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富士通推出业界最高密度4 Mbit ReRAM量产产品

  • 富士通电子元器件(上海)有限公司近日宣布,推出业界最高密度4 Mbit ReRAM(可变电阻式存储器)(注1)产品MB85AS4MT。此产品为富士通半导体与松下电器半导体(注2)合作开发的首款ReRAM存储器产品。ReRAM是基于电阻式随机存取的一种非易失性存储器,此产品可将DRAM的读写速度与SSD的非易失性结合于一身,同时具备更低的功耗及更快的读写速度。ReRAM作为存储器前沿技术,未来预期可以替代目前的FlashRAM,并且具有成本更低,性能更突出的优势。ReRAM存储芯片的能耗可达到闪存的1/20
  • 关键字: 合作  ReRAM  半导体  

ReRAM即将跨入3D时代?

  •   莫斯科物理技术学院(MIPT)宣称成功为ReRAM开发出新的制程,可望为其实现适于3D堆叠的薄膜技术…  可变电阻式随机存取存储器(ReRAM)是一种可望取代其他各种储存类型的“通用”存储器,不仅提供了随机存取存储器(RAM)的速度,又兼具快闪存储器(flash)的密度与非挥发性。然而目前,flash由于抢先进入3D时代而较ReRAM更胜一筹。  如今,莫斯科物理技术学院(Moscow Institute of Physics and Technolo
  • 关键字: ReRAM  存储器  

中芯国际为何锁定瞄准ReRAM?

  •   比NAND闪存更快千倍 40纳米ReRAM在中芯国际投产引起业界关注!曾经一度大举退出内存生产的中芯国际,为何锁定瞄准ReRAM?主要原因在于ReRAM应用在物联网(IoT)装置拥有愈长的电池续航力,一来可节省维护成本、二来有助提高物联网基础设施可持续性。   现阶段业界也在寻找可大幅降低物联网装置能源消耗的办法,为此业界发现物联网芯片中内嵌“可变电阻式内存”(ReRAM),有助达成此一节能目标。   据报导,若要达到物联网应用的能源采用要求,需要导入各式节能策略,即使多数
  • 关键字: 中芯国际  ReRAM  

比NAND闪存更快千倍 40nm ReRAM在中芯国际投产

  •   非挥发性电阻式内存(ReRAM)开发商CrossbarInc.利用非导电的银离子-非晶硅(a-Si)为基板材料,并透过电场转换机制,开发出号称比NAND闪存更快千倍速度的ReRAM组件,同时就像先前在2016年所承诺地如期实现量产。   根据Crossbar策略营销与业务发展副总裁SylvainDubois表示,专为嵌入式非挥发性内存(eNVM)应用而打造的CrossbarReRAM提供了更高性能,密度比DRAM更高40倍,耐久度与写入速度更高1,000倍,单芯片尺寸约200mm2左右,即可实现高达
  • 关键字: NAND  ReRAM  

40nm ReRAM芯片正式出样 中芯国际向上走势头劲

  • 中芯未来几年的扩产布局,可谓遍地开花,包括在北京、上海、深圳、宁波以及杭州等地,都有新的12寸晶圆厂投资计划,虽然部分投资案目前仅止于土地取得、尚未装置机台的阶段,但可看出中芯旺盛的企图心。
  • 关键字: 中芯国际  ReRAM  

中芯国际正式出样40nm ReRAM芯片

  •   目前在下一代存储芯片的研发当中,除了3D XPoint芯片外还有ReRAM芯片(非易失性阻变式存储器)。2016年3月,Crossbar公司宣布与中芯国际达成合作,发力中国市场。其中,中芯国际将采用自家的40nm CMOS试产ReRAM芯片。近日,两者合作的结晶终于诞生,中芯国际正式出样40nm工艺的ReRAM芯片。   据介绍,这种芯片比NAND芯片性能更强,密度比DRAM内存高40倍,读取速度快100倍,写入速度快1000倍,耐久度高1000倍,单芯片(200mm2左右)即可实现TB级存储,还具
  • 关键字: 中芯国际  ReRAM  

富士通推出业界最高密度4 Mbit ReRAM量产产品

  •   富士通电子元器件(上海)有限公司今天宣布,推出业界最高密度4 Mbit ReRAM(可变电阻式存储器)(注1)产品MB85AS4MT。此产品为富士通半导体与松下电器半导体(注2)合作开发的首款ReRAM存储器产品。   ReRAM是基于电阻式随机存取的一种非易失性存储器,此产品可将DRAM的读写速度与SSD的非易失性结合于一身,同时具备更低的功耗及更快的读写速度。ReRAM作为存储器前沿技术,未来预期可以替代目前的FlashRAM,并且具有成本更低,性能更突出的优势。ReRAM存储芯片的能耗可达到闪
  • 关键字: 富士通  ReRAM  

ReRAM公布最新成果,性能接近理论数据

  •   可变电阻式ReRAM 作为新的存储技术,从研发到商用总是要历经漫长的艰难坎坷。现在ReRAM芯片的研制已经初见成效,日前索尼和Micron就联手公布了他们的最新研究成果,称他们试制的产品在性能上已经非常接近理论数据。        索尼和Micron联手公布的是一款容量为16Gb(2GB)的ReRAM芯片,据称这款芯片基于27nm CMOS工艺打造,可以用于替换现有的DDR SDRAM芯片,可用于移动设备或者是PC上。   按照公布的信息称,索尼和Micron联手公布的这颗芯片实
  • 关键字: 索尼  Micron  ReRAM  

ReRAM将能代替内存和硬盘

  •   固态硬盘供应商SanDisk正在研发一种新型的系统存储器,未来也许能一举替代内存和硬盘。 ReRAM代表电阻式RAM,将DRAM的读写速度与SSD的非易失性结合于一身。换句话说,关闭电源后存储器仍能记住数据。如果ReRAM有足够大的空间,一台配备ReRAM的PC将不需要载入时间。ReRAM基于忆阻器原理,致力于商业化ReRAM的企业包括惠普、Elpida、索尼、松下、美光、海力士等等。   基础电子学教科书列出三个基本的被动电路元件:电阻器、电容器和电感器;电路的四大基本变量则是电流、电压、电荷和磁
  • 关键字: 惠普  内存  ReRAM  

次世代内存技术研发掀起跨领域结盟热潮

  •   继Hynix(海力士)和HP(惠普)宣布合作开发新世代内存ReRAM技术和材料,Elpida(尔必达)与Sharp(夏普)亦宣布共同研发ReRAM,让次世代内存技术研发掀起跨领域结盟热潮。内存业者预期,未来ReRAM、3D NAND Flash、PRAM(相变化内存)和MRAM(磁性随机存取内存)等次世代内存,将会有一番激烈竞争。   值得注意的是,海力士与惠普日前才宣布要共同开发ReRAM技术,惠普具有新的极小电子组件(Memory resistors;Memristors)技术,采用十字结构,相
  • 关键字: 内存  ReRAM  

异业结盟潮起 次世代内存再掀热战

  •   继海力士(Hynix)和惠普(HP)宣布合作开发新世代内存ReRAM(Resistive Random-Access Memory)技术和材料,尔必达(Elpida)与夏普(Sharp)亦宣布共同研发ReRAM,让次世代内存技术研发掀起跨领域结盟热潮,内存业者预期,未来ReRAM、3D NAND Flash、相变化内存(Phase Change RAM;PRAM)和磁性随机存取内存(Magnetic RAM;MRAM)等次世代内存,将会有一番激烈竞争。  
  • 关键字: 尔必达  ReRAM  次世代内存  

夏普联袂尔必达开发下一代ReRAM闪存芯片

  •   日经新闻报道,夏普正与尔必达联手开发下一代ReRAM可变电阻式闪存芯片,预计在2013年实现量产。   
  • 关键字: 夏普  闪存芯片  ReRAM  

惠普宣布与海力士合作开发新型内存

  •   据国外媒体报道,惠普周二宣布与韩国海力士半导体(Hynix Semiconductor)达成合作协议,共同研发下一代内存技术电阻式内存并将其推向市场。   据一份声明显示,两家公司将合作开发新型材料和技术,实现电阻式内存(ReRAM)技术的商业化。海力士将会采用由惠普实验室研发出的新型元件忆阻器(memristor)。忆阻器相比现有的固态存储技术能耗更低,速度更快,而且能在断电时存储数据。惠普今年春季称表示,忆阻器也能够执行逻辑。   ReRAM技术的初衷是成为低功耗Flash的替代品。ReRAM
  • 关键字: 海力士  内存  ReRAM  
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reram介绍

  日本富士通的川崎实验室透露,他们研发除了一种新型的非挥发ReRAM(电阻式记忆体),能提供更低的功耗.   包含钛镍氧化物结构的ReRAM,在刷写时只需要100mA的电流甚至更少,相比传统ReRAM,研究人员还降低了90%的波动电阻值,这一技术指标在反复高速写入和擦除时会影响产品质量和寿命.   新的技术可以更快地完成存取,5毫秒内存取10000次.   这种ReRAM未来可以替代目前的 [ 查看详细 ]

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