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内存芯片识别方法

作者: 时间:2012-04-03 来源:网络 收藏
: 2; -webkit-text-size-adjust: auto; -webkit-text-stroke-width: 0px">代表内部由几个Bank组成(1、2、3分别代表2个、4个和8个Bank,是2的

幂次关系);I代表接口(0=LVTTL[Low Voltage TTL]接口);j代表内核版本

(可以为空白或A、B、C、D等字母,越往后代表内核越新);k代表功耗(L=低功

耗芯片,空白=普通芯片);lm代表封装形式(JC=400mil SOJ,TC=400mil TSOP-

Ⅱ,TD=13mm TSOP-Ⅱ,TG=16mm TSOP-Ⅱ);no代表速度(7=7ns[143MHz],

8=8ns[125MHz],10p=10ns[PC-100 CL2或3],10s=10ns[PC-100 CL3],

10=10ns[100MHz],12=12ns[83MHz],15=5ns[66MHz])。
 
  例如HY57V658010CTC-10s,HY表示现代的芯片,57代表SDRAM,65是64Mbit和

4K refresh cycles/64ms,8是8位输出,10是2个Bank,C是第4个版本的内核,TC

是400mil TSOP-Ⅱ封装,10S代表CL=3的PC-100。
 
  市面上HY常见的编号还有HY57V65XXXXXTCXX、HY57V651XXXXXATC10,其中

ATC10编号的SDRAM上133MHz相当困难;编号ATC8的可超到124MHz,但上133MHz也



关键词: 内存芯片 识别方法

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