IR推出封装更小的DC-DC降压式DirectFET转换器(图)

　　IR中国销售总监严国富指出：“全新的DirectFET芯片组是设计人员所需应用于中功率水平之细小，快捷开关，及15至18安培功率转换器的最佳选择。它们不仅能在5至8安培应用上提高超过百分之一的效率，还比采用3颗SO-8器件的典型方法节省了百分之五十的占板面积。”

　　该芯片组的每个器件都是为了使同步DC－DC降压式转换器电路实现最佳性能而设计的。IRF6631 DirectFET控制MOSFET可降低开关损耗，而IRF6638 DirectFET同步MOSFET则能减少传导损耗及反向恢复电荷。

　　IRF6631控制FET的栅极电荷为12nC，电阻栅极电荷（99.6 mohmsnC）优值系数比先前的产品减少了16%。IRF6638 DirectFET同步 FET在4.5V时可提供3.0mohms的典型导通电阻，在保持同一栅极电荷时，比现有的器件减少了12%。

　　IR获得专利的DirectFET MOSFET封装体现了以往标准塑料分立封装没有具备的一系列设计优点。金属罐构造可以实现双面冷却，使先进微处理器供电的高频DC-DC降压式转换器的电流处理能力提升了一倍。此外，采用DirectFET封装的器件均符合有害物质限制（RoHS）规定。

　　IRF6631和IRF6638 DirectFET MOSFET现已供货，产品基本规格如下：