- Alpha and Omega Semiconductor (AOS)为集设计、开发与销售为一体的功率半导体供应商,AOS提供广泛的功率半导体产品线，包括完整的功率MOSFET和电源管理IC(Power IC)产品系列。其在器件物理，工艺技术，电路设计及封装设计上拥有丰富的经验。通过将这些经验整合用于产品性能以及成本控制的优化，AOS在竞争中显示出自身的特色。AOS的产品线设计的目标是满足日益增长的高产量，高效能产品的应用需求，包括手提电脑、平板电视、
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e星球 IGBT
- 1月14日-15日，2017中国电动汽车百人会论坛在钓鱼台国宾馆举行，腾讯汽车作为战略合作媒体将进行全程直播。会上，英飞凌科技(中国)有限公司大中华区副总裁徐辉进行了主题演讲。
以下为发言实录：
大家早上好!首先非常开心今天能再次来到百人会的论坛，能分享英飞凌对整个行业发展的看法和观点。
今天在吴主任的领导下，演讲嘉宾分工比较明确，今天我想谈一谈半导体如何支持整个汽车行业创新。正好中车的丁总也把功率半导体IGBT这方面讲了，我更多从我们的角度出发，功能安全和信息安全正好分开了，不用重
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英飞凌 IGBT
- 我的汇报分三个部分。
首先简单介绍汽车功率半导体器件的发展趋势。
功率半导体器件最早都是由晶闸管后来变成GTO到MOSFET，到现在用得比较多的IGBT器件。IGBT器件跟传统的器件相比，主要是驱动比较简单，同时损耗比较小，比较适合用于牵引传动包括电机控制器等。IGBT器件包括原来讲的功率半导体器件，都被誉为传统系统，在高铁里一样，把它称之为“心脏”。它主要起到能量传输和能量的点的转换，是电机控制系统的CPU。
目前电动汽车器件大概占到控制器总成本的30%左右
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IGBT 功率半导体
- 受益于新能源电动汽车、智能电网、轨道交通的快速发展，未来IGBT市场将迎来爆发。
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IGBT
- 传统工业如何乘着工业4.0的东风，加快智能制造装备发展、加快构建工业互联网基础、加强关键共性技术创新也成为现今的热点问题，这次世强举办研讨会，旨在帮助工程师了解工业4.0的相关器件产品、前沿技术方案，从而更好的解决其在创新时的问题。
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工业4.0 IGBT
- 0引言无刷直流电机(以下简称BLDCM)用电子换相器取代机械换向器，根除了电刷和换向器接触磨损所导致的寿命周期短、电气绝缘低、火花干扰强
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BLDC 无刷直流电机 IGBT 旋转变压
- IGBT芯片的研发成功意味着，按中国标准制造的高铁上，将安装具有我国完全自主知识产权的‘中国芯’。
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IGBT 芯片
- 根据湖南省经济和信息化委员会发布的消息，近日，中车株洲电力机车研究所有限公司(中车株洲所)自主研发的8英寸IGBT产品，成功中标印度机车市场，将用于该国电力货运重载机车改造升级项目，这是该产品首次出口海外。
绝缘双极性晶体管(IGBT)是目前技术最先进的电力电子器件，广泛应用于家用电器、新能源装备、轨道交通、直流输电、自动化和智能控制领域，被称为电力电子行业里的“CPU”。该技术一直由英飞凌、ABB、三菱等国外公司垄断。中车株洲所在引进吸收的基础上，建成世界第二条8英寸I
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IGBT
- JS为软启动控制,避免上电时浪涌电流对整流模块的冲击。IGBT变频电源电路:
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IGBT 变频电源
- V1—V4组成桥式逆变器，两端并联RCD吸收支路，L为限流电感，Co为储能电容，Lo用于限制Co对负载氙灯的放电电流，保护氙灯。此处将限流电感L放在变压器原边。这除了能实现功率管的零电压开通外，例如在V1，V4关断后，由于L的续流作用，D2...
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全桥型 IGBT 脉冲激光 电源电路
- IGBT实在BDMOS型功率场效应管的基础上发展起来的。在VDMOS结构的漏极侧N+层下，增加一个P+层发射极而行程pn，如图1-31所示，就构成IGBT。
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IGBT 基本结构
- IGBT的静态特性包括伏安特性、转移特性和静态开关特性。IGBT的伏安特性如图1-33所示，与GTR的伏安特性基本相似，不同的是，控制参数是栅源电压，而不是基极电流。...
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IGBT 静态特性
- IGBT的保护措施，主要包括过压保护和过流保护两类。使用中，对于IGBT因关断而产生的开关浪涌电压，可以采用适当的缓冲回路抑制它，使器件免于损坏。...
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IGBT 电路图
- 逆变器中的开关元件选用VMOS或IGBT时，组成的充电电路，比用晶闸管作开关元件的充电电路的工作频率高。
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VMOS IGBT 逆变充电 电路图
- IGBT芯片技术含量极高，制造难度非常大，其研发、制造、应用是衡量一个国家科技创新和高端制造业水平的重要标志。
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IGBT
绝缘栅双极管(igbt)介绍
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