一种新的晶圆级1/f噪声测量方法
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图5. 漏极电流1/f噪声与栅极偏压的关系
本文引用地址：https://www.eepw.com.cn/article/97638.htm
5. 结束语
本文介绍了一种评测MOSFET 1/f噪声的晶圆级测量方法和配置方案。这种测量技术可以在晶圆上自动进行。由于这种配置方案能够测出低于100Hz的低频噪声分量，因此能够有效提取到MOSFET的1/f噪声。
参考文献
[1]K.K. Hung, P. K. Ko, C. Hu, Y. C. Cheng, IEEE Transactions On Electron Devices, 37, pp.654-664 (1990)
[2]H. Wong, Microelectronics Reliability, 43, pp.585-599 (2003)
[3]A. Blaum, O. Pilloud, G. Scalea, J. Victory, F. Sischka, IEEE Int. Conference on Microelectronic Test Structures, 14, pp.125–130 (2001)
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