基于MOS开关的高频高压脉冲源中电磁兼容问题研究 作者： 时间：2011-04-14 来源：网络 加入技术交流群 扫码加入和技术大咖面对面交流海量资料库查询 收藏 <a href='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/ck.php?n=a635e61e&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE' target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=88&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a635e61e' border='0' alt='' /></a> <a href='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/ck.php?n=a576c0a2&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE' target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=87&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a576c0a2' border='0' alt='' /></a> ω0为脉冲信号的角频率，E为信号幅值，图2为脉冲信号幅值E为1时的主带宽频谱图。本文引用地址：https://www.eepw.com.cn/article/179243.htm 经过分析可知，脉冲信号的主带宽为9．1MHz，比一般的低频率脉冲信号的主带宽要高，同时由于本文脉冲信号幅值为4kV，带外频率的干扰也不能忽视，这样干扰信号的频谱分布范围更宽。在低频段其产生的干扰以近场干扰为主，高频段以辐射干扰为主，需要在电磁兼容措施中区别考虑。 上一页 1 2 3 4 下一页
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