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650v 文章

Nexperia(安世半导体)宣布推出新一代 650V 氮化镓 (GaN) 技术

  • 半导体基础元器件生产领域的高产能生产专家Nexperia宣布推出一系列采用新一代H2技术的全新高压氮化镓场效应管。新器件包含两种封装,TO-247 和Nexperia专有的CCPAK。两者均实现了更出色的开关和导通性能,并具有更好的稳定性。由于采用了级联结构并优化了器件相关参数,Nexperia的氮化镓场效应管无需复杂的驱动和控制,应用设计大为简化;使用标准的硅MOSFET 驱动器也可以很容易地驱动它们。 新的氮化镓技术采用了贯穿外延层的过孔,减少了缺陷并且芯片尺寸可缩小约24%。TO-247
  • 关键字: Nexperia  650V   氮化镓  GaN  

科锐推出新型650V MOSFET,提供业界领先效率,助力新一代电动汽车、数据中心、太阳能应用创新

  • 作为碳化硅技术全球领先企业的科锐公司,于近日宣布推出Wolfspeed 650V碳化硅MOSFET产品组合,适用于更广阔的工业应用,助力新一代电动汽车车载充电、数据中心和其它可再生能源系统应用,提供业界领先的功率效率。
  • 关键字: 科锐  650V MOSFET  电动汽车  
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650v介绍

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