日立与瑞萨开发1.5V相变存储模块

日立有限公司与瑞萨科技（Renesas）宣布，为了满足新一代高密度片上非易失性存储技术的需求，双方共同开发出了运行于1.5V电源电压的512KB（相当于4Mb）相变存储模块，该器件能够实现416KB/s的写入速度和20ns的读取时间。利用以前开发的100μA（Micro[注1]安培）写入操作电流的“低功耗相变存储单元”，两家公司在新模块中开发了一种可以实现高速读写操作的外设电路技术。 

    日立和瑞萨以前开发过一种低功耗操作相变存储器，它在界面层使用了五氧化钽，可以利用1.5V电源电压和100μA电流进行写操作。与传统的片上非易失性存储器相比，这种存储器可以降低写电压，在芯片内无需使用产生高压的电源电路，从而有助于减小模块尺寸，并实现更高的密度。不过，由于读取电流很小，存储器阵列电路技术非常关键，这样才能保证在小电流条件下实现高速运行。 

    新开发的电路技术具有以下特性： 
（1）写电路技术有助于利用小电流实现高速写入 
 a.两步电流控制的数据写入方法 
    高速写入是利用控制两步写入过程中流经相变薄膜的电流来实现的，首先是100μA的电流，然后是低于100μA的电流，以有效地产生焦耳热量。 

b.串写方法 
    通常，存储器的写入是多位同时执行的。由于写入所需的电流为：单元写电流