内存芯片识别方法
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125MHZ下，在100MHZ时CL可设为2（80=8ns［125MHz CL 3］，10=10ns［PC100 CL
3］，10B=10ns较10慢，Tac为7，不完全符合PC100规范，12=12ns，70=[PC133]，
75=[PC133]）；JF代表封装外型（NF=44-pinTSOP-Ⅱ；JF=54-pin TSOPⅡ；
JH=86-pin TSOP-Ⅱ）。
HITACHI的内存芯片编号例如HM5264805F -B60表示：HM代表日立的产品；52
是SDRAM类型（51=EDO DRAM，52=SDRAM）；64代表容量64MB；80表示数据位宽
（40、80、16分别代表4位、8位、16位）；5F表示是第几个版本的内核（现在至
少已排到'F'了）；空白表示功耗（L=低功耗，空白=普通）；TT为TSOⅡ封装；
B60代表速度（75=7.5ns［133MHz］，80=8ns［125MHz］，A60=10ns［PC-100 CL2
或3］，B60=10ns［PC-100 CL3］即100MHZ时CL是3）。
SIEMENS（西门子）内存芯片编号格式为：HYB39S ab cd0 e T f -gh 其中ab
为容量，gh是速度（6=166MHz，7=143MHz，7.5=133MHz，8=125MHz，8B=100MHz［
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