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东洋纺开发出线膨胀系数与硅芯片相同薄膜

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作者:时间:2007-06-08来源:技术在线收藏
在“JPCAShow2007”(2007年5月30日~6月1日,东京有明国际会展中心)上,展出了线膨胀系数与相同的“Zenomax”。  

原来的的线膨胀系数为20~30ppm/℃,而新开发的产品则与硅片相同,仅为3ppm/℃。因此,由温度变化导致的与聚酰亚胺之间的剥离就不易产生,认为可将聚酰亚胺作为封装底板使用。  

Zenomax还具有高耐热性特点。原来的聚酰亚胺的耐热温度为350℃,而此次开发的产品为500℃。 

该薄膜是通过将该公司的核心技术——耐热聚合物合成技术与薄膜制膜技术的相互融合实现的。为了实现与相同的线膨胀系数,通过对单体材料实施某种特殊处理进行了聚合。可制造的薄膜厚度在5μm以上。 

开发产品的目标是替代积层多层板、新一代半导体封装的绝缘材料,乃至陶瓷底板。另外,认为,此次的薄膜还可应用于配备有加热器的底板等在高温下使用的底板。该公司打算在1~2年内向市场投放产品。


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