- 3月28日消息，当地时间3月26日，Wolfspeed宣布第三座工厂——8英寸SiC衬底产线一期工程举行了封顶仪式。据了解，该工厂位于贝卡莱纳州查塔姆县，总投资50亿美元（约合人民币356亿元），占地面积445英亩，主要生产8英寸SiC单晶衬底。目前，该工厂已有一些长晶炉设备进场，预计2024年底将完成一期工程建设，2025年上半年开始生产，预计竣工达产后Wolfspeed的SiC衬底产量将扩大10倍。近期，Wolfspeed与瑞萨电子、英飞凌等公司签署了客户协议，查塔姆工厂的投建将为这些协议提供支持，同
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- 全球功率系统和物联网领域的领导者英飞凌科技股份公司于2月25日至29日参加2024年美国国际电力电子应用展览会（APEC），并重点展示其在业界非常全面的功率电子器件。英飞凌的宽禁带解决方案具有高能效和高功率密度等特性，是应对气候变化和加速低碳化的关键驱动因素。英飞凌一流的产品组合囊括了各种面向领先应用的功率半导体器件，全面覆盖硅、碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）三种半导体材料。英飞凌在1013号和1319号（英飞凌+GaN 系统）展台展示丰富的产品及其广泛的应用。1013号展台根据应用领域的不
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英飞凌 电力电子应用展览会 APEC
- 不同汽车的独特性给汽车零部件供应商和OEM厂商等带来了挑战，因为每辆车的驾驶方式、驾驶地点、驾驶者、设计、用途以及道路和交通状况都是独一无二的。为保证每辆汽车都能正常运行并达到出色运行状态，需要掌握并管理汽车及其状况。英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY） AURIX™微控制器（MCU）系列所提供的先进实时计算硬件适用于安全关键型汽车应用中的嵌入式AI等用例。为了充分利用这些强大的功能，英飞凌生态系统合作伙伴Ekkono Solutions推出了一款简单易用且快
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- 提供超丰富半导体和电子元器件™的业界知名新品引入(NPI)代理商贸泽电子(Mouser Electronics)即日起开售英飞凌CYW20822 AIROC™低功耗蓝牙模块。CYW20822模块结构紧凑，支持低功耗蓝牙长距离 (LE-LR) 功能，可实现无缝集成并提高性能。CYW20822模块出色地结合了低功耗和高性能，提供可实现成本优化的无线连接解决方案，可支持各种低功耗蓝牙长距离用例，包括工业物联网(IIoT)应用、智能家居、资产跟踪、信标和传感器，以及医疗设备。贸泽供应
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- 英飞凌科技股份公司近日宣布推出最新款蓝牙模块CYW20822-P4TAI040，在低功耗与覆盖范围等方面实现了新的突破，推动物联网和消费电子领域的无线连接技术进一步发展。该模块相比同类产品有更高的性价比，通过支持蓝牙低功耗长距离传输（LE-LR）增强了性能，具有出色的可靠性，能够无缝集成且支持各种应用。英飞凌的CYW20822-P4TAI040蓝牙模块集低功耗和高性能于一身，可支持包括工业物联网应用、智能家居、资产追踪、信标和传感器、以及医疗设备在内的所有蓝牙LE-LR应用场景。ABI Research最
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- 英飞凌科技股份公司近日推出OptiMOS™ 6 200 V MOSFET产品系列，使电机驱动应用取得了飞跃性的进展。这一全新产品组合将为电动摩托车、微型电动汽车和电动叉车等应用提供出色的性能。新 MOSFET产品的导通损耗和开关性能均有所改善，降低了电磁干扰（EMI）和开关损耗，有益于用于服务器、电信、储能系统（ESS）、音频、太阳能等用途的各种开关应用。此外，凭借宽安全工作区（SOA）和业界领先的RDS(on)，该产品系列非常适合电池管理系统等静态开关应用。全新推出的英飞凌OptiMOS™ 6 200
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英飞凌 OptiMOS MOSFET
- 英飞凌科技股份公司近日出OptiMOS™ 6 200 V MOSFET产品系列，使电机驱动应用取得了飞跃性的进展。这一全新产品组合将为电动摩托车、微型电动汽车和电动叉车等应用提供出色的性能。新MOSFET产品的导通损耗和开关性能均有所改善，降低了电磁干扰（EMI）和开关损耗，有益于用于服务器、电信、储能系统（ESS）、音频、太阳能等用途的各种开关应用。此外，凭借宽安全工作区（SOA）和业界领先的RDS(on)，该产品系列非常适合电池管理系统等静态开关应用。全新推出的英飞凌OptiMOS™ 6 200 V产
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英飞凌 OptiMOS 6200V MOSFET
- 英飞凌的车辆制动稳定性系统，无疑是现代车辆安全技术的一大里程碑。该系统不仅具备缩短制动距离的能力，更能在紧急情况下确保车辆始终保持在受控状态，从而极大地提升了各类车辆在行驶过程中的安全性。然而，当前市场上众多车辆稳定性控制系统往往因为过于依赖特定客户的设计，导致性价比不尽如人意。在此背景下，英飞凌致力于打破这一困境，研发出符合高安全性要求的标准器件，以满足广大客户对高性价比解决方案的迫切需求。在汽车行业中，英飞凌的控制器和轮速传感器早已成为市场上的佼佼者。其丰富的产品组合中，不仅涵盖了各种针对安全应用的汽
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- 影响IGBT和SiC MOSFET在系统中的动态特性有两个非常重要的参数：寄生电感和寄生电容。而本文主要介绍功率回路中寄生电感的定义和测试方法，包括直流母线电容的寄生电感，直流母排寄生电感以及模块本身的寄生电感。功率电路寄生电感在哪里？图1给出了半桥电路中不同位置寄生电感示意图，主要包括三类：连接母排及功率回路中的寄生电感，IGBT模块内部寄生电感，直流母线电容寄生电感，分别如下图中a、b、c所示。图1 半桥电路中三类寄生电感位置示意图1. 连接母排以及功率回路中的寄生电感连接母排以及功率回路中的寄生电感
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- 英飞凌科技股份公司近日推出750V G1分立式CoolSiC™ MOSFET，以满足工业和汽车功率应用对更高能效和功率密度日益增长的需求。该产品系列包含工业级和车规级SiC MOSFET，针对图腾柱 PFC、T型、LLC/CLLC、双有源桥（DAB）、HERIC、降压/升压和移相全桥（PSFB）拓扑结构进行了优化。这些MOSFET适用于典型的工业应用（包括电动汽车充电、工业驱动器、太阳能和储能系统、固态断路器、UPS系统、服务器/数据中心、电信等）和汽车领域（包括车载充电器（OBC）、直流-直流转换器等）
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- Source: Getty Images/metamorworks根据1月16日发布的一篇新闻稿，英飞凌科技日前与Qt集团合作，将Qt的图形用户界面（GUI）框架集成到其微控制器（MCU）中。此次合作旨在将Qt的轻量级高性能图形框架无缝集成到英飞凌支持图形的Traveo T2G集群微控制器中。Qt集团微控制器产品总监主管Toni Paila表示：“当今的全球半导体市场竞争非常激烈，全球制造商正在不断寻找办法，以期尽可能快地将他们的产品推向市场。全球微控制器的开发周期不断缩短就是最好的证明。但即使
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- 英飞凌科技股份公司近日推出采用TO-247PLUS-4-HCC封装的全新CoolSiC™ MOSFET 2000 V。这款产品不仅能够满足设计人员对更高功率密度的需求，而且即使面对严格的高电压和开关频率要求，也不会降低系统可靠性。CoolSiC™ MOSFET具有更高的直流母线电压，可在不增加电流的情况下提高功率。作为市面上第一款击穿电压达到2000 V的碳化硅分立器件，CoolSiC™ MOSFET采用TO-247PLUS-4-HCC封装，爬电距离为14 mm，电气间隙为5
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- 英飞凌科技股份公司近日推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET沟槽栅技术，开启功率系统和能量转换的新篇章。与上一代产品相比， 英飞凌全新的CoolSiC™ MOSFET 650 V和1200 V Generation 2技术在确保质量和可靠性的前提下，将MOSFET的主要性能指标（如能量和电荷储量）提高了20%，不仅提升了整体能效，更进一步推动了低碳化进程。CoolSiC™ MOSFET Generation 2 (G2) 技术继续发挥碳化硅的性能优势，通过降低能量损耗来提高功率转换过程
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- 随着科技的飞速发展，微控制器（MCU）在各个领域的应用越来越广泛。尤其是在汽车电子领域，MCU的重要性不言而喻。英飞凌作为汽车半导体领域的领军者，当然更加重视MCU 在汽车领域中的应用。英飞凌科技大中华区高级总监、动力与新能源系统业务单元负责人 仲小龙1 32位MCU不断挤占市场近年来， 随着32 位MCU 的普及，8 位/16 位MCU的市场地位受到了一定程度的挤压。随着汽车电子系统功能的提升和集成度的不断提高，EE 架构不断更新，总体上对MCU性能的需求也在不断提升。功能相对简单的系统，如泵、阀和小电
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- 英飞凌科技股份公司近日宣布与Worksport Ltd.合作，共同利用氮化镓（GaN）降低便携式发电站的重量和成本。Worksport将在其便携式发电站转换器中使用英飞凌的GaN功率半导体GS-065-060-5-B-A提高效能和功率密度。在采用英飞凌GaN晶体管后，该功率转换器将变得更轻、更小，系统成本也将随之降低。此外，英飞凌还将帮助Worksport优化电路和布局设计，进一步缩小尺寸并提高功率密度。Worksport首席执行官Steven Rossi表示：“英飞凌高质量标准和稳固的供应链为我们提供了
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