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应用材料公司推出全新的Mariana刻蚀系统

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作者:时间:2007-04-16来源:EEPW收藏

  近日,公司推出了新的Applied Centura® ™ Trench Etch系统,这是深槽刻蚀纳米制造技术领域内的一次重大飞跃。是第一个能够刻蚀80:1长宽比深槽的系统,这个关键性能使客户可以扩展DRAM电容到70nm技术节点。双频调谐功能够精密控制刻蚀轮廓和临界尺寸,使刻蚀深度不一致性小于2%。同时,系统独特的等离子化学反应提供了全所未有的硬掩膜选择性。

  公司资深副总裁,刻蚀、清洁、前道和离子注入集团总经理Tom St. Dennis表示:“通过和客户的合作,我们开发了业界最先进的深槽刻蚀技术,其刻蚀结构的长宽比高出现有系统30%。这个共同开发的项目使我们的 系统具有先进的技术性能和优化的生产能力。”

  Tom St. Dennis还补充道:“目前已经有客户选购了Mariana系统用于70nm DRAM的生产。进一步提高电容深槽工艺的关键就在增加长宽比,客户们都非常赞赏Mariana系统具有支持多代DRAM生产的能力。”



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