三菱电机起初根据客户的要求设计定制化的汽车级模块，并且从1997年起就将汽车级IGBT模块成功地应用于电动汽车中。随后推出了非定制型的J-系列汽车级功率模块T-PM和IPM;目前针对全球推出了新一代汽车级功率模块J1-系列EV PM。
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三菱 电机 IGBT
东芝公司旗下存储与电子元器件解决方案公司今日宣布推出采用低高度SO8L封装的新型栅极驱动光电耦合器“TLP5832”。该产品提供2.5A峰值输出电流，可直接驱动中级IGBT。出货即日启动。 新IC采用SO8L封装，封装高度比东芝采用SDIP6和DIP8(LF1选项)封装的现有产品降低约54%，可为封装高度有限的电路板安装提供支持，同时有助于实现芯片组小型化。尽管尺寸小，但是该IC可保证爬电距离和至少8mm的电气间隙，使其适合需要高隔离性能的应用。 此外，该新型栅极驱动光电耦合器可在–40至+110
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东芝 IGBT
当IGBT在开关时普遍会遇到的一个问题即寄生米勒电容开通期间的米勒平台。米勒效应在单电源门极驱动的应用中影响是很明显的。基于门极G与集电极C之间的耦合，在IGBT关断期间会产生一个很高的瞬态dv/dt，这样会引发门极VGE间电压升高而导通，这是一个潜在的风险(如图1)。
图1：下管IGBT因为寄生米勒电容而引起导通 寄生米勒电容引起的导通 在半桥拓扑中，当上管IGBT(S1)正在导通， 产生变化的电压dV/dt加在下管IGBT(S1)C-E间。电流流经S
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米勒电容 IGBT
英飞凌科技股份公司进一步壮大1200 V单管IGBT产品组合阵容，推出最高电流达75 A的新产品系列。TO-247PLUS封装同时还集成全额定电流反并联二极管。全新TO-247PLUS 3脚和4脚封装可满足对更高功率密度和更高效率不断增长的需求。需要高功率密度1200VIGBT的典型应用包括变频器、光伏逆变器和不间断电源(UPS)。其他应用包括电池充电和储能系统。 相比常规TO-247-3封装而言，全新TO-247PLUS封装可实现双倍额定电流。由于去除了标准TO-24
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英飞凌 IGBT
英飞凌科技股份公司推出全新封装技术TRENCHSTOP™ Advanced Isolation。TRENCHSTOP™ Advanced Isolation可用于TRENCHSTOP和TRENCHSTOP Highspeed 3 IGBT，确保一流的散热性能并简化制造流程。两个版本均经过性能优化，可取代全塑封封装(FullPAK)及标准和高性能绝缘箔。该新封装适用于诸多应用，如空调功率因数校正(PFC)、不间断电源(UPS)和变频器
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英飞凌 IGBT
2017年开年以来有这样一些事件进入我们的视线:①2月,IGBT等电力电子功率器件被列入《战略性新兴产业重点产品和服务指导目录》。②3月14日,捷捷微电上市,主营晶闸管等功率半导体器件的研发生产和销售。③5月,国家科技重大专项(02专项)实施管理办公室验收中环股份“区熔硅单晶片产业化技术与国产设备研制”项目。④5月17日,国电南瑞公布非公开发行预案,募集配套中16.4亿元用于IGBT模块产业化项目。
一直以来,IGBT技术被国外半导体厂商垄断,截至2015年我国IGBT市
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IGBT 新能源汽车
本文介绍了风电变流器核心组成部分的单体变流器在机柜结构设计中空间狭小、工作环境恶劣等特点，本文进行了结构设计分析。主要内容包括：单体变流器的组成布局、功率器件维护、结构受力，以及可维护性等。
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风电变流器 IGBT 退火处理
IGBT驱动电路的作用： IGBT驱动电路的作用主要是将单片机脉冲输出的功率进行放大，以达到驱动IGBT功率器件的目的。在保证IGBT器件可靠、稳定、安全工作的前提，驱动电路起到至关重要的作用。 IGBT的工作特性： IGBT的等效电路及符合如图1所示,IGBT由栅极正负电压来控制。当加上正栅极电压时,管子导通;当加上负栅极电压时,管子关断。
IGBT具有和双极型电力晶体管类似的伏安特性,随着控制电压UGE的增加,特性曲线上移。开关电源中的IGBT通过UGE电平
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IGBT 功率器件
本文设计一种驱动供电电源，并通过实际测试证明其可用性。常见的驱动电源采用反激电路和单原边多副边的变压器进行设计。
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IGBT 逆变器 汽车
本文重点研究了基于IGBT模块的电能质量类治理设备的能耗状况及节能路径。首先，对典型拓扑结构的SVG、APF、MEC在额定输出工况下的损耗特性进行了分析，确定了主要耗能部分;随后，分析了 IGBT模块能耗机理及降耗可行性路径;最后，总结出现阶段国内基于IGBT模块的电能质量类治理设备降低自身工作能耗的重点改进方向。
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电能质量 能耗 节能 IGBT APF SVG 201706
中高压逆变器应用领域IGBT和MOSFET驱动器技术的领导者今天推出SCALE-iDriver™系列电磁隔离的单通道门极驱动IC的扩展产品。新器件支持耐压为1700 V以内的IGBT，通常适用于400 VAC至690 VAC的应用。它们也适用于最新的三电平拓扑光伏逆变器，以及采用1500 V新直流母线标准的光伏阵列。扩展后的1700 V SCALE-iDriver产品系列允许OEM厂商在各类解决方案中使用相同的高度集成、安全可靠的驱动器方案。
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Power Integrations IGBT
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上
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IGBT
半导体分立器件IGBT(绝缘栅双极型晶体管芯片)潜在市场巨大，在工业控制、汽车电子、新能源、智能电网应用市场广阔，而中国IC制造芯片厂也正积极寻求突破口，以成熟的工艺制程落地在地生产，提升国产IGBT芯片模块的自给率。
IGBT应用领域广泛，堪称现代功率变流装置的“心脏”和高端产业的“核芯”。从传统的电力、机械、矿冶，到轨道交通、航空航天、新能源装备以及特种装备等战略性新兴产业，都有它的身影。
不过当前全球IGBT市场，仍被日、欧、美等IDM
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IGBT 芯片
为了应对补贴下降带来的影响，市场对光伏组件和光伏逆变器的成本降低的需求将加强。目前来看，1500V等更高电压的光伏组件将在成本降低方面将会很大程度上弥补支付补贴的下降。因此，随着市场的期待，诸如1500V等更高电压的光伏组件将会加快进入到市场的步伐。另外，光伏发电的效率和可靠性等要求也将相应提高，以提高光伏电站的产出，并降低光伏电站和光伏逆变器的维护成本。因此，新技术在光伏电站和光伏逆变器中的应用需求将不断加强，并且将促进光伏发电行业的良性竞争和健康发展。
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三菱电机 光伏逆变器 IGBT
英飞凌科技股份公司进一步壮大其62 mm 封装IGBT模块阵容。新推出的功率模块可满足提高功率密度而不增加封装尺寸这一与日俱增的需求，这应归功于将更大面积的芯片和经改良的DCB衬底应用于成熟的62 mm封装而得以实现。1200 V阻断电压模块的典型应用包括：变频器、太阳能逆变器和不间断电源(UPS)，1700 V阻断电压模块则适用于中压变频器。 1200 V阻断电压的62 mm模块的额定电流最高达到600A，1700 V
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英飞凌 IGBT
绝缘栅双极管(igbt)介绍
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