研诺推出ModularBCD 12V摆率控制负荷开关

开发商研诺逻辑科技有限公司，日前宣布推出业界首款集成式受压摆率控制的负荷开关——AAT4285，它能够支持12V电压的应用。AAT4285通过将电平位移和压摆率控制功能集成到一块单片器件中，使得设计人员在便携式消费产品领域以及非便携式工业系统领域的各种新型12V应用中，不仅可以减少功率消耗，而且还可将外围元器件的使用总数降到最少。 

“到目前为止，在由5V电压供电的各种便携式系统中，我们的各类受压摆率控制的负荷开关产品已被广泛地用来取代分立元器件解决方案。” 研诺公司的产品线总监Phil Dewsbury说：“AAT4285可为采用12V电压运行的应用提供同样的功能性，使得设计人员不仅可在诸如检测设备或摄像机这种较高功率的便携式系统中，开创性地省去了一个分立的MOSFET元件和多达11个外部元件，而且在各种非便携式工业应用中也同样可以这样做。”

快速的负荷开关时间
 
AAT4285是一款P－通道MOSFET开关，专为高端负荷开关应用而设计。该器件可以在3.0V到13.2V的输入电压范围内运行，在功能上与AnalogicTech的AAT4250和AAT4280产品相兼容，可提供一个100µs快速负荷开关接通时间，其快速关闭负荷放电能力使得AAT4285能够在开关失效时，快速关闭负载电路。 

此外，AAT4285在12V时，可提供一个240 mΩ非常低的RDS(ON) （典型导通电阻），以将负荷开关功率的处理能力达到最大化；在5V时， RDS(ON) 为320 mΩ。AAT4285的典型静态电流为25 µA。

新工艺 

AAT4285是采用AnalogicTech的ModularBCD处理工艺而生产的首款12V器件。ModularBCD工艺与成熟的传统线性IC制造或通用数字CMOS制造工艺的不同之处在于，它首开新一代的模拟、电源与混合信号IC技术，特别是开创了高科技晶圆制造并在ex-DRAM制造中优化了生产。 

由于在单块芯片中，将电压分别为3V、5V和12V并带有高速互补场效应管的完全隔离的CMOS器件与电压为30V并无需采用诸如外延附生或高温扩散等极复杂昂贵的工艺的强劲的DMOS功率器件集成一体，新工艺令单片、混合信号及系统型芯片无论在技术上和经济上都更加可行。因此，采用ModularBCD而生产的器件不仅比用传统工艺生产的器件取得更高的效率、更小的尺寸及更高的集成水平，而且可以帮助移动消费电子产品更好的管理电源并延长电池的使用寿命，这些产品泛及手机、便携式多媒体播放器、台式电脑与手提电脑、数码相机等。

价钱和供货 

AAT4285的额定工作温度范围是-40至+85℃，采用无铅、8引脚SC70JW封装，现可供货。订货量为1000片时每片单价为0.68美元。