- 电源工程师最怕什么?炸机!用着用着就坏了，莫名其妙MOS管就炸了，真是又怕又恨，可到底是哪里出问题了呢?这一切都和SOA相关。 我们知道开关电源中MOSFET、 IGBT是最核心也是最容易烧坏的器件。开关器件长期工作于高电压大电流状态，承受着很大的功耗，一但过压或过流就会导致功耗大增，晶圆结温急剧上升，如果散热不及时，就会导致器件损坏，甚至可能会伴随爆炸，非常危险。这里就衍生一个概念，安全工作区。 一、什么是安全工作区? 安全工作区：SOA(Safe operating&nb
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MOSFET IGBT
- 功率循环测试助力车用IGBT性能提升-汽车功率电子组件（例如IGBT）的设计必须能负荷数千小时的工作时间和上百万次的功率循环，同时得承受高达 200℃的温度。因此产品的可靠性特别关键，而同时故障成本也会是一个很大的问题。随着工业电子系统对能量需求的增加，汽车功率电子设备和组件的供货商所面临的最大挑战就是提供汽车OEM业者所需更高可靠度的系统。
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IGBT 功率循环测试 汽车电子
- 工业电机驱动IGBT过流和短路保护的问题及处理方法-工业电机驱动的整个市场趋势是对更高效率以及可靠性和稳定性的要求不断提高。有关增加绝缘栅极双极性晶体管（IGBT）导通损耗的一些权衡取舍是：更高的 短路电流电平、更小的芯片尺寸，以及更低的热容量和短路耐受时间。这凸显了栅极驱动器电路以及过流检测 和保护功能的重要性。以下内容讨论了现代工业电机驱动中成功可靠地实现短路保护的问题。
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工业电机 驱动器 IGBT 短路保护
- 关于变频器控制电机有漏电问题的解决方案- 有的现场使用变频器控制电机，会出现漏电问题，漏电电压有几十伏到二百伏电压不等。针对这个问题，在这里特对此故障产生的原因进行理论的分析和说明如下。
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变频器 IGBT 滤波器
- IGBT式感应加热电源常见缺陷简要分析-目前国内大部分生产厂商已经采用IGBT结构的感应加热电源，这种结构的加热电源能够维持长时间高效工作，且安全性比较高，因此比较受到生产商和消费群体的欢迎。
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IGBT 电源管理 变压器
- 三种IGBT驱动电路和保护方法详解-本文着重介绍三个IGBT驱动电路。驱动电路的作用是将单片机输出的脉冲进行功率放大，以驱动IGBT，保证IGBT的可靠工作，驱动电路起着至关重要的作用，以及对IGBT驱动电路的基本要求。
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IGBT 驱动电路 2SD315
- 几种IGBT驱动电路的保护电路原理图-本文为您介绍几种常见的IGBT驱动电路原理及其保护电路，EXB841/840、M57959L/M57962L厚膜驱动电路、2SD315A集成驱动模块，并附上电路原理图。
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igbt 驱动电路 电路图
- IGBT的结构与各种保护设计方法详解-GTR和MOSFET复合，结合二者的优点，具有好的特性。80年代中期问世以来，逐步取代了GTR和一部分MOSFET的市场，中小功率电力电子设备的主导器件。
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igbt
- IGBT的工作原理和作用以及IGBT管的检测方法- IGBT就是一个开关，非通即断，如何控制他的通还是断，就是靠的是栅源极的电压，当栅源极加+12V（大于6V，一般取12V到15V）时IGBT导通，栅源极不加电压或者是加负压时，IGBT关断，加负压就是为了可靠关断。
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igbt
- IGBT在逆变电路中的测试与仿真，IGBT逆变器缓冲定律-在设计缓冲电路时，应考虑到缓冲二极管内部和缓冲电容引线的寄生电感。利用小二级管和小电容并联比用单只二极管和单只电容的等效寄生电感小，并尽量采用低感或无感电容。另外，缓冲电路的设计应尽可能近地联接在lGBT模块上。以上措施有助于减小缓冲电路的寄生电感。
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igbt 电容 电阻
- 双电压整流电路设计，IGBT模块适用于整流电路吗？-不用两个整流桥。用一个即可，把2个18伏交流接到整流桥的交流输入端，把变压器抽头0伏接地线（线路板的地线），整流桥直流输出+ -端接电容器滤波，电容器2个串联之后正极接整流桥正极+，电容器负极接整流桥负极-，2个串联的电容器中间引出一根线接地线，也就是双18伏交流的抽头。这样就可以在直流输出端得到正负20伏的双电源了。
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整流电路 晶闸管 igbt
- 什么是IGBT？如何使用此模块实现“双面水冷”，IGNT未来的发展趋势又是如何？-IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。
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igbt 散热器 新能源汽车
- 电动汽车逆变器用IGBT驱动电源设计及可用性测试-电动汽车逆变器用于控制汽车主电机为汽车运行提供动力，IGBT功率模块是电动汽车逆变器的核心功率器件，其驱动电路是发挥IGBT性能的关键电路。
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igbt 电动汽车 逆变器
- “新型功率半导体器件及应用创新中心的成立，将推动形成‘技术创新—转化—规模化应用—投资再创新’的闭环，推动创新成果在先进轨道交通、智能电网、消费电子、电动汽车等重要领域的产业化应用。”日前，在湖南株洲召开的“湖南省IGBT产业对接会”上，中国工程院院士、中国IGBT技术创新与产业联盟理事长丁荣军说。
新型功率半导体是关系国民经济命脉的共性关键技术，涉及先进轨道交通装备、节能与新能源汽车、电
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IGBT 功率半导体
- 一个国家老工业城市如何在新时期取得成功?
美国硅谷的经验值得我们借鉴。第三次科技革命以来，硅谷不断创造和孕育出世界上最伟大的公司，并不断汇聚世界各地的人才、技术和资本，历经岁月变迁而始终屹立于世界科技浪潮的前沿。硅谷的创新覆盖了很多领域(互联网、通信、生物制药、电动汽车等)，以至于很难讲它的支柱产业是什么。
硅谷的成功源于它唯一且持之以恒的核心竞争力——创新。
如今，中国内陆的老工业基地株洲，也开始了基于创新的城市全方位转型升级。这座素有“动力之都
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中国芯 IGBT
绝缘栅双极管(igbt)介绍
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