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spi nor flash 文章 进入spi nor flash技术社区

三星1000层NAND目标,靠它实现

  • 三星电子计划实现“PB级”存储器目标。三星高层曾预期,V-NAND在2030年叠加千层以上。最新消息指出,三星考虑用新“铁电”材料铪基薄膜铁电(Hafnia Ferroelectrics)实现目标,且可能是关键。目前,三星已经推出了290层的堆叠第九代V-NAND快闪存储器,而据业内消息,三星计划于明年推出第10代NAND芯片,采用三重堆叠技术,堆叠层数将达到惊人的430层。三星的目标是尽快实现超过1000 TB的存储容量里程碑,为大数据、云计算等领域的发展提供强大的存储支持。最新消息是,KAIST的研究
  • 关键字: 三星  NAND  Flash  

第二季DRAM合约价涨幅上修至13~18%;NAND Flash约15~20%

  • 据TrendForce集邦咨询最新预估,第二季DRAM合约价季涨幅将上修至13~18%;NAND Flash合约价季涨幅同步上修至约15~20%,全线产品仅eMMC/UFS价格涨幅较小,约10%。403地震发生前,TrendForce集邦咨询原先预估,第二季DRAM合约价季涨幅约3~8%;NAND Flash为13~18%,相较第一季涨幅明显收敛,当时从合约价先行指标的现货价格就可看出,现货价已出现连续走弱,上涨动能低落、交易量降低等情况。究其原因,主要是除了AI以外的终端需求不振,尤其笔电、智能手机
  • 关键字: DRAM  NAND Flash  TrendForce  

Teledyne e2v宣布扩展其Flash CMOS图像传感器系列

  • Teledyne Technologies[纽交所代码:TDY]旗下公司、全球成像解决方案创新者Teledyne e2v宣布扩展其Flash™ CMOS图像传感器系列,推出Flash 2K LSA,该产品专门适用于需要使用大沙姆角(LSA)的激光轮廓应用。Teledyne e2v的Flash系列CMOS图像传感器专为三维激光轮廓/位移应用和高速/高分辨率检测量身定制。Flash 2K LSA是Flash 2K传感器的衍生产品,适用于需要大沙伊姆弗勒角度的应用,其角度响应在30°角度下为四倍以上,在
  • 关键字: CMOS  图像传感器  Flash  

累计上涨100%还不停!消息称SK海力士将对内存等涨价 至少上调20%

  • 5月6日消息,供应链爆料称,SK海力士将对旗下LPDDR5、LPDDR4、NAND、DDR5等产品提价,涨幅均有15%-20%。按照消息人士的说法,海力士DRAM产品价格从去年第四季度开始逐月上调,目前已累计上涨约60%-100%不等,下半年涨幅将趋缓。靠着存储涨价,三星电子2024年第一季营业利润达到了6.606万亿韩元。财报显示,三星电子一季度存储业务营收17.49万亿韩元,环比增长11%,同比暴涨96%,在整体的半导体业务营收当中的占比高达75.58%。三星表示,一季度存储市场总体需求强劲,特别是生
  • 关键字: SK海力士  三星  DDR5  NAND Flash  上涨  

EEPROM 和 flash 这样讲,早就懂了!

  • 前几天看到群里在讨论存储器,有些人一直搞不懂,今天给大家分享一篇文章总结一下。存储器分为两大类:RAM 和 ROM。RAM 就不讲了,今天主要讨论 ROM。rom最初不能编程,出厂什么内容就永远什么内容,不灵活。后来出现了prom,可以自己写入一次,要是写错了,只能换一片,自认倒霉。人类文明不断进步,终于出现了可多次擦除写入的EPROM,每次擦除要把芯片拿到紫外线上照一下,想一下你往单片机上下了一个程序之后发现有个地方需要加一句话,为此你要把单片机放紫外灯下照半小时
  • 关键字: 存储器  flash  EEPROM  

全双工,同步传输的SPI通讯原理是如何工作的?

  • SPI概念SPI(Serial Peripheral interface, 串行外设接口)是微处理控制单元(MCU)和外围IC(如传感器、ADC、DAC、驱动芯片和外部存储设备等)之间进行通信的同步串行端口,其通信速率一般可以从几千bps到几百Mbps甚至更高, 具体的SPI通信速率取决于主设备和从设备的规格和性能,以及他们之间的协商和支持能力。Source:An Introduction to SPI Communications ProtocolSPI是一种全双工,同步,主从式接口,涉及两个主要角色:
  • 关键字: SPI  

群联3月营收年增73%,创历史单月新高纪录

  • 近日,存储厂商群联公布了2024年3月份营运结果,合并营收为新台币67.75亿元,年成长达73%,刷新历史单月营收新高纪录。全年度营收累计至3月份达新台币165.26亿元,年成长达64%,为历史同期次高。群联表示,2024年3月份SSD控制芯片总累计总出货量年成长达96%,其中PCIe SSD控制芯片总出货量年增率达176%,刷新历史单月新高。此外,全年度累计至3月份之整体NAND闪存位元数总出货量的年成长率(Bit Growth Rate)也达80%,刷新历史同期新高,显示整体市场需求持续缓步回升趋势不
  • 关键字: 群联  SSD固态硬盘  NAND Flash  

3D NAND,1000层竞争加速

  • 据国外媒体Xtech Nikkei报道,日本存储芯片巨头铠侠(Kioxia)首席技术官(CTO)Hidefumi Miyajima近日在东京城市大学的应用物理学会春季会议上宣布,该公司计划到2031年批量生产超过1000层的3D NAND Flash芯片。众所周知,在所有的电子产品中,NAND闪存应用几乎无处不在。而随着云计算、大数据以及AI人工智能的发展,以SSD为代表的大容量存储产品需求高涨,堆叠式闪存因此而受到市场的青睐。自三星2013年设计出垂直堆叠单元技术后,NAND厂商之间的竞争便主要集中在芯
  • 关键字: NAND Flash  存储芯片  铠侠  

第二季NAND Flash合约价季涨13~18%,Enterprise SSD涨幅最高

  • TrendForce集邦咨询表示,除了铠侠(Kioxia)和西部数据(WDC)自今年第一季起提升产能利用率外,其它供应商大致维持低投产策略。尽管第二季NAND Flash采购量较第一季小幅下滑,但整体市场氛围持续受供应商库存降低,以及减产效应影响,预估第二季NAND Flash合约价将强势上涨约13~18%。eMMC方面,中国智能手机品牌为此波eMMC最大需求来源,由于部分供应商已降低供应此类别产品,中国模组厂出货大幅提升。买方为了满足生产需求开始扩大采用模组厂方案,助益中国模组厂技术进一步升级及
  • 关键字: TrendForce  NAND Flash  Enterprise SSD  

西部数据NAND Flash业务拆分最新进展,新任CEO揭晓

  • 月5日,西部数据宣布,在NAND Flash业务拆分后,将保留原名,专注经营核心HDD业务,并表示这一分拆过程有望在2024年下半年完成。与此同时,将为即将分拆的闪存和传统硬盘业务任命CEO。西部数据称,现任西部数据全球运营执行副总裁 Irving Tan 将出任剩下的独立 HDD公司的CEO,继续以西部数据的身份运营。现任CEO David Goeckeler则受命转往NAND Flash部门成立的新公司,出任新公司执行长。图片来源:西部数据西部数据与铠侠合并进展如何?据悉,自2021年以来,西部数据及
  • 关键字: 闪存芯片  NAND Flash  西部数据  

SPI协议,MCP2515裸机驱动详解,收藏吧用得着

  • SPI概述Serial Peripheral interface 通用串行外围设备接口是Motorola首先在其MC68HCXX系列处理器上定义的。SPI接口主要应用在 EEPROM,FLASH,实时时钟,AD转换器,还有数字信号处理器和数字信号解码器之间。SPI,是一种高速的,全双工,同步的通信总线,并且在芯片的管脚上只占用四根线,节约了芯片的管脚,同时为PCB的布局上节省空间。SPI特点采用主-从模式(Master-Slave) 的控制方式SPI 规定了两个 SPI 设备之间通信必须由主设备 (Mas
  • 关键字: SPI  串口协议  MCU  

浅谈因电迁移引发的半导体失效

  • 前言半导体产品老化是一个自然现象,在电子应用中,基于环境、自然等因素,半导体在经过一段时间连续工作之后,其功能会逐渐丧失,这被称为功能失效。半导体功能失效主要包括:腐蚀、载流子注入、电迁移等。其中,电迁移引发的失效机理最为突出。技术型授权代理商Excelpoint世健的工程师Wolfe Yu在此对这一现象进行了分析。 1、 背景从20世纪初期第一个电子管诞生以来,电子产品与人类的联系越来越紧密,特别是进入21世纪以来,随着集成电路的飞速发展,人们对电子产品的需求也变得愈加丰富。随着电子
  • 关键字: 电迁移  半导体失效  世健  Microchip  Flash FPGA  

一季度 NAND Flash合约价预计上涨15%-20%

  • 供应商为了尽量减少损失,正在推高 NAND Flash 价格。
  • 关键字: NAND Flash  

闪存芯片将掀起新一轮涨价潮

  • 2023 下半年,以 DRAM 和 NAND Flash 为代表的存储器报价逐步止跌回升。近期,NOR Flash 也呈现出明显的回暖态势,供应链人士透露,2024 年 1 月,预计 NOR Flash 价格将上涨 5%,并保持上涨态势,到第二季度,涨幅将达到 10%。过去几年,随着整个半导体市场的变化,NOR Flash 的供需和价格也是起起落落。2018 年,NOR Flash 市场需求较为疲软,而供货商的产能却在持续提升,导致当年的价格进入下行周期。经过一年的低迷期后,NOR Flash 价格在 2
  • 关键字: NOR Flash  

NAND Flash和NOR Flash的异同

  • NAND Flash和NOR Flash是两种常见的闪存类型NOR Flash是Intel于1988年首先开发出来的存储技术,改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面;NAND Flash是东芝公司于1989年发布的存储结构,强调降低每比特的成本,更高的性能,并且像磁盘一样可以通过接口轻松升级。NAND=NOT AND(与非门) & NOR=NOT OR(或非门)相同点· 两者都是非易失性存储器,可以在断电后保持存储的数据。· 两者都可以进行擦写和再编程。· 两者在写之前都要先
  • 关键字: NAN  Flash  NOR  存储结构  
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