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英飞凌推出采用TOLx封装的全新车用60V和120V OptiMOS 5,适用24 V-72V供电的大功率ECU

  • 交通系统的电气化进程正在不断加快。除了乘用车外,两轮车、三轮车和轻型汽车也越来越多实现了电气化。因此,由24V-72V电压驱动的车用电子控制单元(ECU)市场预计将在未来几年持续增长。英飞凌科技股份公司针对这一发展趋势,推出采用高功率TOLL、TOLG和TOLT封装的新半导体产品,进一步补充其OptiMOS™ 5 系列60V至120V 车用MOSFET 产品组合。这些产品能以小巧外形提供出色的热性能与卓越的开关性能。六款新产品具有较窄的栅极阈值电压(V GS(th)),支持并联 MOSFET设计,以增加输
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英飞凌推出面向高能效电源应用的第七代分立式650V TRENCHSTOP IGBTs H7新品

  • 英飞凌科技股份公司近日推出分立式650V IGBT7 H7新品,进一步扩展其第七代TRENCHSTOP™ IGBT产品阵容。全新器件配备尖端的EC7共封装二极管,先进的发射器控制设计结合高速技术,以满足对环保和高效电源解决方案日益增长的需求。TRENCHSTOP IGBT7 H7采用最新型微沟槽栅技术,具有出色的控制和性能,能够大幅降低损耗,提高效率和功率密度。因此,该半导体器件适合用于各种应用,如组串式逆变器、储能系统(ESS)、电动汽车充电应用以及如工业UPS和焊接等传统应用。 在分立式封装
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英飞凌携手海华科技,以Wi-Fi 6技术加速推动消费与工业物联网市场发展

  • 随着物联网应用的迅速扩展,Wi-Fi 6/6E 技术正在成为无线通信市场的焦点。全球物联网领域的领导厂商英飞凌科技股份公司与其长期合作伙伴——无线通信模组领域的专家海华科技 (AzureWave) 宣布,将双方的合作范围扩展至Wi-Fi 6 领域,由海华科技推出针对英飞凌 Wi-Fi 6 技术开发的无线模组产品。结合英飞凌AIROC™无线通信芯片强大的连接性、效能与稳定性,以及海华科技的模组化能力,将大幅提升物联网的效能,简化物联网设备的设计复杂度,从而加速新产品的上市进程并满足更广泛的工业及消费物联网市
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热泵及其谐波电流解决方案

  • 热泵,英文heat pump,它有2个定义,定义1:从低温热源吸热送往高温热源的循环设备。定义2:以消耗一部分高品位能源(机械能、电能或高温热能)为补偿,使热能从低温热源向高温热源传递的装置。所以,热泵广泛用于冬天取暖,产生热水,工业烘干,温室养殖等。1 热泵简介热泵,英文heat pump,它有2个定义,定义1:从低温热源吸热送往高温热源的循环设备。定义2:以消耗一部分高品位能源(机械能、电能或高温热能)为补偿,使热能从低温热源向高温热源传递的装置。所以,热泵广泛用于冬天取暖,产生热水,工业烘干,温室养
  • 关键字: 英飞凌  热泵  

AURIX TC3xx雷达信号处理CFAR算法详解

  • CFAR是非常普遍的信号过滤手段,用于提取超过动态阈值的点目标信息。AURIX™ TC3xx单片机的雷达信号处理单元SPU集成了该硬件功能,并且提供两种典型的CFAR算法。英飞凌技术专家 钱伟喆背景介绍当雷达回波信号功率幅值超过某个阈值时,能被检测到,该阈值不可能是固定的,必须根据周围环境、目标分布反射强弱,杂波噪声干扰等动态变化,而CFAR(constant false alarm rate)就是用于计算动态阈值的典型手段。CFAR直接影响检测概率(probability of detection)【1
  • 关键字: 英飞凌  AURIX  雷达信号  CFAR  

半导体器件击穿机理分析及设计注意事项

  • 在日常的电源设计中,半导体开关器件的雪崩能力、VDS电压降额设计是工程师不得不面对的问题,本文旨在分析半导体器件击穿原理、失效机制,以及在设计应用中注意事项。一、半导体器件击穿原理PN结I-V曲线如图[1]所示:●  PN结正向导通,反向截止;●  反向电压超过一定限值VBR,器件发生电击穿;●  正向导通时,电流超过一定限值(图示绿色区域之外),器件发生热烧毁。图[1]:PN结I-V曲线PN结的击穿原理分为:电击穿和热击穿(二次击穿)。1)电击穿电击穿:指强电场导致器件的击
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英飞凌携手英飞源拓展新能源汽车充电市场

  • 基于碳化硅(SiC)的功率半导体具有高效率、高功率密度、高耐压和高可靠性等诸多优势,为实现新应用和推进充电站技术创新创造了机会。近日,英飞凌科技股份公司近日宣布与中国的新能源汽车充电市场领军企业英飞源达成合作。英飞凌将为英飞源提供业内领先的1200 V CoolSiC™ MOSFET功率半导体器件,用于提升电动汽车充电站的效率。英飞凌零碳工业功率事业部总裁Peter Wawer博士表示:“英飞凌与英飞源在电动汽车充电解决方案领域的合作,将为当地电动汽车充电行业提供出色的系统级技术解决方案。它将大幅提高充电
  • 关键字: 英飞凌  英飞源  新能源汽车充电  

搭载1200V P7芯片的PrimePACK刷新同封装功率密度

  • 继英飞凌1200V IGBT7 T7芯片在中小功率模块产品相继量产并取得客户认可后,英飞凌最新推出了适用于大功率应用场景的1200V IGBT7 P7芯片,并将其应用在PrimePACK™模块中,再次刷新了该封装的功率密度上限。继英飞凌1200V IGBT7 T7芯片在中小功率模块产品相继量产并取得客户认可后,英飞凌最新推出了适用于大功率应用场景的1200V IGBT7 P7芯片,并将其应用在PrimePACK™模块中,再次刷新了该封装的功率密度上限。目标应用领域:1200V P7模块首发型号有以下两个:
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基于Infineon IMC101T可有效控制旋转式冰箱压缩机驱动器方案

  • Infineon IMC101T可有效控制旋转式冰箱压缩机驱动器方案,IMC101T是一款即用型三相逆变器,它展示了结合CIPOS™ Micro Pro IPM IM231-L6S1B、数字电机控制IC(iMOTION™)IMC101T-T038和线性稳压器的英飞凌解决方案。该板卡基于iMOTION™智能驱动器提供了一个易用功率级,该驱动器结合了即用型FOC电机控制算法和追求更高集成度和更小尺寸的客户的理想选择。该板卡将数字电机控制IC(iMOTION) IMC101T-T038与基于6 A,600 V
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英飞凌与Spark Connected共同推出500W无线充电模块

  • 开发先进、安全和创新无线电源技术的全球领先供应商Spark Connected 与英飞凌科技股份公司近日共同宣布,面向市场推出一款名为Yeti 的500 W无线充电解决方案。这款可直接集成的无线充电模块适用于工业机械、自主移动机器人、自动导引车、轻型电动汽车、电动出行等各种电力密集型应用的供电与充电。Yeti 500W 工业无线充电模块具备大功率充电输出能力,充电功率可达500 W,能够实现高效快速充电。此外,该模块的充电效率高达95%以上,堪称业界标杆。这不仅降低了功耗,同时还有利于散热管理,提升了系统
  • 关键字: 英飞凌  Spark Connected  500W  无线充电模块  

儒卓力系统解决方案基础板现已集成到英飞凌ModusToolbox开发环境中

  • 儒卓力系统解决方案基础板集成到英飞凌ModusToolboxTM开发环境中,提高新应用的开发效率。英飞凌 ModusToolboxTM 开发环境现在开始提供儒卓力系统解决方案的RDK2 和 RDK3 基础板,即将发布的 RDK4基础板也将会在该环境内提供。ModusToolboxTM是先进的开发环境,支持新应用的整个开发过程,从而帮助用户提高开发效率,推动应用更快地进入市场成熟阶段。儒卓力系统解决方案的其中一个目标是在预研阶段为固件和硬件开发人员提供基础板和适配器板支持,以加快把新应用投放到市场。在快速增
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创新推动低碳化和数字化 英飞凌亮相PCIM Asia 2023

  • 英飞凌(Infineon)今日携广泛的半导体技术和产品,亮相于上海新国际博览中心举办的 “2023上海国际电力元件、可再生能源管理展览会(以下简称PCIM Asia)”。 作为全球功率系统领域的半导体领导者,英飞凌的功率半导体在电力全产业链中扮演着非常重要的角色。在本次PCIM Asia上,英飞凌以“推动低碳化和数字化”为主旨,展示其在功率半导体和宽禁带技术方面的最新解决方案如何赋能绿色低碳化和数字化转型。通过设立“绿色能源与工业”、“电动交通和电动出行”、“智能家居”三大主题展区,英飞凌多维度、全方位地
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英飞凌携手Edge Impulse扩展边缘AI能力,为蓝牙客户带来更多基于机器学习模型的平台选择

  • 英飞凌科技股份公司于近日宣布与Edge Impulse合作,为PSoC™ 63低功耗蓝牙®微控制器(MCU)扩展基于微型机器学习的AI开发工具。人工智能物联网应用开发者现在可以使用Edge Impulse Studio环境,在高性能、低功耗的PSoC 63低功耗蓝牙微控制器上构建边缘机器学习(ML)应用。此次合作为客户在基于PSoC 63低功耗蓝牙微控制器器件的系统中进行本地开发和配置机器学习应用提供了更多灵活性和平台选择,这些PSoC 63低功耗蓝牙微控制器器件可提供150-MHz&
  • 关键字: 英飞凌  边缘AI  机器学习模型  

IGBT驱动芯片进入可编程时代,英飞凌新品X3有何玄机?

  • 俗话说,好马配好鞍,好IGBT自然也要配备好的驱动IC。一颗好的驱动不仅要提供足够的驱动功率,最好还要有完善的保护功能,例如退饱和保护、两电平关断、软关断、欠压保护等,为IGBT的安全运行保驾护航。然而有保护功能的驱动芯片,大部分的参数都是固定的,或者是只能靠外围器件进行粗放的调节。对于退饱和保护来说,内部电流源的电流是固定的,短路消隐时间只能靠调节外接电容大小来调整。对于两电平关断功能来说,两电平持续的时间和电位需要靠外接电容和齐纳二极管来实现。而软关断电流及米勒钳位电流对于某一颗芯片来说也是固定的,无
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RISC-V再加速 半导体巨头联手布局

  • 在高通首席执行官(CEO)克里斯蒂亚诺·阿蒙(Cristiano Amon)的领导下,高通将与恩智浦、北欧半导体公司(Nordic Semiconductor)、英飞凌以及博世联合成立一家新公司,旨在推广用于芯片设计的开源RISC-V架构,通过开发下一代硬件来推动RISC-V生态系统的扩展。据了解,新公司将设在德国,同时考虑到恩智浦和英飞凌将参与投资,该公司应该是先专注于汽车芯片领域,最终扩展到移动和物联网领域。恩智浦执行副总裁兼首席技术官Lars Reger表示,该合资公司将努力“开创完全认证的基于RI
  • 关键字: RISC-V  半导体  架构  芯片  开源  恩智浦  英飞凌  高通  ARM  
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