飞凌嵌入式OK335xS开发平台评测
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飞凌FET335xS(TI AM335X系列)采用了2片256M DDR3内存，即能满足Android系统的运行要求，又能有效降低成本
本文引用地址：https://www.eepw.com.cn/article/221494.htm
图四：Nand-Flash
飞凌FET335xS(TI AM335X系列)采用了镁光256M SLC Nand-flash作为存储介质，相对于工业产品开发来说足够使用了，另外SLC的NandFlash可达到10万次的擦写使用寿命更长更加稳定
图五：屏蔽罩焊接点
飞凌FET335xS(TI AM335X系列)在四个角预留了屏蔽罩的焊点，并在四边丝印出了屏蔽罩定位点，用户可以根据自己需要和产品使用环境添加屏蔽罩以增强核心板的抗干扰性。
图六：jtag调试点
TI AM335X(TI AM335X系列)系列处理器本身支持裸机程序和裸机调试，因此飞凌FET335xS核心板上预留出了JTAG连接点，用户可以自己进行裸机调试
图七：定位孔
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