内存芯片识别方法
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M后的**表示数据的位宽；4，8，16，32分别代表4位，8位，16位和32位；
Micron的容量要自己算一下，将M前的**和其后的**相乘，得到的结果为容量；
A*代表write recovery（tWR），如A2表示tWR=2clk
TG为TSOP II 封装，LG为TGFP封装；
最后的**代表速度：
7：7ns(143MHz)
75：7.5ns(133MHz)
8*：8ns(125MHz)，其中*为A-E，字母越往后越好；
10：10ns(100MHz CL=3)；
例如：MT48LC8M8A2TG-8E，64Mbit(8*8)，8位。
如何根据内存芯片标识识别内存(二)
---- 许多朋友都会遇到这样一个问题，在购买内存时不知如何识别内存的品牌、类型、容量、速度等参数。许多人都认为内存不经过主板或专用检测仪检测难于识别，在此我们特为大家提供如下解读内存条的方法。鉴于篇幅限制，这里仅以市场上最常见的现代内存、LG内存以及KingMax内存为例进行说明。
一、现代SDRAM内存芯片的识别
---- 现代(HYUNDAI)公司的SDRAM内存芯片上的标识格式如下:
HY 5X X XXX XX X X X X XX - XX
① ② ③ ④ ⑤ ⑥ ⑦ ⑧ ⑨ ⑩
---- “HY”表明是现代的产品。
---- ①代表的是内存芯片种类: “51”为EDO，“57”为SDRAM，“5D”为DDR SDRAM。
---- ②代表工作电压: “U”为2.5V，“V”为3.3V，空白代表5V。
---- ③代表一个内存芯片的密度和刷新速度: 其编号与密度及刷新速度的对应关系如表1所示。
---- ④代表芯片输出的数据位宽: 其中“40”、“80”、“16”和“32”分别代表输出数据位宽为4位、8位、16位和32位。
---- ⑤代表内存芯片内部由几个Bank组成: 其中“1”、“2”、“3”分别代表2个、4个和8个Bank。
---- ⑥代表内存接口: 一般为“0”，代表LVTTL接口。
---- ⑦代表内存版本号: 空白代表第一代，“A”代表第二代、“B”代表第三代、“C”代表第四代、“D”代表第五代。
---- ⑧代表功耗: 其中“L”代表低功耗的芯片，空白表示为正常功耗芯片。
---- ⑨代表封装类型: 其编号与封装类型的对应关系如下:
“JC”: 400mil SOJ
“TC”: 400mil TSOP-Ⅱ
“TD”: TSOP-Ⅱ
“TG”: TSOP-Ⅱ, GOLD
---- ⑩代表速度: 其编号与速度的对应关系如下:
“7”: 7ns(143MHz)
“8”: 8ns(125MHz)
“10p”: 10ns(PC-100 CL2或3)
“10s”: 10ns(PC-100 CL3)
“10”: 10ns(100MHz)
“12”: 12ns(83MHz)
“15”: 15ns(66MHz)
二、LG SDRAM内存芯片的识别
---- LG公司的SDRAM内存芯片上的标识格式如下:
GM72V XX XX X X X X X XX
① ② ③ ④ ⑤ ⑥ ⑦ ⑧
---- “GM”代表LG的产品。
---- “72”代表SDRAM。
---- “V”代表工作电压为3.3V。
---- ①代表一个内存芯片的密度和刷新速度: 其编号与密度及刷新速度的对应关系如表2所示。
---- ②代表数据位宽: 其中“4”、
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