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为什么仍然没有商用3D-IC?

  • 摩尔不仅有了一个良好的开端,但接下来的步骤要困难得多。
  • 关键字: 3D-IC  HBM  封装  

带隙对决:GaN和SiC,哪个会占上风?

  • 电力电子应用希望纳入新的半导体材料和工艺。
  • 关键字: GaN  SiC  

SR-ZVS与GaN:让电源开关损耗为零的魔法

  • 当今,快充市场正迎来前所未有的机遇与挑战。风暴仍在继续,快充市场的迅猛发展,用户对于充电器的功率需求也在不断增大;移动设备的普及,用户对于充电器体积的要求也越来越高;同时为了在激烈的市场竞争中脱颖而出,低成本是每个快充产品必须考虑的因素。种种这些都对快充技术的要求愈发严格,不仅需要高效率、高功率,还需要适应多样化的标准和满足用户个性化的需求。在种种挑战之下,PI推出了InnoSwitch5-Pro 离线反激式开关IC,在内部集成750V或900V PowiGaN™初级开关、初级侧控制器、FluxLink™
  • 关键字: PI  SR-ZVS  GaN  氮化镓  

模拟: 对于采用双向自动检测IC TXB0104在电平转换端口传输中组态的分析

  • AbstractTXB0104是应用在AM3352(Sitara MCU/MPU等)和EMMC (嵌入式多媒体存储卡)芯片之间通信的双向自动检测电平转换芯片。当系统的软件资源配置不足,需要电平转换芯片自己识别信号传输方向的时候,需要注意外部硬件设计,不然可能会出现挂载时好时坏的失效情况。问题背景:EMMC与AM3352挂载失败,定位为TXB0104工作异常。实测中发现如图中线路所示:1.只有D0通道无信号,因为将D0数据线由主芯片(AM3352)侧飞线到EMMC,D0开始传输数据信号,eMMC挂载正常
  • 关键字: 自动检测  IC  TXB0104  电平  转换端口  

EPC GaN FET可在数纳秒内驱动激光二极管,实现75~231A脉冲电流

  • 宜普电源转换公司(EPC)推出三款激光驱动器电路板,这些板采用了符合AEC-Q101认证标准、快速转换的GaN FET以实现具备卓越性能的激光雷达系统。EPC推出三款评估板,分别是EPC9179、EPC9181和EPC9180,它采用75 A、125 A、231 A脉冲电流激光驱动器和通过车规级AEC-Q101认证的EPC GaN FET - EPC2252、EPC2204A 和EPC2218A。它比前代氮化镓器件的体积小30%和更具成本效益。这些电路板专为长距离和
  • 关键字: EPC GaN FET  激光二极管  

低功耗 GaN 在常见交流/直流电源拓扑中的优势

  • 消费者希望日常携带的各种电子设备能够配备便携、快速和高效的充电器。随着大多数电子产品转向 USB Type-C® 充电器,越来越多的用户希望可以使用紧凑型电源适配器为所有设备充电。在设计现代消费级 USB Type-C 移动充电器、PC 电源和电视电源时,面临的挑战是如何在缩小解决方案尺寸的同时保持甚至提高功率水平。德州仪器的低功耗氮化镓 (GaN) 器件有助于在各种最流行的拓扑中解决这一问题,同时提供散热、尺寸和集成方面的优势。在过去的几十年里,随着 GaN 等宽带隙技术的发展,交流/直流拓扑
  • 关键字: TI  GaN   电源拓扑  

Allegro MicroSystems推出双极输出Power-Thru IC,扩展隔离栅极驱动器产品组合

  • 美国新罕布什尔州曼彻斯特 -  运动控制和节能系统传感技术和功率半导体解决方案的全球领导厂商Allegro MicroSystems(纳斯达克股票代码:ALGM)(以下简称Allegro)宣布推出高压电源产品组合中的第二款产品。Allegro 的 AHV85111 隔离栅极驱动器 IC 增加了重要的安全功能,同时简化了电动汽车和清洁能源应用(包括 OBC/DC-DC、太阳能逆变器和数据中心电源)中大功率能源转换系统的设计。Allegro 副总裁兼
  • 关键字: Allegro  Power-Thru IC  隔离栅极驱动器  

瑞萨收购Transphorm,利用GaN技术扩展电源产品阵容

  • 2024 年 1 月 11 日 3:00 p.m. JST,日本东京 | 2024 年 1 月 10 日 10:00 p.m. PST 加利福尼亚州戈利塔讯 - 全球半导体解决方案供应商瑞萨电子(以下“瑞萨”,TSE:6723)与全球氮化镓(GaN)功率半导体供应商Transphorm, Inc.(以下“Transphorm”,Nasdaq:TGAN)于今天宣布双方已达成最终协议,根据该协议,瑞萨子公司将以每股5.10美元现金收购Transphorm所有已发行普通股,较Transphorm在2024年1月
  • 关键字: 瑞萨  Transphorm  GaN  

GaN新技术可使散热能力提高2倍以上

  • 近期,大阪公立大学的研究团队成功利用金刚石为衬底,制作出了氮化镓(GaN)晶体管,其散热性能是使用碳化硅(SiC)衬底制造相同形状晶体管的两倍以上,有望应用于5G通信基站、气象雷达、卫星通信、微波加热、等离子体处理等领域,该研究成果已发表在“Small”杂志上。随着半导体技术不断发展,功率密度和散热等问题日益凸显,业界试图通过新一代材料解决上述问题。据悉,金刚石具备极强的导热性能,氮化镓具有宽带隙和高导电性等特性,居于上述特性,以金刚石为衬底的氮化镓晶体管被寄予厚望。在最新研究中,大阪公立大学的科学家们成
  • 关键字: GaN  散热能力  

使用 GaN 器件可以减小外置医用 AC/DC 电源的体积

  • 尽管电池技术和低功耗电路不断取得进步,但对于许多应用来说,完全不依赖纯电池设计可能是不可行、不适用和无法接受的。医疗系统就属于这类应用。相反,设备通常必须直接通过 AC 线路运行,或至少在电池电量不足时连接 AC 插座即可运行。除了满足基本的 AC/DC 电源性能规范外,医用电源产品还必须符合监管要求,即满足电隔离、额定电压、泄漏电流和保护措施 (MOP) 等不那么明显的性能要求。制定这些标准是为了确保用电设备即使在电源或负载出现故障时,也不会给操作员或病人带来危险。与此同时,医疗电源的设计者必须不断提地
  • 关键字: DigiKey  GaN  AC/DC  

基于 GaN 的高效率 1.6kW CrM 图腾柱PFC参考设计 TIDA-00961 FAQ

  • 高频临界模式 (CrM) 图腾柱功率因数校正 (PFC) 是一种使用 GaN 设计高密度功率解决方案的简便方法。TIDA-00961 参考设计使用 TI 的 600V GaN 功率级 LMG3410 和 TI 的 Piccolo™高频临界模式 (CrM) 图腾柱功率因数校正 (PFC) 是一种使用 GaN 设计高密度功率解决方案的简便方法。TIDA-00961 参考设计使用 TI 的 600V GaN 功率级 LMG3410 和 TI 的 Piccolo™ F280049 控制器。功率级尺寸 65 x 4
  • 关键字: TI  GaN  图腾柱  PFC  TIDA-00961  FAQ  

宜普电源转换公司将在CES 2024展示基于氮化镓技术的消费电子应用场景

  • PC公司的氮化镓专家将在国际消费电子展(CES)上分享氮化镓技术如何增强消费电子产品的功能和性能 增强型氮化镓(eGaN®)FET和IC领域的全球领导者宜普电源转换公司(EPC)将在CES 2024展会展示其卓越的氮化镓技术如何为消费电子产品在功能和性能方面做出贡献 ,包括实现更高效率、更小尺寸和更低成本的解决方案。CES展会期间,EPC的技术专家将于1月9日至12日在套房与客户会面、进行技术交流、讨论氮化镓技术及其应用场景的最新发展。氮化镓技术正在改变大批量消费应用的关键领域包括:推动人工智能
  • 关键字: 宜普电源  CES 2024  氮化镓  GaN  

Nexperia针对工业和可再生能源应用推出采用紧凑型SMD封装CCPAK的GaN FET

  • 基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布推出新款GaN FET器件,该器件采用新一代高压GaN HEMT技术和专有铜夹片CCPAK表面贴装封装,为工业和可再生能源应用的设计人员提供更多选择。经过二十多年的辛勤耕耘,Nexperia在提供大规模、高质量的铜夹片SMD封装方面积累了丰富的专业知识,如今成功将这一突破性的封装方案CCPAK应用于级联氮化镓场效应管(GaN FET),Nexperia对此感到非常自豪。GAN039-650NTB是一款33 mΩ(典型值)的氮化镓场效应管,采用CCP
  • 关键字: Nexperia  SMD  CCPAK  GaN  FET  

Microchip发布最新款TrustAnchor安全IC,充分满足更高的汽车安全认证要求

  • 2023年11月16日消息,随着汽车的互联性不断提高、技术日益先进,对加强安全措施的需求也随之增加。各国政府和汽车OEM最新的网络安全规范开始包含更大的密钥尺寸和爱德华曲线ed25519算法标准(Edwards Curve ed25519)。为此,Microchip Technology Inc.(微芯科技公司)近日推出最新的信任锚点安全IC(Trust Anchor Security IC) TA101,可满足复杂的汽车和嵌入式安全用例。TA101 支持高达 ECC P521、SHA512、R
  • 关键字: Microchip  TrustAnchor  IC  汽车安全认证  

“四两拨千斤”,宽禁带技术如何颠覆性创新

  • 在半导体行业,新的材料技术有“四两拨千斤”的魔力,轻轻松松带来颠覆性变革。具有先天性能优势的宽禁带半导体材料脱颖而出。在整个能源转换链中,宽禁带半导体的节能潜力可为实现长期的全球节能目标作出贡献。宽禁带技术将推动电力电子器件提高效率、提高密度、缩小尺寸、减轻重量、降低总成本,因此将在数据中心、智能楼宇、个人电子设备等应用场景中为能效提升作出贡献。宽禁带材料让应用性能炸裂,怎么做到的?宽禁带材料的优势主要体现在:✦ 与传统的硅基半导体材料相比,宽禁带产品具有更宽更高的禁带宽度、电场强度,更高的击穿
  • 关键字: GaN  宽禁带  SiC  
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