电动汽车逆变器用于控制汽车主电机为汽车运行提供动力，IGBT功率模块是电动汽车逆变器的核心功率器件，其驱动电路是发挥IGBT性能的关键电路。驱动电路
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逆变器 IGBT 驱动电源 可用性测试
电动汽车逆变器用于控制汽车主电机为汽车运行提供动力，IGBT功率模块是电动汽车逆变器的核心功率器件，其驱动电路是发挥IGBT性能的关键电路。驱动电路
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IGBT 逆变器 电动汽车
近年来，IGBT被广泛关注，随着技术的发展，其应用前景被广泛看好，作为国家战略性新兴产业IGBT，在很多领域应用广泛。
什么是IGBT?
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压
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IGBT
IGBT基础与运用 IGBT， 中文名字为绝缘栅双极型晶体管，它是由MOSFET(输入级)和PNP晶体管(输出级)复合而成的一种器件，既有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快 的特点(控制和响应)，又有双极型器件饱和压降低而容量大的特点(功率级较为耐用)，频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间，可正常工作于几十kHz 频率范围内。 理想等效电路与实际等效电路如图所示： IGBT 的静态特性一般用不到，暂时不用考虑，重点考虑动态特性(开关特性)。 动态特性的简易过程可从下面的表格和图形中获取
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IGBT，MOSFET
随着功率半导体的不断发展和技术进步，功率器件下游产业的稳步扩张，未来在政策资金支持以及国内新能源汽车的蓬勃发展下，国内功率半导体产业将迎来黄金发展期。 6月26日，PCIM 亚洲 2018展会在上海世博展览馆隆重举行。作为全球500强企业，同时也是现代功率半导体器件的开拓者，大中国区三菱电机半导体携多款功率器件产品及相关解决方案亮相，同时发布了更高集成度、更小体积、更能降低生产成本，并拥有全面保护功能的表面贴装型IPM，以及助力新能源发电应用新封装大功率IGBT模块两款最新产品。 (图一：2018
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三菱电机 IGBT
《“十三五”国家战略性新兴产业发展规划》明确表示国家将大力发展新能源汽车，而IGBT、碳化硅器件等作为新能源汽车的核心器件，国产化替代需求巨大。6月22日，“2018国际新能源汽车功率半导体关键技术论坛”在北京举行，旨在把行业最优的核心器件推广至新能源汽车应用。作为全球第一家提供沟槽型场截止型(Trench FS, Field Stop)IGBT量产技术的8英寸代工厂，华虹宏力在IGBT代工领域有口皆碑，始终以深厚的技术底蕴和卓越的性能品质深受客户认可，会上被授予“新能源汽车功率半导体十佳企业”。
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华虹宏力 IGBT
英飞凌科技(中国)有限公司(以下简称英飞凌)将于6月26 - 28日参加在上海世博展览馆举办的 PCIM Asia上海国际电力元件、可再生能源管理展览会。英飞凌将在2号馆的F 01展台，展示涵盖整个电能供应链的领先产品和全套系统及应用解决方案。此外，英飞凌的技术专家还将就产品和应用发表多篇论文，并在同期的国际研讨会上进行交流。 从前沿的硅基 MOSFET 和 IGBT 到数字化功率创新，以及最新的碳化硅和氮化镓技术，英飞凌芯片对于提高发电、输电和用电效率起着至关重要的作用。此次，英飞凌将围绕“赋能世
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英飞凌 IGBT
英飞凌科技Bipolar GmbH & Co. KG推出专为现代IGBT应用而设计的新型二极管系列：英飞凌Prime Soft。该二极管具备改进的关断能力，关断速度可达5 kA/µs。Prime Soft以广受好评的基于单硅芯片设计的IGCT续流二极管系列为基础。该二极管的典型应用为使用电压源变换器的HVDC/FACT和中压驱动设备，这些应用的特点是对功率损耗的要求很高。 采用新型Prime Soft二极管的客户将受益于行业领先的低导通损耗。这是通过单硅芯片设计实现的，与多芯片二极管相比，其
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英飞凌，IGBT
自上世纪八十年代后期推出IGBT模块后，三菱电机至今已成功将第七代IGBT模块推向市场。在持续性和创造性的研发下，三菱电机在变频家电、工业新能源、电动汽车、轨道牵引四大领域不断深耕，致力于提供低损耗、高性能和高可靠性的产品。 一年一度的PCIM亚洲展今年将于6月26-28日在上海世博展览馆举办，届时，三菱电机将携19款功率模块将集体亮相，而其中有7款新型功率模块备受期待。(三菱电机展位号：D09) 在变频家电领域，三菱电机成功发布面向变频冰箱和风机驱动的SLIMDIP-S以及面向变频空调和洗衣机的
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三菱电机 IGBT
摘要 电机驱动市场特别是家电市场对系统的能效、尺寸和稳健性的要求越来越高。 为满足市场需求，意法半导体针对不同的工况提供多种功率开关技术，例如， IGBT和最新的超结功率MOSFET。 本文在实际工况下的一个低功耗电机驱动电路(例如，小功率冰箱压缩机)内测试了基于这两种功率技术的SLLIMM™-nano(小型低损耗智能模压模块)，从电热性能两个方面对这两项技术进行了详细的分析和比较。 1前言 家电厂商不断地寻求更高的产品能效，以符合日益趋严的能效法规，达到降低能耗和节省电费的目的。更具体地讲
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意法半导体 IGBT
目前全球三分之一的汽车在中国制造，但令人尴尬的现状是，整车中几乎所有的芯片都要依赖进口。从自主、可控、安全角度来看，汽车主控国产化同样紧迫。
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芯片 IGBT
英飞凌科技股份公司进一步壮大其薄晶圆技术TRENCHSTOP™5 IGBT产品阵容。新的产品家族可提供最高40 A 650V IGBT，它与IGBT相同额定电流的二极管组合封装到表面贴装TO-263-3(亦称D2PAK)封装中。全新D2PAK封装TRENCHSTOP 5 IGBT可满足电源设备对功率密度日益增长的需求，适于使用自动化表面贴装生产线。要求最大功率密度和能效的典型应用包括太阳能逆变器、不间断电源(UPS)、电池充电和蓄电等。 英飞凌的超薄TRENCHSTOP 5技术可以缩小芯片尺寸、提高
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英飞凌 IGBT
特朗普政府发起的贸易战虽然收场，但这几个月，人们开始寻找中国可能被卡脖子的短板，中国大量进口的IGBT也被挖了出来。有媒体就认为，由于中国IGBT需要大量进口，而这个产业又被西方国家把持，对于中国正在大力发展的高铁和新能源汽车来说是一个潜在的威胁。不过，在IGBT技术上，中国其实并不差，大量依赖进口，并非技术水平不行。 造成大量进口国外产品的局面，只是因为商业上和其他一些原因。 IGBT市场基本被外商垄断 IGBT英文全称是Insulated Gate Bipolar Transistor，也就
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IGBT DRAM
2018年5月17日，中国中车旗下中车时代投资与青铜剑科技在湖南株洲签署了战略投资协议。 中车时代投资董事长王鹏博士、副总经理潘艺、投资管理部部长阳灿与青铜剑科技董事长汪之涵博士、研发总监黄辉、营销总监陈恒星出席了签约仪式。 弘扬中国制造，铸就民族品牌，坚持自主创新是中国中车和青铜剑科技的共同话题和重要纽带。此次战略投资的达成，表明了中国中车对青铜剑科技在电力电子核心芯片与器件领域创新能力的认可。 中国中车是全球规模领先、品种齐全、技术一流的轨道交通装备供应商，具有强大的技术研发能力和科技创新能
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青铜剑科技 轨道交通 IGBT 电力电子 新能源汽车
IGBT(Insulated-Gate Bipolar Transistor)是电源应用中相当常见的器件，可用于交流电的电机控制输出。由安森美半导体(ON Semiconductor)所推出的TO247-4L IGBT将可为相关应用提供更高的效能与更佳的成本效益，究竟它是如何办到的?让我们来进一步深入了解。 通过TO-247-4L IGBT封装减少Eon损耗 IGBT是主要用作电子开关的三端子功率半导体器件，正如其开发的目的，结合了高效率和快速的开
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安森美 IGBT
绝缘栅双极管(igbt)介绍
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