PDMA在测试SDRAM控制器中的应用,我们设计了一个PDMA(Programmable Direct Mem o ry Access)用于测试SDRAM控制器的性能。在SoC中,SDRAM控制器往往跟多个IP模块(图形处理单元,音频处理单元等)交换数据,采用多个PDMA通道同时访问Memory可以真实
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应用 控制器 SDRAM 测试 PDMA
CMOS逻辑系统的功耗主要与时钟频率、系统内各栅极的输入电容以及电源电压有关。器件形体尺寸减小后,电源...
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电源设计 DDR 内存电源
CMOS 逻辑系统的功耗主要与时钟频率、系统内各栅极的输入电容以及电源电压有关。器件形体尺寸减小后,电源电压也随之降低,从而在栅极层大大降低功耗。这种低电压器件拥有更低的功耗和更高的运行速度,允许系统时钟频
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电源 内存 设计 DDR
基于VHDL的SDRAM接口设计,RAM通常用于数据和程序的缓存,随着半导体工业的发展,RAM获得了飞速的发展,从RAM、DRAM(Dynamic RAM,即动态RAM)发展到SDRAM(Synchronous Dynamic RAM,即同步动态RAM),RAM的容量越来越大、速度越来越高,可以说存
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设计 接口 SDRAM VHDL 基于
DDR存储器的发展历程 由于几乎在所有要求快速处理大量数据(可能是计算机、服务器或游戏系统)的应用中都要求 ...
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DDR 电源
目前广泛使用的计算机内存芯片是DDR(双倍数据率同步动态随机存储器)[1]。它的最新品种DDR3单片容量已经可以...
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DDR 测试
使用Xilinx公司的Spartan-6 FPGA系列芯片所提供的MCB,在生成控制模块时设置不同参数,可以轻而易举的实现对不同型号的DDR存储芯片的测试,数据率可高达800Mb/s以上。由于时间利用率比使用计算机主板测试DDR芯片高得多,所以可以极大地节约测试时间。
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Xilinx FPGA DDR 201109
随着系统复杂度的提高,SDRAM的运行速度也越来越快,对PCB布线带来了影响,仅仅使用一些经验法则来设计SDRAM走线并不能完全保证系统的稳定。不同的芯片有不同的时序要求,对走线的要求也是有差别,需要从理论上分析SDRAM时序和PCB走线长度之间的关系。
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SDRAM PCB 201109
DSP有限的片内存储器容量往往使得设计人员感到捉襟见肘,特别是在数字图像处理、语音处理等应用场合,需要有高...
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SDRAM 低功耗
摘要:为了满足高速图像处理系统中需要高接口带宽和大容量存储的目的,采用了FPGA外接DDR2-SDRAM的设计方法,提出一种基于VHDL语言的DDR2-SDRAM控制器的方案,针对高速图像处理系统中的具体情况,在Xilinx的ML506开发
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接口 设计 DDR2-SDRAM 理系 图像 处理 高速
尔必达存储器宣布,开始样品供货采用TSV(Through Silicon Via,硅贯通孔)技术积层4个2Gbit DDR3 SDRAM芯片和1个接口芯片的单封装DDR3 SDRAM。尔必达表示采用TSV技术实现32bit的输入输出“在全球尚属首次”。据尔必达介绍,与采用引线键合(Wire Bonding)技术的现有SO-DIMM(Small-Outline Dual Inline Memory Module)相比,新产品可以大幅削减耗电量和封装体积,因此有助于平板终端和超薄型笔记本电脑(PC)等节省
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尔必达 SDRAM
基于DDR NAND闪存的高性能嵌入式接口设计,摘要:介绍了一种最新DDR NAND闪存技术,它突破了传统NAND Flash 50 MHz的读写频率限制,提供更好的读写速度,以适应高清播放和高清监控等高存储要求的应用。分析该新型闪存软硬件接口的设计方法。 关键词:DDR NAN
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嵌入式 接口 设计 高性能 闪存 DDR NAND 基于
在数据处理中为了更好地对被测对象进行处理和分析,研究人员们把重点更多的放在高速、高精度、高存储深度的数据采集系统的研究上 由于A/D芯片及高性能的FPGA的出现,已经可以实现高速高精度的数据处理,则
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SDRAM DDR 高速数据 采集系统
处理器外接SDRAM的控制技术介绍,现代的处理器(SoC)或DSP都内建有内存控制器,它是外部SDRAM、FLASH、EEPROM、SRAMhellip;hellip;等内存的控制接口。但不同处理器内部的内存控制方式都不尽相同,而且它们的控制程序大部分都位于开机程序内,皆属于
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介绍 技术 控制 SDRAM 处理器
DDR是双倍数据速率的SDRAM内存,如今大多数计算机系统、服务器产品的主流存储器技术,并且不断向嵌入式系统应用领域渗透。孰不知,随着iPhone等大牌智能手机的采纳,DDR内存俨然成为智能手机转变的方向之一,例如韩国
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DDR 测试技术
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