导读：近日中国电科公布一系列成果，显示在国产碳化硅（SiC）设备及器件上取得突破。
图：中电科55所生产线
4月17日，中国电科宣布旗下55所与一汽联合研发的首款750V碳化硅功率芯片完成流片，首款全国产1200V塑封2in1碳化硅功率模块完成A样件试制。
报道称，750V碳化硅功率芯片技术达到国际先进水平，目前已正式进入产品级测试阶段。
在2in1碳化硅功率模块项目中，双方技术团队围绕新结构、新工艺、新材料开展联合攻关，实现芯片衬底与外延材料制备、芯片晶圆设计与生产、封装结构设计、塑封工艺开发与模块试制等关键环节全流程自主创新。
图：中电科SiC MOSFET产线（CCTV）
据CCTV报道，55所此前已在国内率先突破了6英寸碳化硅MOSFET批产技术，碳化硅MOSFET器件在新能源汽车上批量应用，装车量达百万辆，处于国内领先地位，5G****用氮化镓功率管和高线性二极管等系列产品性能及可靠性国内领先。
同时，在SiC定制化和研发难度较高的设备端，中国电科48所研制的碳化硅外延炉出货量同比大幅增长。
据悉，由于碳化硅材料高熔点、高密度、高硬度的特性，使芯片具备了耐高压、耐高温、低损耗等优越性能，碳化硅外延生长炉是晶圆制造环节的专用核心装备。
图：中电科48所SiC外延生长设备
碳化硅外延生长炉，主要用于在碳化硅晶圆衬底上生长同质外延材料，每一颗碳化硅芯片都是基于外延层制造的结晶。48所技术专家表示，碳化硅外延生长炉是承接衬底和芯片制造的关键环节，直接影响芯片的等级和良率。
早期国内碳化硅外延片研究和生产几乎全部依赖进口，48所通过自主研发，研制出完全对标国外设备性能的6英寸碳化硅外延炉，经过用户上线使用验证，设备的技术指标均达到行业应用的主流水平，有力支撑了国产碳化硅芯片产业的大规模快速发展。
据报道，随着国家第三代半导体技术创新中心（湖南）的实体化运行，48所以外延、注入、氧化、激活等专用装备为核心，结合立式扩散炉、PVD等通用设备和半导体芯片生产线建线经验，实现国内唯一从碳化硅外延到芯片核心设备的全覆盖，进一步助力国产碳化硅芯片制造“换道超车”。
