基于温度补偿的无运放低压带隙基准源设计
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3 改进的无运放低电压带隙基准电路
为了使电路的功耗进一步降低，提出了一种无运放低电压基准电路，将图2中的负载结构放入该基准电路中，得到如图3中的改进的无运放带隙基准电路，此电路中流过节点X和Y的电流分别为sI，s为常数，其大小可通过改变相关MOS管的宽长比调节，令流过管M3a与管M4a的电流均为sk1I，流过管M3b与管M4b的电流均为sk2I，可通过调节k1与k2的值来调节流过电阻R4的电流，改进的带隙基准电路可以更好的调节电路中各支路电流的大小，从而可以更精确的得到需要的基准电流值和基准电压值。基准电流Iref和基准电压Vrer分别表示为：
由式(10)和(11)可知，基准电压Vref和基准电流Iref有不同的温度补偿方式，如果要求Vref和Iref同时与温度零相关，必须满足以下条件：
式中VbG0约为1．25 V，对于设计所需要的基准电流值，根据式(15)可以更好地选择薄膜电阻值的大小。本文引用地址：https://www.eepw.com.cn/article/160474.htm
4 电路仿真结果
本文设计的带隙基准源的整体版图如图4所示。
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