富士通推出两款125°C规格的低功耗SiP存储器

　　富士通微电子(上海)有限公司今日宣布推出两款新型消费类FCRAM(*1)存储器芯片-512 Mb(MB81EDS516545)和256 Mb(MB81EDS256545)。这两款芯片支持DDR SDRAM接口，是业界首推的将工作温度范围扩大至125°C的芯片。富士通微电子今日起开始提供这两款新型FCRAM产品。这两款低功耗存储器适用于数字电视、数字视频摄像机等消费类电子产品的系统级封装(SiP)。

　　如果SiP架构上的片上系统(SoC)整合了新型FCRAM芯片，当SiP工作速度提高导致工作温度上升时，存储器也不会对操作造成影响或限制，客户将从中受益。此外，它还具有其它优势，如可降低产品设计开发难度，节省电路板空间，并减少元器件数量。

　　目前，市场对消费类数字产品的性能、速度和开发成本的要求越来越高。为满足这些需求，就会更多地使用SiP，要求它同时整合带有SoC的存储器芯片。使用SiP可以减少元器件数量并节省电路板空间，进而能够降低系统成本。使用SiP还能简化高速存储器开发或采取降噪措施等设计。

　　图1: 存储器SiP上的散热设计方案比较：

　　显示使用新型FCRAM的优越性

　　如图1所示，迄今为止，使用传统的存储器，SiP发挥受限，而使用新型FCRAM产品就可以解决这一问题。图1(a)介绍的SiP架构上使用的高性能SoC功耗较高，产生的热量可使SiP温度上升到105 °C。因为SoC的最高温度额定为125 °C，所以操作能够正常进行，但使用传统的存储器仅可在最高为95 °C的温度环境下运行，因此不能使用这一SiP架构。

　　要在SiP上使用传统的存储器，另外一种方法是添加类似散热器等散热器件。如图1(b)所示，这一方案可使SiP温度降低到90°C，器件可以运行，但是增加了成本和电路板占用面积。因此，许多一直在研究SiP的客户希望扩大存储器的工作温度范围。

　　富士通微电子正是应对这一需求而开发出了最高工作温度为125 °C 的512 Mb和256 Mb消费类FCRAM产品。如1(c)所示，使用额定为125°C的FCRAM，即使整合一颗高功耗的SoC，SiP也能运行良好，无需添加散热器。这就解决了使用额定为95 °C的传统存储器而需要采取散热措施而引发的成本增加问题。

　　而且，即使在125°C的环境下运行，这些新型FCRAM产品也可以提供传统DDR SDRAM存储器两倍的数据传输率，同时还能保持低功耗。事实上，与传统的DDR2 SDRAM存储器相比，新型512 Mb FCRAM能降低功耗达50%。所以，这些新型FCRAM可以减少消费类电子产品的存储器的二氧化碳排放达50%。

　　富士通微电子将继续为SiP开发具备必要性能和功能的产品，从而为消费类电子产品提供价值和成本最优的解决方案。