实现，并不影响最大漏极电流(ID(max))、安全工作区(SOA)或栅极电荷QG等其他重要参数。 很多应用均需要超低RDS(on)器件，例如OR
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安世半导体 MOSFET RDS(on)
日前，Vishay Intertechnology, Inc. 宣布，推出新款6.15 mm x 5.15 mm PowerPAK? SO-8单体封装的——SiR680ADP，它是80 V TrenchFET? 第四代n沟道功率MOSFET。Vishay Siliconix SiR680ADP专门用来提高功率转换拓扑结构和开关电路的效率，从而节省能源，其导通电阻与栅极电荷乘积，即功率转换应用中MOSFET的重要优值系数（FOM）为129 mW*nC，达到同类产品最佳水平。
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SiR680ADP MOSFET Vishay
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用小型热增强型PowerPAK 1212-8SCD封装新款共漏极双N沟道60 V MOSFET---SiSF20DN。Vishay Siliconix SiSF20DN是业内最低RS-S(ON)的60 V共漏极器件，专门用于提高电池管理系统、直插式和无线充电器、DC/DC转换器以及电源的功率密度和效率。日前发布的双片MOSFET在10V电压下RS-S(ON) 典型值低至10 mW，是3mm x 3mm封装导通电阻最低的60
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MOSFET N沟道
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