12 月 12 日消息，日本半导体制造商罗姆 ROHM 当地时间本月 10 日宣布同台积电就车载氮化镓 GaN 功率器件的开发和量产事宜建立战略合作伙伴关系。罗姆此前已于 2023 年采用台积电的 650V 氮化镓 HEMT（注：高电子迁移率晶体管）工艺推出了 EcoGaN 系列新产品。罗姆、台积电双方将致力于把罗姆的氮化镓器件开发技术与台积电业界先进的 GaN-on-Silicon（硅基氮化镓）工艺技术优势结合起来，满足市场对高耐压和高频特性优异的功率器件日益增长的需求。台积电在新闻稿中提到，
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12月4日，据GlobalFoundries（格芯）官网消息，其又从美国政府获得了950万美元（折合人民币约6900万元）的联邦资助，用于推进其位于美国佛蒙特州埃塞克斯交界的工厂的硅基氮化镓（GaN）半导体的生产。据介绍，这笔资金由美国国防部可信接入项目办公室（TAPO）提供，是美国联邦政府为支持格芯在佛蒙特州的氮化镓项目而投入的最新资金。获得这笔资金后，格芯将继续为其氮化镓IP产品组合和可靠性测试增加新的工具、设备和原型开发能力，其将更接近在佛蒙特州全面制造8英寸氮化镓芯片。据悉，自2020年以来，包括
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今年十月份，日本功率器件大厂罗姆半导体（ROHM）公开表示，将在氮化镓功率半导体领域加强与台积电合作，公司旗下的氮化镓（GaN）产品将全面委托台积电代工生产。值得注意的是，罗姆之前主要利用内部工厂来生产相关器件，但是近年来已经开始将部分产品委托台积电代工，只不过罗姆此前并未对外公布。而此次，罗姆将全面委托台积电代工生产有望运用于广泛用途的 650V 耐压产品，借由活用外部资源，应对急增的需求，扩大业务规模。有分析认为，罗姆全面委托台积电代工氮化镓产品，旨在降低成本。毕竟，氮化镓材料虽然性能优越，但成本一直
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英飞凌科技股份公司近日宣布推出新型高压分立器件系列CoolGaN™ 650 V G5晶体管，该系列进一步丰富了英飞凌氮化镓（GaN）产品组合。该新产品系列的适用范围广泛，包括USB-C适配器和充电器、照明、电视、数据中心、电信整流器等消费和工业开关电源（SMPS）、可再生能源，以及家用电器中的电机驱动器。最新一代CoolGaN™晶体管可直接替代CoolGaN™ 600 V G1晶体管，实现了现有平台的快速重新设计。新器件改进了性能指标，确保为重点应用带来具有竞争力的开关性能。与主要同类产品和英飞凌之前的产
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1932年，研究人员在George Herbert Jones实验室，将金属镓和氨在900℃至1000℃的高温下进行反应，成功合成了GaN材料。近一个世纪的时间里，氮化镓逐渐引领着功率变换领域的新一轮变革。特别是Power Integrations公司近日推出的业界首款1700V氮化镓开关IC——InnoMux™-2系列产品，不仅刷新了氮化镓技术的耐压纪录，更是以其卓越的性能和广泛的应用前景，成为了电源管理领域的遥遥领先者。 氮化镓逐渐成为王者 最佳开关电源技术覆盖从十瓦至一兆瓦的广泛
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深耕于高压集成电路高能效功率变换领域的知名公司Power Integrations近日推出InnoMux™-2系列单级、独立调整多路输出离线式电源IC的新成员。新器件采用公司专有的PowiGaN™技术制造而成，是业界首款1700V氮化镓开关IC。1700V额定耐压进一步提升了氮化镓功率器件的先进水平，此前的业界首创产品是Power Integrations于2023年推出的900V和1250V器件。1700V InnoMux-2 IC可在反激设计中轻松支持1000VDC额定输入电压，并在需要一个、两个或三
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自德州仪器官网获悉，日前，德州仪器公司（TI）宣布已开始在日本会津工厂生产基于氮化镓(GaN)的功率半导体。随着会津工厂的投产，结合其在德克萨斯州达拉斯的现有GaN制造能力，德州仪器的内部GaN基功率半导体制造能力将翻四倍。德州仪器技术与制造高级副总裁穆罕默德·尤努斯（Mohammad Yunus）表示，在GaN芯片设计和制造方面拥有十多年的丰富经验后，TI成功地将200mm GaN技术（这是目前制造GaN的最具可扩展性和成本竞争力的方法）应用于会津工厂的量产。这一里程碑使德州仪器能够在内部制造更多的Ga
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新闻亮点：● 德州仪器增加了GaN制造投入，将两个工厂的GaN半导体自有制造产能提升至原来的四倍。● 德州仪器基于GaN的半导体现已投产上市。● 凭借德州仪器品类齐全的GaN集成功率半导体，能打造出高能效、高功率密度且可靠的终端产品。● 德州仪器已成功开展在12英寸晶圆上应用GaN制造工艺的试点项目。德州仪器 (TI)近日宣布，公司基于氮化镓 (GaN) 的功率半导体已在日本会津工厂开始投产。随着会津工厂投产，
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2023 年全球可再生能源发电量首次超过全球总发电量的 30%创历史新高，这则消息的背后是技术的不断创新与突破。一直以来，可再生能源利用的一大问题是缺乏弹性，比如对于光伏而言，只能根据光照进行发电，而无法根据需求而定。不过，随着储能技术的推进，微型逆变器和串式逆变器正朝向双向操作技术方向演进，且随时可以按需智能地融入电网。一个重要且可预见的趋势是氮化镓可作为下一代家庭太阳能生产的重要组成部分，提供更高的功率密度，更小的外部无源元件、从而降低系统成本，增加系统效率，提供智能电网的弹性。作为氮化镓供应商的先驱
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美国和印度达成协议，将共同在印度建立一家半导体制造厂，助力印度总理莫迪加强该国制造业的雄心计划。据白宫消息人士称，拟建的工厂将生产红外、氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）半导体，这是美国总统拜登和莫迪在特拉华州会晤后发布的。消息人士称，该工厂的建立将得到印度半导体计划（ISM），以及Bharat Semi、3rdiTech和美国太空部队之间的战略技术伙伴关系的支持。印度在亚洲的战略地缘政治地位为该国及其在技术领域所能提供的机会提供了新的关注点。在过去十年中，莫迪曾多次表示，他将把印度定位为中国的替代品，并
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第三代半导体材料氮化镓，传来新消息：日本半导体材料大厂信越化学为氮化镓外延生长带来了有力辅助。2024年9月3日，信越化学宣布研制出一种用于GaN（氮化镓）外延生长的300毫米（12英寸）QSTTM衬底，并于近日开始供应样品。图片来源：信越化学从氮化镓生产上看，尽管GaN器件制造商可以使用现有的Si生产线来生产GaN，但由于缺乏适合GaN生长的大直径基板，因此无法从增加材料直径中获益。上述的300毫米QST基板具有与GaN相同的热膨胀系数，可实现大直径的高质量厚GaN外延生长，并抑制SEMI标准厚度的QS
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根据韩媒报道，9月2日，三星电子在第二季度引入了少量用于大规模生产GaN功率半导体的设备。GaN是下一代功率半导体材料，具有比硅更好的热性能、压力耐久性和功率效率。基于这些优势，IT、电信和汽车等行业对其的需求正在增加。三星电子也注意到了GaN功率半导体行业的增长潜力，并一直在推动其进入市场。去年6月，在美国硅谷举行的“2023年三星代工论坛”上，该公司正式宣布：“我们将在2025年为消费电子、数据中心和汽车领域推出8英寸GaN功率半导体代工服务。”根据这一战略，三星电子第二季度在其器兴工厂引入了德国爱思
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_____在泰克先进半导体开放实验室，2024年8月份，我们有幸见证了量芯微（GaN Power）新一代1200V氮化镓（GaN）功率器件的动态参数测试。量芯微作为全球首家成功流片并量产1200V氮化镓功率器件的厂商，其最新产品在性能上的显著提升，不仅展现了技术的进步，也为我们的客户带来了新的解决方案。测试概览今年8月，我们收到了量芯微提供的新一代高压氮化镓器件，其额定工作条件提升至1200V/20A（70mΩ），在栅极电压12V的条件下，输出电流提升至20A以上。这一性能的提升，使得量芯微的GaN器件在
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前言HUAWEI华为旗下快充产品相当多，除了随机附送的充电器外，这些年还陆续推出过多口充、超薄快充以及全能充等产品，其中全能充系列涵盖了快充充电器、车载充电器以及磁吸无线充移动电源等品类，功率也有66W、88W、100W可选。可以说光是这个系列的产品，就相当琳琅满目了。华为100W全能充多口充电器P0018是华为近期推出的新品，这款充电器除了配置代表性的干涉型融合端口外，还额外拥有一个独立的USB-C接口，这便使得充电器具有了同时为两个华为系设备供电的能力。下面充电头网就对华为这款新品进行详细拆解，一起来
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前言HP惠普是知名的国际电脑品牌，平时大家遇到的惠普电源多为大功率大尺寸的笔记本电源适配器，虽说大品牌的产品在用料规格和做工方面没得说，但终归不便携。而随着快充的普及，近期充电头网拿到了惠普一款符合当下主流消费者需求的65W氮化镓快充充电器。这款充电器配置2C1A三个主流USB接口，不仅支持最大65W快充，还支持45W+20W等输出策略，此外这款充电器还支持国内新兴的UFCS融合快充，可以说完全是一款针对国内市场推出的快充产品。下面充电头网就对其进行拆解，看看做工用料如何。惠普65W氮化镓快充充电器开箱包
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