LED封装中荧光粉的选择与解决方案

　　图4为Sr2SiO4的晶体结构图(斜方晶系)，空间群Pmnb[4]。晶胞中同时存在两个位置的Sr，即Sr1和Sr2，分别为8配位和7配位。

　　图5为Sr2SiO4:Eu2+的激发光谱和发射光谱[3]，激发光谱为200nm～500nm的宽带，可与紫外LED、近紫外LED和蓝光LED芯片配合封装白光LED。发射峰为中心位于550nm的宽带发射，归属于Eu2+的4f65d1-4f7跃迁。

　　图6为Sr2SiO4:Eu2+在不同温度下的发光强度的变化。从图中可以看出，温度为100℃时，发射峰强度下降至常温下的73%左右。并且，当温度超过100℃后，发光强度开始迅速下降，至250℃时，其发光强度仅为常温下的8%。由此可见，其热稳定性较差。

　　图7为Sr3SiO5的晶体结构图(四方晶系)，空间群P4/nccS[5]。晶胞中同时存在两个位置的Sr，即Sr1和Sr2，均为6配位。

　　图8为Sr3SiO5:Eu2+的激发光谱(a)和发射光谱(b)。激发光谱覆盖350nm～500nm的范围，因而可作为紫外LED、近紫外LED和蓝光LED芯片用荧光粉。发射峰为中心位于589nm的宽带发射，归属于Eu2+的4f65d1-4f7跃迁。可与黄粉配合使用以提高白光LED的显色指数。

　　图9为Sr3SiO5:Eu2+在不同温度下的发光强度的变化。从图中可以看出，温度为100℃时，发射峰强度下降至常温下的92%。并且，当温度超过100℃后，发光强度下降迅速加快。至250℃时，其发光强度仅为常温下的46%。热稳定性相对较差。据有关报道称，可通过掺杂少量的Ba来改善其热稳定性。

　　正硅酸盐荧光粉最早的专利是通用电气于1998年11月30日申请美国专利US 6,429,583。随后，德国欧司朗申请了SrBaSiO4:Eu2+专利，美国专利号：US 7,064,480，优先权日为2000.7.28。接着，德国布赖通根荧光灯厂(LWB)，日本丰田合成 (Toyoda Gosei)和奥地利锐高 (Tridonic)联合申请了含Sr、Ba和Ca的正硅酸盐荧光粉专利，美国专利号：US 6,809,347，优先权日为2000.12.28。Sr3SiO5:Eu2+的专利最早见于韩国化工研究院(KRICT)申请的专利，美国专利号：US 7,045,826，优先权日为2003.3.28。