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静态随机存储器(sram) 文章

车用存储器市场分析

  • 在“2017慕尼黑上海电子展”前夕的“汽车技术日”上,ISSI技术市场经理田步严介绍了车用存储器市场,包括:信息娱乐、ADAS、仪表总成、connectivity telematics四大类。
  • 关键字: 汽车  SRAM  DRAM  SDRAM  e.MMC  201704   

使用QDR-IV设计高性能网络系统——第三部分

  •   在本系列第二部分,我们探讨了总线转换、总线翻转、地址奇偶校验等重要的总线问题。在第三也是最后一部分,我们将探讨校正问题,其中包括矫正训练、控制/地址信号校正和读写校正,以及纠错码(ECC)和QDR-IV存储器控制器的设计建议。  校正训练序列  存储器控制器和QDR IV较高的工作频率意味着数据有效窗口很窄。QDR-IV器件支持“校正训练序列”,它可通过减少字节通道之间的偏差扩大这个窗口,从而在控制器读取存储器的数据时,增加时序余量。校正训练序列是赛普拉斯的QDR-IV SRAM的
  • 关键字: QDR-IV  SRAM  

使用QDR-IV设计高性能网络系统——第二部分

  •   总线转换的注意事项  总线转换时间非常重要,其决定了读和写指令间是否需要额外的间隔来避免在同一个I/O 端口上发生总线冲突。  想象下QDR-IV HP SRAM 中端口A 先后收到写指令和读指令。从CK 信号的上升沿(与初始化写指令周期相对应)算起,在整整三个时钟周期后向DQA 引脚提供写数据。读数据则将在下一个周期发送,因为 DQ从CK 信号的上升沿(与初始化读指令的周期相应)算起五个时钟周期后才能获得数据。
  • 关键字: QDR-IV  SRAM  

使用QDR-IV设计高性能网络系统——第一部分

  •   流媒体视频、云服务和移动数据推动了全球网络流量的持续增长。为了支持这种增长,网络系统必须提供更快的线路速率和每秒处理数百万个数据包的性能。在网络系统中,数据包的到达顺序是随机的,且每个数据包的处理需要好几个存储动作。数据包流量需要每秒钟访问数亿万次存储器,才能在转发表中找到路径或完成数据统计。  数据包速率与随机存储器访问速率成正比。如今的网络设备需要具有很高的随机访问速率(RTR)性能和高带宽才能跟上如今高速增长的网络流量。其中,RTR是衡量存储器可以执行的完全随机存储(读或写)的次数,即随机存储速
  • 关键字: QDR-IV  SRAM  

基于QDR-IV SRAM实现高性能网络系统设计

  •   在过去40年里,随着制造工艺的进步,各种专用存储设备不断推向市场,满足着不同系统的存储需求。众多的选择,意味着系统架构师和设计者可以同时考虑多种方案,根据应用选择合适的存储子系统。尤其是在网络应用方面,架构师面临着不断增加的网络流量所带来的挑战。  据估计,2015年到2020年期间,网络流量的年均复合增长率(CAGR)将达到22%,这一增长主要来自于无线设备的爆炸式增长以及不断增加的视频用量。由于数据包处理的随机性,网络传输的关键—路由器和交换机的性能将和所使用的存储子系统的随机存取性能(以随机存取
  • 关键字: MAC  SRAM  

STM32硬件调试详解

  •   STM32的基本系统主要涉及下面几个部分:  一、电源  1)、无论是否使用模拟部分和AD部分,MCU外围出去VCC和GND,VDDA、VSSA、Vref(如果封装有该引脚)都必需要连接,不可悬空;  2)、对于每组对应的VDD和GND都应至少放置一个104的陶瓷电容用于滤波,并接该电容应放置尽量靠近MCU; 3)、用万用表测试供电电压是否正确。调试时最好用数字电源供电,以便过压或过流烧坏板子。电压最好一步一步从进线端测试到芯片供电端。  二、复位、启动选择  1)、Boot引脚与JTAG无
  • 关键字: STM32  SRAM   

基于DBL结构的嵌入式64kb SRAM的低功耗设计

  • 针对嵌入式系统的低功耗要求,采用位线分割结构和存储阵列分块译码结构,完成了64 kb低功耗SRAM模块的设计。
  • 关键字: SRAM  DBL  64  kb    

SDR SDRAM(理论篇)

  • 由于SDRAM本身就是一个比较复杂的东西,之前小墨在学这方面东西的时候感觉很是吃力,于是那时候便暂时放下了,知道年后这段时间,小墨又重新拾起这个知识点,想要一口气把它调通了,再往下看其他的东西。学SDRAM,理
  • 关键字: fpga    sram  

赛普拉斯的异步SRAM产品系列又添新丁

  • 具有片上错误校正代码的低功耗MoBL器件横空出世。与没有ECC功能的SRAM相比,16 Mb SRAM的数据可靠性提高了几千倍,同时可延长手持式设备的电池工作时
  • 关键字: 赛普拉斯  SRAM  MoBL   

从Flash和SRAM中触发中断的过程示例

  • 使用LPC2106的Timer 1 进行的简单的中断处理。示例代码中Timer1分为FIQ和IRQ,用户可以从Flash或者SRAM中运行这些代码。示例展示了ARM构架中中断是如何操作
  • 关键字: Flash  SRAM  触发中断  

SRAM简介及与DRAM/SDRAM的比较

  • RAMRAM是指通过指令可以随机的、个别的对各个存储单元进行访问的存储器,一般访问时间基本固定,而与存储单元地址无关。RAM的速度比较快,但其保
  • 关键字: SRAM  DRAM  SDRAM  比较  

SRAM在新一代IoT和可穿戴嵌入式设计中的作用

  • 上世纪90年代中期,英特尔决定把SRAM整合到自己的处理器中,这给世界各地的独立式SRAM供应商带来“灭顶之灾”。最大的SRAM市场(PC 高速缓存)一
  • 关键字: 可穿戴设备  物联网  SRAM  

替代闪存的存储新技术有哪些?

  • 不同存储器都有其各自的优势和缺点,由消费类产品驱动的存储器市场在呼唤性能更优存储器技术,当然也要价格便宜。
  • 关键字: MRAM  SRAM  

使用高速SRAM设计电池支持型存储器

  •   嵌入式系统的性能取决于其软硬件能力。一个编写合理的软件可以利用硬件的所有能力发挥后者的最大性能。与此类似,无论软件设计多么合理,低效的硬件都可能影响系统性能。  数十年来,传统嵌入式系统的结构一直没有改变。图1显示了一个典型嵌入式系统的框图。一个微控制器和一个微处理器位于系统的核心。按照具体应用,系统设计人员可根据需要删减接口和外设。如果控制器的内置存储器不足,就需要使用闪存、SRAM、DRAM等外置存储器。通常而言,闪存用于存储控制器执行的代码,而SRAM用于存储运行时临时变量和保存重要的应用数据块
  • 关键字: SRAM  存储器  

Zeno开发特殊SRAM 可提升MOS结构效能

  •   Zeno Semiconductor日前开发出将最小静态随机存取存储器(SRAM)纳入单一MOS电晶体技术,不仅其采用记忆单元(bit-cell)数量变多,存取时间也可大幅缩短4成。  据EE Times网站报导,Zeno在国际电子零组件会议(International Electron Devices Meeting)上展示这项新技术。Zeno执行董事长Zvi Or-Bach表示,该技术之所以让N型MOS电晶体做为稳定SRAM,主要是透过采
  • 关键字: Zeno  SRAM   
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静态随机存储器(sram)介绍

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