基于MCU智能注射装置实现智能电离子透入疗法
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2、从电路原理图可见设计的简洁性
在电路原理图（图2）中，Q1是主要开关晶体管。MOSFET Vds击穿和D1的击穿电压应大于电路的最大预期输出电压。当微控制器检测到输出电流低于预期大小时，它会快速地连续四次对MOSFET加脉冲以提高电压输出。这四个脉冲将产生更大电流和加速负荷下的上升时间。或者，可用PWM驱动MOSFET，这样允许来自升压电路的更高输出。R6/C6为电流检测网络。
由于PIC12F683体积小、成本低、配置有内部ADC、固定基准电压、集成比较器、PWM、硬件定时器和内部EEPROM，所以它被本设计选定为MCU。使用固定参考电压可省去调节器或外部参考电压，使该设计可做成一个8引脚器件以便进一步降低成本。
该设计还包含两个用于用户界面的LED，一个连接至复位部件的启动按钮。
测试结果
在测试过程中，捕捉到了如图3和4所示的波形。
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