内存芯片识别方法
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(200Mbps)）。即三星4Mbit*16=64Mbit内存芯片，3.3V DDR SDRAM，刷新时间0 =
64m/4K (15.6μs)，内存芯片排数为4排（两面各两排），接口电压
LVTTL+SSTL_3(3.3V)，封装类型66针TSOP
Ⅱ，速度133MHZ。
三星RAMBUS DRAM内存芯片编号例如KM418RD8C表示：KM表示三星内存；4代表
RAM种类（4=DRAM）；18代表内存芯片组成x18（16 = x16、18 = x18）；RD表示
产品类型（RD=Direct RAMBUS DRAM）；8代表内存芯片密度8M（4 = 4M、8 = 8M
、16 = 16M）；C代表封装类型（C = 微型BGA、D =微型BGA [逆转CSP]、W = WL
-CSP）；80代表速度（60 = 600Mbps、80 = 800Mbps）。即三星8M*18bit=144M，
BGA封装，速度800Mbps。
（6）Micron（美光）
Micron公司是世界上知名内存生产商之一（如右图Micron PC143 SDRAM内存
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