东芝推出650V系统超结MOSFET “DTMOS Ⅳ”系列
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实现顶级[1]低导通电阻性能
本文引用地址：https://www.eepw.com.cn/article/159224.htm
东京—东芝公司(TOKYO：6502)日前宣布推出第四代超级结MOSFET “DTMOS IV”系列650V器件。作为该系列的首款产品，“TK14A65W”已经推出，并计划于2013年8月全面投入量产。
该系列采用最新的单外延工艺打造，其每单位面积导通电阻(Ron•A)较现有的650V “DTMOS II”系列产品约降低了50%[2]，这就使之能够采用紧凑封装，有助于提高功效，缩小产品的集成尺寸。
主要规格
| 产品型号 | 封装 | 绝对最大额定值 | RDS（ON） 最大值（Ω） |
Qg 标准值 （nC） |
Ciss 标准值 （pF） |
|
|---|---|---|---|---|---|---|
| VDSS（V） | ID（A） | VGS=10V | ||||
| TK14A65W | TO-220SIS | 650 | 13.7 | 0.25 | 35 | 1300 |
注：
[1] 截至2013年7月。东芝公司的研究。
[2] 与“TK17A65U”对比。
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