LED封装中荧光粉的选择与解决方案

　　图11为Sr2Si5N8:Eu2+的激发光谱(a)和发射光谱(b)。激发光谱覆盖350～500nm的范围，因而可作为紫外LED、近紫外LED和蓝光LED芯片用荧光粉。发射峰为中心位于619nm的宽带发射，归属于Eu2+的4f65d1-4f7跃迁。Sr2Si5N8:Eu2+是目前主流的氮化物红粉之一，可与黄粉配合封装高亮度白光LED。

　　图12为Sr2Si5N8:Eu2+在不同温度下的发光强度的变化。从图中可以看出，温度为100℃时，发射峰强度下降至常温下的95%。至300℃时，其发光强度可达到常温下的64%。由此可见，其热稳定性优异。

　　图13为CaAlSiN3的晶体结构图(斜方晶系)空间群Cmc21[7]。晶胞中只存在一个位置的Ca，占据4a格位。Al和Si原子则随机占据晶格中的8b格位。

　　图14为CaAlSiN3:Eu2+的激发光谱(a)和发射光谱(b)。激发光谱覆盖350nm～500nm的范围，因而可作为紫外LED、近紫外LED和蓝光LED芯片用荧光粉。发射峰为中心位于660nm的宽带发射，归属于Eu2+的4f65d1-4f7跃迁。CaAlSiN3:Eu2+是目前主流的氮化物红粉，可与黄粉配合封装高显色指数白光LED。由于其合成需要使用高温高压烧结设备，因此，其价格较为昂贵。

　　图15是SrSi2O2N2的晶体结构图(三斜晶系)空间群P1[8]。SiON3形成共角四面体层状结构，碱土金属Sr则夹在SiON3四面体层之间。

　　图16为SrSi2O2N2:Eu2+的激发光谱和发射光谱。其激发光谱包含5个中心分别位于262、311、365、412和456nm激发峰。发射峰位于544nm处，半峰宽为83nm[3]。

　　最早的氮化物荧光粉专利是德国欧司朗于1999年11月30日申请的欧洲专