- 全球领先的整合单片机、混合信号、模拟器件和闪存专利解决方案的供应商——Microchip Technology Inc.(美国微芯科技公司)宣布，推出全球第一款数字增强型电源模拟控制器MCP19111，它扩展了Microchip多元化的智能DC/DC电源转换解决方案。此外，Microchip还宣布推出全新MCP87018、MCP87030、MCP87090和MCP87130，扩展其高速MOSFET系列。
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Microchip 控制器 MOSFET
- 全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 近日推出配备IR最新功率MOSFET的300V器件系列，可为各种高效工业应用提供基准导通电阻 (Rds(on)) ，这些工业应用包括110V-120V交流电压线性调节器和110V-120V交流电压电源，以及直流-交流逆变器，如太阳能逆变器、不间断电源 (UPS)等。
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IR MOSFET
- 全球功率半导体和管理方案领导厂商–国际整流器公司(InternationalRectifier，简称IR)近日推出配备IR最新...
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基准导通 300V功率 MOSFET
- 汽车应用MOSFET半导体制造商在金属氧化物半导体（MOS）技术领域取得了重大进步，并继续积极发展。先进的功率MOS...
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汽车应用 MOSFET 电机控制
- 1 引言
scale-2芯片组是专门为适应当今igbt与功率mosfet栅驱动器的功能需求而设计的。这些需求包括：可扩展的分离式开通与关断门级电流通路;功率半导体器件在关断时的输出电压可以为有源箝位提供支持;多电平变
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MOSFET IGBT 驱动器 芯片
- 11、请问：HCPl-316产品如何做到短路时软关断？谢谢！ HCPL-316J 饱和阈值的顶点设置在7V，这是对通过一个比较 ...
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IGBT Power MOSFET 功率器件
- 功率器件，如IGBT，Power MOSFET和Bipolar Power Transistor等等，都需要有充分的保护，以避免如欠压，缺失饱和，米勒效 ...
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IGBT Power MOSFET 功率器件
- 进入21世纪以来，随着摩尔定律的失效大限日益临近，寻找半导体硅材料替代品的任务变得非常紧迫。在多位选手轮番登场后，有两位脱颖而出，它们就是氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)——并称为第三代半导体材料的双雄。
SiC早在1842年就被发现了，但直到1955年，才有生长高品质碳化硅的方法出现;到了1987年，商业化生产的SiC进入市场;进入21世纪后，SiC的商业应用才算全面铺开。相对于Si，SiC的优点很多：有10倍的电场强度，高3倍的热导率，宽3倍禁带宽度，高一倍的饱和漂
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ROHM SiC 半导体
- 服务器、电信、计算等高端的AC-DC开关模式电源(SMPS)应用以及工业电源应用需要较高的功率密度，因此要获得成功，设计人员需要采用占据更小电路板空间并能提高稳定性的高性价比解决方案。
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飞兆 MOSFET SuperFET
- 如何提升数字控制电源性能？MOSFET驱动器有办法,UCD9110或UCD9501等新上市的数字电源控制器需要具备新型的智能型集成MOSFET驱动器的支持。电源设计人员仍然对数字电源控制技术心存疑虑。他们经常将PC的蓝屏现象归咎于软件冲突。当然，这种争议会阻碍数字控制电源以
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MOSFET 驱动器 办法 性能 电源 提升 数字 控制 如何
- 在这篇《电源设计小贴士》中，我们将研究在同步降压功率级中如何对传导功耗进行折中处理，而其与占空比和F...
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同步降压 MOSFET 电阻比
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