飞兆针对电磁加热提供抗雪崩能力

FGA25N120ANTD提供开关和导通损耗之间最佳的性能权衡，并降低IH (电磁加热)应用的工作温度

飞兆半导体公司 (Fairchild Semiconductor) 的FGA25N120ANTD 1200V NPT沟道 IGBT结合业界最佳的抗雪崩能力和经优化的开关和导通损耗性能权衡，能为电磁加热 (IH) 应用提高系统可靠性和效率。FGA25N120ANTD 专为微波炉、IH电饭煲和其它IH炊具而设计，与上一代器件相比，它的工作温度可降低达10℃，因而能够延长系统寿命。NPT沟道IGBT采用飞兆半导体的专利沟道技术和非穿通型 (NPT) 技术。这种优化的单元设计和薄型晶圆制造工艺使得FGA25N120ANTD能够耐受最大450mJ的雪崩能量，确保在异常的雪崩模式情况下仍能进行无故障运作。

飞兆半导体功能功率部副总裁Taehoon Kim称：“在电磁加热设备中，不稳定的功率、AC线路浪涌和系统故障会引起雪崩模式情况，导致机器瞬间失效。为了解决IH应用中的这些可靠性问题，我们的新型1200V NPT沟道IGBT提供业界最佳的抗雪崩能力，还同时优化性能方面的权衡，以降低工作温度及提升总体系统效率。”

FGA25N120ANTD的其它特性和系统优势包括：
?    低饱和电压 (VCE(sat), typ = 2.0V @ IC = 25A 和 TC = 25