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同时实现业界超快反向恢复时间和超低导通电阻的600V耐压超级结 MOSFET “R60xxVNx系列”
- 全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）的600V耐压超级结 MOSFET“PrestoMOS™”产品阵容中又新增了“R60xxVNx系列”的7款机型，新产品非常适用于电动汽车充电桩、服务器、基站等需要大功率的工业设备的电源电路、以及空调等因节能趋势而采用变频技术的白色家电的电机驱动。近年来，随着全球电力消耗量的增加，如何有效利用电力已成为亟待解决的课题，在这种背景下，电动汽车充电桩、服务器和基站等工业设备以及空调等白色家电的效率不断提升，因此也就要求其中所用的功率半导体进一步降低功率损耗。针对这种
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英飞凌推出采用D2PAK封装的650 V CoolSiCTM MOSFET，进一步降低应用损耗并提高可靠性
- 在数字化、城市化和电动汽车等大趋势的推动下，电力消耗日益增加。与此同时，提升能源效率的重要性也在与日俱增。为了顺应当下全球发展大势并满足相关市场需求，英飞凌科技股份公司近日推出了650 V CoolSiCTM MOSFET系列新产品。该产品具有高可靠性、易用性和经济实用等特点，能够提供卓越的性能。这些SiC器件采用了英飞凌先进的SiC沟槽工艺、紧凑的D2PAK 表面贴装7引脚封装和.XT互连技术，广泛适用于大功率应用，包括服务器、电信设备、工业SMPS、电动汽车快速充电、电机驱动、太阳能系统、储能系统和电
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东芝推出采用最新一代工艺的150V N沟道功率MOSFET，可大幅提高电源效率
- 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）近日宣布，推出150V N沟道功率MOSFET---“TPH9R00CQH”。该器件采用最新一代[1]“U-MOSX-H”工艺，适用于工业设备开关电源，其中包括数据中心电源和通信基站电源。该产品于今日开始支持批量出货。与使用当前一代“U-MOSⅧ-H”工艺的150V产品TPH1500CNH相比，TPH9R00CQH的漏源导通电阻下降约42%。对新型MOSFET的结构优化促进实现源漏导通电阻和两项电荷特性[2]之间的平衡[3]，从而实现了优异的低损耗特性。此外，开关
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恩智浦与日立能源合作开发电源模块，加快碳化硅在电动交通领域的采用
- 恩智浦半导体（NXP Semiconductors N.V.）近日宣布与日立能源合作，加快碳化硅（SiC）电源半导体模块在电动交通领域的采用。此次合作项目为动力逆变器提供基于SiC MOSFET的解决方案，更高效可靠且功能安全，该解决方案由恩智浦先进的高性能GD3160隔离式高压栅极驱动器和日立能源RoadPak汽车SiC MOSFET功率模块组成。产品重要性电动汽车厂商采用SiC MOSFET动力器件，可比采用传统硅IGBT获得更高的续航里程，提高系统整体效率。SiC MOSFET功率器件带有高性能功率
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