新品 | 英飞凌XHP™ 2系列2300V CoolSiC™ 碳化硅MOSFET

英飞凌XHP™ 2系列2300V CoolSiC™

碳化硅MOSFET

为顺应可再生能源领域中1500V直流母线应用日益增长的趋势，英飞凌推出XHP™ 2系列2300V CoolSiC™ MOSFET产品扩充。该系列产品电流规格丰富，最高可达2000A，并提供4kV或6kV的隔离电压等级，非常适用于高功率应用。结合可靠耐用的.XT扩散焊技术，该产品在使用寿命和可靠性方面均达到同类最佳水平，为高可靠性应用提供了坚实的保障。

每款模块均可提供预涂导热界面材料版本，以简化组装流程，并实现最佳热性能。

产品型号：

■FF1000UXTR23T2M1_B5

■FF1000UXTR23T2M1P

■FF1000UXTR23T2M1

■FF1300UXTR23T2M1P

■FF1300UXTR23T2M1

■FF2000UXTR23T2M1P

■FF2000UXTR23T2M1

产品特性

CoolSiC™ MOSFET，耐压2.3kV

集成体二极管

导通电阻低至0.95mΩ

低电感XHP™ 2封装

.XT扩散焊技术

对称的模块设计

高浪涌电流承受能力

短路耐受能力

极低的开关与导通损耗

最高持续工作结温175°C

4kV与6kV隔离电压

铜基板与铝碳化硅复合基板可选

应用价值

卓越能效

超高功率密度

更长使用寿命

业界顶尖的可靠性

竞争优势

2300V阻断电压，适用于更高的直流母线电压（标称1500V，最高可达1800V）

具备短路鲁棒性

具备浪涌电流鲁棒性

材料结构允许芯片最高持续工作结温达175°C

应用领域

可再生能源（风电、光伏）

电池储能系统

氢能