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优化高电压应用的电源开关

—— Optimising the power switch in high voltage applications
作者:Zetex半导体分立式产品开发经理 Peter Blair时间:2007-04-10来源:电子产品世界收藏

  如今,高电压小负荷被应用到多种领域。无论是启动器、电动机、螺线管或变压器、转换电路,都在无休止地追求更好的能源效能、更佳的可靠性和更少的成本及封装体积。对于此类负荷范围的开关,这些技术上的要求似乎不外是“增强开关的功率密度!”,但在实际应用中如何才能够达到最佳效果呢?

  在某种程度上,上述技术要求是自相矛盾的。例如,采用增加芯片体积的方法来增强效能,确实可以通过降低工作温度来减少传导损失及改进可靠性,但是这样做的代价却是成本及组件体积的增加。

  为了达到增强开关功率密度的技术要求,我们必须考虑供电装置制造的方方面面,包括芯片和组件的设计与构造。当考虑高达500V的击穿电压应用时,以下三种潜在技术可供我们选择:BJT、MOSFET或IGBT。

IGBT

  与常规技术相反,IGBT将双极性和MOSFET物理特性相结合,创造用于较大型组件的高效能高功率装置。问题是,额外发射极结增加至导通电压的正向电压,即使是在DPAK这样的组件中,导通电压仍然可超出1.8V,并且可能达到2.8V。热电阻值可降至低于1



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