力晶半导体股份有限公司(Powerchip Semiconductor Co., 5346.OT)发言人谭仲民(Eric Tang)周三表示，公司将今年的资本支出目标定为新台币110亿元。
谭仲民称，其中大部分资本支出将用于把公司的晶片生产技术从65纳米技术升级到40纳米技术。 今年1月初，力晶半导体曾表示，将于2010年下半年开始对40纳米制程进行测试。 谭仲民称，由于现金充裕，公司目前没有融资计划。他称，力晶半导体2009年的资本支出规模“很小”。但他拒绝透露具体数据
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力晶 DRAM
据台湾《经济日报》报道，台系内存厂商力晶公司决定重启其在大陆徐州建造8英寸内存芯片厂的计划，报道称力晶公司计划向这间新厂房投资2.93亿美元，并 将与当地政府部门和大陆当地企业合作经营这间芯片厂。
与台积电以及茂德公司类似，力晶公司目前已经获得了台湾当局的许可，可以在大陆地区建造8英寸0.18微米及以下级别制程的芯片厂，不过目前为止三家公司中仅有力晶仍未付诸实际行动。
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力晶 内存芯片
台湾力晶半导体表示，经过连续十个季度的亏损后，受需求反弹和芯片价格稳步上涨的推动，第四财政季度公司实现净利润。
力晶半导体在其网站上发布公告称，已有大量现金流入公司，这将显着改善公司的财务结构。该公司并未提供截至去年12月31日财季的净利润数据。
力晶半导体称，公司将通过增加DDR3芯片发货量巩固净利润成果。公司预计，到3月份DDR3芯片发货量占其总发货量的比重将达到75%。
分析师们表示，DDR3芯片将成为今年个人电脑应用的主流内存芯片。与DDR2芯片相比，DDR3的处理速度更快，
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力晶 DDR3
据国外媒体报道，台湾力晶半导体近日表示，经过连续十个季度的亏损后，受需求反弹和芯片价格稳步上涨的推动，第四财政季度公司实现净利润。
力晶半导体在其网站上发布公告称，已有大量现金流入公司，这将显着改善公司的财务结构。该公司并未提供截至去年12月31日财季的净利润数据。
力晶半导体称，公司将通过增加DDR3芯片发货量巩固净利润成果。公司预计，到3月份DDR3芯片发货量占其总发货量的比重将达到75%。
分析师们表示，DDR3芯片将成为今年个人电脑应用的主流内存芯片。与DDR2芯片相比，DD
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力晶 内存芯片 DDR3
12月23日消息，据国外媒体报道，台湾力晶半导体股份有限公司管理人士周三表示，公司董事会批准了从日本合作伙伴尔必达手中收购合资企业瑞晶电子股份有限公司股份的计划。
这位要求匿名的管理人士向道琼斯通讯社透露，该计划的细节，如力晶将收购的股份数以及收购价格等，还没有确定。
尔必达曾于10月份表示，正考虑在年底前将其在瑞晶电子的持股比例增加到70%以上。就在当月，为了与全球最大的动态随机存储器(DRAM)韩国三星电子展开竞争，尔必达曾将其在瑞晶电子的股权比例由52%增加至64%。
DRAM
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力晶 DRAM
台湾半导体生产商期望通过转变策略来应对电脑存储芯片市场占有率下降带来的挑战，但此举可能导致它们全盘退出核心业务。
由于芯片行业从2007年起陷入有史以来最严重的滑坡，南亚科技及台湾力晶半导体股份有限公司(简称：力晶)等台湾芯片行业的支柱公司已在亏损中挣扎了两年多。尽管今年芯片价格出现反弹，但力晶和茂德科技(ProMOS Technologies Inc.)等公司仍处于贷款违约的边缘。
与此同时，韩国和日本的竞争对手凭藉更先进、成本更低的生产技术持续发展壮大。
为应对上述局面，台资公司
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力晶 DRAM 存储器
台系DRAM厂开始规划2010年资本支出，估计包括南亚科、华亚科、力晶和茂德4家DRAM厂2010年资本支出逾新台币700亿元，且主要支出集中在台塑集团身上，台DRAM厂似乎又生龙活虎起来，开始扩大投资规模，然相较于三星电子(Samsung Electronics)2010年在存储器领域资本支出至少30亿美元来看，台系4家DRAM厂合计资本支出仍远落后三星，未来三星不仅将稳坐龙头，且恐将再度侵蚀台DRAM厂既有市占率。
三星是这一波DRAM产业海啸大赢家，这波巨浪吹倒台DRAM产业，亦让美、日系
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力晶 DRAM 存储器
台系DRAM厂为抓准DRAM价格复苏的时间点，开始大量增加投片量，其中力晶增产的幅度将居冠，传出第4季位元成长率将较第3季明显大增 30~40%，力晶11月出货量大幅成长，也将反映在11月营收上，出现大幅度成长;再者，除了DDR2芯片外，力晶也开始增加DDR3芯片产出，台厂正缓慢步入DDR2和DDR3交接期。
台厂2008年底开始进入长达3季的减产，随著DRAM价格在奇梦达(Qimonda)退出市场后，由供过于求逐渐走向供给平衡，因此缓步开始增产，尤其在营运开始产生现金流入后，增产的速度加快，现
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力晶 DRAM
力晶在DRAM价格强劲回文件下，将恢复财务自主能力，力晶董事会2日通过，从明年开始停止纾困，全力正常恢复营运，可望从明年起针对银行正常还款。力晶对第四季价格仍保持每颗2美元至2.5美元的乐观预期，今年第四季将有机会转亏为盈。
力晶昨日领先各大DRAM厂，率先公布10月营收，由于产能满载，加上DRAM价格回文件，该公司10月营收达42.39亿元(新台币，以下同)、较9月大增28%，创下今年以来新高，预估11月、12月营收将会维持持续成长的动能。
力晶指出，在政府政策与银行团大力支持之下，透过
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力晶 DRAM 封测
受惠DRAM价格谷底翻身，台系DRAM厂第3季亏损金额大幅缩小，合计力晶、茂德、南亚科和华亚科4家DRAM厂共亏新台币175亿元，累计前3季亏损731亿元，其中茂德亏损最多，华亚科亏损金额最小，展望第4季，DRAM价格持续走强越过2.5美元后，颇有朝3美元的实力，各厂全产能投片后，可望力拼单月损益两平，其中力晶旗下瑞晶第3季已转亏为盈，力晶董事长黄崇仁也表示，若报价维持在2.5美元水平，第4季也有机会挤身获利之林。
DRAM 产业在2008年此时受到供过于求严重失衡的影响，亏损严重到一度将存储器
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力晶宣布成立TFC(Taiwan Flash Company)的消息，对内存产业无疑是一枚深水炸弹，不论就技术自主、产能整合和产业创新等条件上，TFC都是力晶精心策划下的「政治正确」产物，从条件论而言，“经济部"很难直接拒绝TFC计划，尤其是现在台湾创新内存(TIMC)的技术来源尔必达(Elpida)在日本政府资金介入后，传出不让台湾地区政府投资的谣言不绝于耳，力晶在此时拿出TFC计划，就算不能获得政府补助，也达到破坏TIMC的目的，台湾内存产业整合大戏未来要如何演下去，在各厂底
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力晶 DRAM 内存
“经济部”「DRAM产业再造计画」20日最后截止日期，却出现戏剧性变化!台塑集团旗下南亚科和华亚科宣布不送件，形同退出这次计画;而力晶更是突然宣布成立TFC(Taiwan Flash Company)，并将这次台湾存储器产业整合规模推升到NAND Flash格局，反将了台湾创新存储器公司(TIMC)一军。力晶董事长黄崇仁表示，2010年将投入40奈米制程量产NAND Flash，且100%为自有技术，比任何同业都符合“经济部”所要求技术扎根条件，未来力晶
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力晶 DRAM 存储器 NAND
力晶半导体股份有限公司已递交政府投资申请。
据境外媒体报道，力晶半导体公共关系部门一位拒绝透露姓名的管理人士称，公司于周二下午递交了寻求政府投资的申请。台湾政府将周二设定为各公司提交申请的截止日期。
该管理人士拒绝透露其他细节。
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力晶 半导体
DRAM价格涨不停，1Gb容量DDR2价格直逼2美元，苦熬多时的台系DRAM厂终于进入现金正流入的状态，包括华亚科、力晶和茂德营运都终止失血，南亚科在自己晶圆厂生产部分也开始有现金流入，但采购自华亚科的部分，受到母子公司拆帐仍是Margin-Sharing模式，因此部分还是现金流出，但以整个台塑集团的DRAM事业来看，已进入现金正流入状态，下一步台系DRAM业者的目标是转亏为盈。
4 大DRAM厂2008年亏损金额超过新台币1,000亿元，眼看龙头厂三星电子(Samsung Electronic
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据台湾媒体报道，台湾旺宏计划投资1600亿新台币(约和332.5亿人民币)兴建两座12寸芯片厂，此举将导致茂德、力晶等内存芯片公司向旺宏卖厂求现的美梦破碎，恐促使DRAM(动态随机存储器)厂雪上加霜。
旺宏是上半年台湾唯一获利的内存芯片厂，积极扩厂后，更将坐稳获利龙头宝座。
旺宏投资1600亿新台币兴建两座12寸芯片厂的计划，已向台湾当局递交文件，申请进驻中科后里园区。第一期建厂预计年底前动工，2011年初投产，两座新厂规划产能约8万片，并导入60纳米以下最新技术。
为配合旺宏建厂计
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力晶介绍
力晶于八十三年十二月创立于新竹科学园区，业务范围涵盖动记忆体制造及晶圆代工两大类别。八十七年以科技类股票在台湾正式挂牌上柜。八十八年发行全球存托凭证，成为我国第一家在卢森堡证券交易所上市的上柜公司。截至九十六年底，力晶拥有六千一百位员工，资本额达新台币七百八十二亿元，年度营收为新台币七百七十五亿元。
为提升国际竞争力及科技实力，力晶在设立之初即和日本三菱电机缔结技术、生产与销售的策略联盟； [
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