基于温度补偿的无运放低压带隙基准源设计
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面积为148μm×120μm。基于0．5μm CMOS工艺，通过spectre对图3所示的电路进行仿真优化。在电源电压为3．3 V的条件下，温度从-20～120℃变化时，得到图5所示输出电压Vref随温度变化仿真曲线图，温度系数为35．6 ppm／℃。图6是得到的输出电流Iref随温度变化仿真曲线图，温度系数为37．8 ppm／℃。这说明了电路可以同时提供温度补偿的低温漂基准电压和基准电流。基准电压的PSRR特性如图7所示，在直流情况下，PSRR为-68dB。本文引用地址：https://www.eepw.com.cn/article/160474.htm
5 结语
基于低电压带隙基准源的基本原理，提出一个可以同时提供温度补偿的低压基准电压和基准电流的电路设计。设计中用具有正温度系数的薄膜电阻对基准电流进行温度补偿，通过改进带隙基准电路中的带隙负载结构对基准电压进行补偿，同时得到了低温漂的基准电流和基准电压。仿真结果表明，在-20～120℃的温度范围内，基准电压和基准电流的温度系数均小于40 ppm／℃，具有较好温度特性，直流时的电源抑制比为-68 dB。此电路设计结构简单，可以广泛应用于各种集成电路中。
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