Rapidus加速推进1nm工艺，目标与台积电技术差距缩至 6 个月

日本Rapidus正加速冲刺先进制程芯片制造。据日经 XTech 报道，该公司首席技术官Kazunari Ishimaru（丸和一成）表示，目标是在1nm 节点将与台积电的技术差距缩小至6 个月左右。

与此同时，日经 XTech 另一篇报道指出，Rapidus 计划2026 年启动 1.4nm 半导体制造技术研发，预计2029 年前后实现量产。

对比来看，经济日报消息显示，台积电 1nm 工艺将率先在中部科学园区投产，首座晶圆厂预计2027 年底完成试产，2028 年下半年大规模量产。

Rapidus 推进 2nm 研发，进度加快

日经 XTech 称，Rapidus 计划2026 年底前开始生产客户定制的 2nm 测试芯片，这是其2027 年实现 2nm 量产目标的关键一步。报道补充，来自美国 AI 领域、日本及欧洲客户的需求十分强劲。

日经 XTech 还介绍了 Rapidus 在 2nm 工艺上的最新进展：

• 2025 年 7 月客户活动中，该公司已展示可运行的2nm 晶体管，当时性能尚未达标。

• 2025 年 9 月前后，开始优化性能指标，改进速度显著提升。

值得注意的是，在 IBM 研发基地所在地美国纽约州奥尔巴尼需耗时约1 年半的工作，Rapidus 在北海道千岁工厂仅用不到2 个月就完成，凸显其研发节奏大幅加快。

台积电同步在日本布局

随着日本半导体生态持续发展，台积电也在扩大当地布局。据读卖新闻 2026 年 2 月消息，台积电已敲定在日本熊本县量产3nm 先进芯片的计划，这是 3nm 工艺首次在日本投产。

该项目预计投资约170 亿美元。日本政府认为，3nm 芯片的应用场景与 Rapidus 的目标领域不同，因此两者不存在直接市场竞争。