韩媒：三星P3工厂将率先投建176层3D NAND产线，初期月产能达10K

据韩媒报道，三星电子位于京畿道平泽市的P3工厂已经进入到基础设施投放的环节。据悉，这座混合了NAND、DRAM和晶圆代工产线的工厂将率先开始NAND产线建设，DRAM和晶圆代工随后同时开建。

三星P3工厂于2020年开始投入建设，建筑许可面积约70万平方米。目前正在准备一条176层3D NAND生产线，初期月产能约10K。

另外，报道称，三星电子将于6、7月份开始建设基于EUV技术的14nm制程DRAM生产线以及3nm晶圆代工产线，相关设备也将及时导入。

业内人士表示，三星电子今年的投资热情相较去年更加高涨。除P3工厂之外，三星的P4工厂可能也在今年开始建设；位于美国德州奥斯丁的晶圆代工厂预计也将在今年上半年开工；另外，三星电子也将在今年下半年增加P2工厂生产设备，填补空间。