基于LTCC技术的S波段低噪声放大器的小型化设计

　　实际上， 通过调试和优化， 其结果也可以达到所要求的指标。然而， 单级电路仿真后， 由于级间匹配等问题， 一般还要进一步调试与优化，特别应当注意的是第一级放大器的S22虽然在仿真时可以不用要求太严格， 但也不能太差， 一般要求S22要小于-10dB， 否则会在两级合并时严重影响输入、输出驻波。图3所示是ADS的整体仿真电路。

图3 ADS整体电路仿真图

　　3 内埋置技术仿真

　　内埋置技术现在是小型化电路与系统研究的重要方法之一， LTCC技术为无源器件内埋提供一个良好的平台。通过HFSS软件可以仿真出需要的电容与电感。本文以ferro公司的A6 (介电常数为5.9) 为例来仿真本电路所需要的电感与电容， 而且这种电感与电容的自谐振频率要远远高于一般贴片封装的电感与电容。而通过内埋置技术， 可以把电路中大量的无源器件埋置到基板中， 从而大大缩小电路板的面积。图4所示是内埋置技术的2.2μH电感和47pF电容的仿真结果。

(a) 2.2nH电感仿真

(b) 47pF电容仿真

图4 内埋置技术的仿真结果

　　4 结束语

　　本文介绍了一种基于LTCC技术的S波段低噪声放大器的小型化设计方法。通过LTCC这种新材料与新工艺把无源器件内埋置到电路基板中，再选用合适的小封装器件与合理的电路拓扑结构， 使电路的面积大大缩小， 从而实现小型化、低成本之目的。