新处理器对电源的要求越来越高，快速的负载阶跃响应、严格的输出电阻限制以及快速的输出变化都是必不可少的。因此，选用合适的控制器至关重要。
同样的控制器，不同的电感和电容
首先来看现有的控制器。对于台式计算机和一些较大的笔记本电脑来说，具有最小纹波电流的四相控制器为负载阶跃提供最快速的响应。但是，必须有足够高的开关频率以所需的转换速率来响应负载瞬变，还需要MOSFET来保证低的导通电阻RDSON并且使高频开关损耗最小。
如果需要提高开关频率，那么需要增加控制器反馈环路的带宽以提供足够快的响应，可是大
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瑞萨科技发布符合第二阶段产品标准的第二代 “集成驱动器MOSFET（DrMOS）” 实现CPU稳压器应用的业界最高效能 --与瑞萨科技当前的产品相比，在引脚兼容的同样封装中可降低超过20%的功率损耗— 瑞萨科技公司（Renesas Technology Corp.）宣布，推出采用56引脚QFN封装。该器件集成了一个驱动器IC和两个高端/低端*1功率MOSFET的R2J20602NP，可用于PC、服务器等产品的CPU稳压器（VR）。样品供货将从2006年12月在日本开始。 R2
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Intersil的双同步降压稳压器具有集成式MOSFET和高效用户可配置电源模块 Intersil的ISL65426提供了2个逻辑可编程或电阻可调输出电压，并提高了每个输出（2个输出的总输出电流为6A）的用户可编程负载电流的灵活性 Intersil（NASDAQ：ISIL）公司宣布推出高效率双输出同步降压稳压器 - ISL65426。该器件采用薄型QFN封装，并为2条同步降压稳压器通道集成了保护功能，使其成为为当今的小型应用供电的理想之选。 ISL65426在1MHz的固定频率下进行转
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1 引言
智能功率模块(Intelligent Power Module，IPM)以开关速度快、损耗小、功耗低、有多种保护功能、抗干扰能力强、无须采取防静电措施、体积小等优点在电力电子领域得到越来越广泛的应用。以PM200DSA060型IPM为例。介绍IPM应用电路设计和在单相逆变器中的应用。
2 IPM的结构
IPM由高速、低功率IGWT、优选的门级驱动器及保护电路构成。其中，IGBT是GTR和MOSFET的复合，由MOSFET驱动GTR，因而IPM具有GTR高电流密度、低饱和电压、高耐压、
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为汽车电子设计提供性能、效率和节省空间方面的优势 飞兆半导体扩充其低RDS(ON) MOSFET产品系列， 推出11种面向电机控制应用的新型30/40V器件
飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 扩充其AEC-Q101认证的30V和40V MOSFET产品系列，推出11种新型器件。这些低压PowerTrench®MOSFET专为优化汽车应用的效率、性能和线路板空间而设计，其应用包括动力转向、集成启动器/交流发电机，
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同步整流降压式DC/DC转换器都采用控制器和外接功率MOSFET的结构。控制器生产商会在数据资料中给出参数齐全的应用电路，但用户的使用条件经常与典型应用电路不同，要根据实际情况改变功率MOSFET的参数。
对功率MOSFET的要求
同步整流降压式DC/DC转换器的输入及输出部分电路如图1所示，它是由带驱动MOSFET的控制器及外接开关管(Q1)及同步整流管(Q2)等组成。目前，Q1和Q2都采用N沟道功率MOSFET，因为它们能满足DC/DC转换器在输入电压、开关频率、输出电流及减少损耗上的要求。
图
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飞兆半导体的 MicroFET™系列产品可在广泛的低电压应用中 节省空间并延长电池寿命
扩展的MicroFET产品系列提供了在其电压范围内 最完备的2x2mm MLP封装MOSFET器件 飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 推出11种新型MicroFET™ MOSFET产品，提供业界最广泛的的散热增强型超紧凑、低高度 (2 x 2 x 0
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Zetex Semiconductors日前推出一款迎合预偏置供应电路要求的新型高电压MOSFET。 ZXMN0545G4是一款450V强化型N信道器件，可用于简单的线性调节器，在起动阶段为脉冲宽度调变(PWM)集成电路供应所需电压，然后在转换器完全激活后关掉。相比于其它倚赖电阻器的解决方案，这种以MOSFET为基础的解决方案有助改善系统效率和减省起动时间。 Zetex亚洲副总裁林博文指出，新MOSFET采用独特四脚型SOT223封装，能发挥最大的抗高压爬电效能。器件采用崭新导线
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以前曾经有一个设计实例介绍了用动圈模拟表头测量小于 1A电流的十分有趣和有用的方法（参考文献 1）。
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为PoE应用节省80%的占位空间 国际整流器公司近日推出IRF4000型100V器件。该器件将4个HEXFET MOSFET集成在一个功率MLP封装内，可满足以太网供电（Power-over-Ethernet，简称PoE）应用的需求。这款新器件符合针对网络和通信基础设施系统的IEEE802.3af标准，例如以太网交换器、路由器和集线器等，可提供每端口15W的功率，并能取代4个独立SOT-223封装的MOSFET。其减少的占位面积相当于节省了80%的空间，或相当于典型48端口电路板中3
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一个采用DirectFET MOSFET并基于四相同步整流器的VRM能够于高达2MHz/相位下工作，并提供120A电流，且满足负载点电源的瞬态响应要求。
与十年之前以单元密度和导通电阻作为器件设计的主要考虑因素相比，功率MOSFET技术在发展方向上正经历着一场重大的变革。如今，并在可以预见的未来，开关速度正在逐步成为负载点（POL）电源应用的决定性因素。对于工作电压为1V或以下且对时钟速度和电流需求更高的下一代微处理器而言，开关速度是满足其供电要求的关键因素。电源的性能将取决于功率MOSFET
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对频率为MHz级情况下功率MOSFET并联均流问题进行了研究，详细分析了影响功率MOSFET并联均流诸因素。通过Q轨迹把器件参数和外围电路联系起来，得出较大的Q值和适当的Ls/Lx有利于并联均流。大量的仿真和小功率实验结果均表明该方法的正确性。
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LCD Driver IC 测试方法及其对测试系统提出的挑战(2)
假设被测的是256色、384 LCD输出且具有Dot 翻转功能的IC，那么由公式可得需要测试的电压值个数为： 256（颜色深度）ｘ384（pin数）ｘ2(Dot 翻转） ＝196,608 一般的DC测试部件的测试时间为几到几十个uS，由此可知测试时间将会比较长。如果IC的色彩深度高一些的话（65535色），测试时间根本无法让人接受，因此在进行此类测试时需要使用数字采样器（Dig
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LCD Driver IC 液晶显示 LCD
LCD Driver IC 测试方法及其对测试系统提出的挑战LCD显示器件在中国已有二十多年的发展历程，已经从最初的以数字显示为主转变为以点阵字符、图形显示为主。LCD显示设备以其低电压驱动、微小功耗、能够与CMOS电路和LSI直接匹配、具有极薄的扁平结构、可以在极亮的环境光下使用、工艺简单等等特点成为了极有发展前景的显示器件。 LCD显示器件种类繁多、发展迅速，从种类到原理、从结构到效应、从使用方式到应用范围差异很大，从测试原理上来说也就会有一些不同，目前比较常用的是STN和TFT的LCD显示器件。由
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