降低充电器和适配器无负载总功耗研究

　　其中Itot = Icc + Iref + Iopto

　　而且，驱动一个光耦合器所需的电流Iopto 通常为1.5mA。

　　这说明对于一个Vout = 20V， Iref = 7mA， Icc = 1.5mA，Iopto = 1.5mA的无负载典型系统，二次侧功耗（Pout）等于：

　　Pout = （Vout Vtot） = （Vtot （Iref + Icc + Iopto）） = （20V （7mA + 1.5mA + 1.5mA）） = （20V 10mA） =200mW

　　一次侧功耗

　　现在我们将注意力转向一个典型适配器应用的一次侧，一个开关电源的一次侧由若干个功能块（例如：功率因数校正和脉宽调制）构成，每个集成块都会提高器件的总功耗。但是，因一次侧功能块引起的总功耗在无负载条件下通常假定为80mW左右（因为充电器和适配器的功率范围在5W之内）。

　　额定功效 是有关一次侧总体功耗的关键系数，最高的额定功效大约50%。这就是说，将1mW的功率传输到二次侧，在一次侧需要2mW的功率。

　　回到我们上面的方程式计算中，在无负载条件下，如果我们在二次侧需要200mW的功率，就必须在一次侧产生400mW的功率，而且还需要80mW的电流驱动脉宽调制控制器。

　　这个关系式表明，如果在二次侧降低无负载功耗，那么，一次侧将获得两倍的好处。

优化系统

　　通常情况下，当一个人设计充电器或适配器应用时，这个应用的无负载功耗目标就已经确定了。具体目标可能是500mW或300mW，但是，直到今天，无负载总功耗达到100mW似乎仍然是可望而不可及。

　　在本节我们将看到三个实例系统：

　　（a） 一个典型的二次配置，如图1所示；这个系统采用一个通用二次集成电路，如ST的TSM103。

　　（b） 一个先进的二次侧电路图（见图3），这个结构采用一个集成电路，如ST内置自极化电压基准器件的TSM1011。这个自极化电压基准器件的集成取代了电阻器Rref，，从而消除了基准电流Iref。

　　（c） 一个先进的二次侧电路图（见图3），这个结构采用一个极其先进的集成电路 ST的 TSM1012，在无负载条件下，这个电路消耗电流仅150礎 。

　　除考虑典型的二次侧结构（图1）和先进的二次侧结构（图3）外，现在市场上还有三种只需0.5mA的光耦合器。我们将会看到，使用这种光耦合器也能将功耗降到很低。

　　下表列出了上面讨论的三个系统中的每个系统的参数：

　　从上表对比中我们不难看出，采用一个小功耗光耦合器配合TSM1012的系统，与一个典型的恒压恒流二次侧对比，前者的功耗经济性接近80%。最重要的是，采用这个先进的系统，无负载功耗能够降低到近100mW。