● 全新 Innovator3D IC 套件凭借算力、性能、合规性及数据完整性分析能力，帮助加速设计流程● Calibre 3DStress 可在设计流程的各个阶段对芯片封装交互作用进行早期分析与仿真西门子数字化工业软件日前宣布为其电子设计自动化 (EDA) 产品组合新增两大解决方案，助力半导体设计团队攻克 2.5D/3D 集成电路 (IC) 设计与制造的复杂挑战。西门
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西门子EDA 3D IC
EPC Space 推出了 EPC7030MSH，这是一款 300 V 抗辐射 GaN FET。该解决方案提供高功率电流额定值，为卫星电源和推进应用树立了新的基准。EPC7030MSH随着卫星制造商过渡到更高电压的电源总线和更苛刻的功率密度，EPC Space 最新的 GaN 器件满足了对紧凑、高效和抗辐射功率转换日益增长的需求。EPC7030MSH专为在极端辐射和热条件下运行的前端 DC-DC 转换器和电力推进系统而设计。文档显示，该器件的额定工作电压为 300 V，线性能量传输 （LET） 为 63
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GaN FET 卫星电源
法国电力初创公司 Wise Integration 正计划推出一种带有氮化镓 （GaN） 晶体管的联合封装数字控制器，以简化工业和数据中心 AI 电源系统的设计。与此同时，该公司推出了用于基于 GaN 的图腾柱功率因数校正 （PFC） 的数字控制器。零电压开关 （ZVS） 开关算法在 STMicroelectronics 的 STM32G4 控制器中实现，形成 WiseWare1.1 控制器，支持高达 2MHz 的开关，适用于更小的设计，效率高达 98%。“对于公司来说，将这款数字控制器推向市场是一个重要
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Wise GaN 数字控制器
麻省理工学院和其他地方的研究人员开发了一种新的制造工艺，将高性能 GaN 晶体管集成到标准硅 CMOS 芯片上来自麻省理工学院网站：他们的方法包括在 GaN 芯片表面构建许多微小的晶体管，切出每个单独的晶体管，然后使用低温工艺将所需数量的晶体管键合到硅芯片上，以保持两种材料的功能。由于芯片中只添加了少量的 GaN 材料，因此成本仍然很低，但由此产生的器件可以从紧凑的高速晶体管中获得显著的性能提升。此外，通过将 GaN 电路分离成可以分布在硅芯片上的分立晶体管，新技术能够降低整个系统的温度。研究人员使用这种
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3D芯片 电子设备 GaN
类人机器人集成了许多子系统，包括伺服控制系统、电池管理系统 (BMS)、传感器系统、AI 系统控制等。如果要将这些系统集成到等同人类的体积内，同时保持此复杂系统平稳运行，会很难满足尺寸和散热要求。类人机器人内空间受限最大的子系统是伺服控制系统。为了实现与人类相似的运动范围，通常在整个机器人中部署大约40个伺服电机 (PMSM) 和控制系统。电机分布在机器人身体的不同部位，例如颈部、躯干、手臂、腿、脚趾等。该数字不包括手部的电机。为了模拟人手的自由操作，单只手即可能集成十多个微型电机。这些电机的电源要求取决
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TI GaN FET 类人机器人
本文阐释了在开关模式电源中使用氮化镓(GaN)开关所涉及的独特考量因素和面临的挑战。文中提出了一种以专用GaN驱动器为形式的解决方案，可提供必要的功能，打造稳固可靠的设计。此外，本文还建议将LTspice®作为合适的工具链来使用，以便成功部署GaN开关。
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开关电源 SMPS 氮化镓 GaN ADI
纳芯微发布专为增强型GaN设计的高压半桥驱动芯片NSD2622N，该芯片集成正负压稳压电路，支持自举供电，具备高dv/dt抗扰能力和强驱动能力，可以显著简化GaN驱动电路设计，提升系统可靠性并降低系统成本。应用背景近年来，氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)凭借高开关频率、低开关损耗的显著优势，能够大幅提升电源系统的功率密度，明显优化能效表现，降低整体系统成本，在人工智能(AI)数据中心电源、微型逆变器、车载充电机(OBC)等高压大功率领域得到日益广泛的应用。然而，GaN器件在实际应用中仍面临诸多
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纳芯微 高压半桥驱动 E-mode GaN
新的基于 GaN 的架构将使海量数据的通信和传输变得更加容易。
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GaN
美国马萨诸塞州沃尔瑟姆的 Finwave Semiconductor Inc 宣布了一轮新的 $8.2m 短期投资，由 Fine Structure Ventures、Engine Ventures 和 Safar Partners 领投，技术合作伙伴 GlobalFoundries 战略参与。Finwave 认为，新一轮融资表明投资者和行业领导者对其独特的硅基氮化镓技术的市场潜力充满信心，因为它正在从以技术为中心的创新者转变为产品驱动型公司。这家科技公司由麻省理工学院 （MIT） 的研究人员于 2012
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Finwave 短期投资 GaN FinFET
传统方法的局限性多年来，工程师们一直致力于解决单向开关的基本限制。当需要双向电压阻断时，设计人员必须使用多个分立元件实现背靠背配置，导致系统复杂性增加、尺寸增大和成本上升。这些配置还会引入额外的寄生元件，从而影响开关性能和效率。此外，传统的三端 UDS 设备无法独立控制双向电流流，限制了它们在高级电源转换拓扑中的应用。 图片由 Adobe Stock 提供 随着行业向更高功率密度、更高效率和更低系统成本发展，这些挑战变得越来越重要。传统的使用背靠背分立开关的方法，在
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Gan 电源开关
半导体行业正处于性能、效率和可靠性必须同步发展的阶段。AI 基础设施、电动汽车、电源转换和通信系统的需求正在将材料推向极限。氮化镓 （GaN） 越来越受到关注，因为它可以满足这些需求。该行业已经到了这样一个地步，人们的话题不再是 GaN 是否可行，而是如何可靠、大规模地部署它。二十多年来，我专注于外延生长，见证了 GaN 从一种利基研究驱动型材料转变为电力电子领域的领先竞争者。进展是稳定的，不是一蹴而就的。现在倾向于 GaN 的公司和工程师是为下一代系统定位自己的公司。设备性能从外延开始对于 G
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GaN 可靠性 硅
高效率和高功率密度是为当今产品设计电源时的关键特性。为了实现这些目标，开发人员正在转向氮化镓 （GaN），这是一种可实现高开关频率的宽带隙半导体技术。与竞争对手的功率半导体技术相比，GaN 最大限度地减少了所需无源元件的尺寸，同时降低了栅极驱动和反向恢复损耗。此外，半导体制造商正在将其 GaN 器件封装在高度集成的行业标准封装中，从而缩小印刷电路板 （PCB） 的占地面积要求，同时简化供应链。GaN 应用在 650 V AC-DC 转换领域，变压器外形无铅 （TOLL） 封装是电源设计的有效选择。采用此封
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集成驱动器 高级保护 GaN 电源设计
引言人形机器人集成了许多子系统，包括伺服控制系统、电池管理系统 (BMS)、传感器系统、AI 系统控制等。如果要将这些系统集成到等同人类的体积内，同时保持此复杂系统平稳运行，会很难满足尺寸和散热要求。人形机器人内空间受限最大的子系统是伺服控制系统。为了实现与人类相似的运动范围，通常在整个机器人中部署大约 40 个伺服电机 (PMSM) 和控制系统。电机分布在机器人身体的不同部位，例如颈部、躯干、手臂、腿、脚趾等。该数字不包括手部的电机。为了模拟人手的自由操作，单只手即可能集成十多个微型电机。这些电机的电源
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GaN FET 人形机器人
_____在超宽禁带半导体领域，氧化镓器件凭借其独特性能成为研究热点。我们有幸与香港科技大学电子及计算机工程教授黄文海教授，围绕氧化镓器件的研究现状、应用前景及测试测量挑战展开深入交流。香港科技大学在氧化镓研究领域取得了显著的成果，涵盖了材料生长、器件设计、性能优化和应用开发等多个方面。通过与国际科研机构和企业的合作，港科大团队不仅推动了氧化镓技术的发展，也为相关领域的应用提供了重要的技术支持。黄文海教授的团队主要致力于氧化镓器件全链条的研究。在材料生长方面，聚焦优化晶体生长工艺，通过改进熔体生长技术，成
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香港科技大学 氧化镓器件 GaN
英飞凌科技股份公司近日推出CoolGaN™ G5中压晶体管，它是全球首款集成肖特基二极管的工业用氮化镓（GaN）功率晶体管。该产品系列通过减少不必要的死区损耗提高功率系统的性能，进一步提升整体系统效率。此外，该集成解决方案还简化了功率级设计，降低了用料成本。集成肖特基二极管的CoolGaN™ G5晶体管在硬开关应用中，由于GaN器件的有效体二极管电压（VSD ）较大，基于GaN的拓扑结构可能产生较高的功率损耗。如果控制器的死区时间较长，那么这种情况就会更加严重，导致效率低于目标值。目前功率器件设
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英飞凌 肖特基二极管 工业用 GaN 晶体管
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