针对低耗能应用，ARM和联华电子推出全新55奈米ULP实体IP解决方案

　　全球IP硅智财授权领导厂商ARM®与全球晶圆专工大厂联华电子今(18)宣布ARM® Artisan®实体IP解决方案的新进展，加速以ARM处理器为核心的嵌入式系统和物联网相关应用蓬勃发展。

　　联华电子的55奈米超低功耗製程(55ULP)技术已成为低耗能物联网应用的最佳解决方案。新推出的实体IP产品将有助于晶片设计团队，加速并简化为物联网和其他嵌入式系统开发ARM系统单晶片(SoC)。

　　对许多讲求低耗电的应用而言，尽可能最大化电池使用寿命是成功设计的关键。Artisan®实体IP平台将强化联华电子的ULP技术，最大化电源效率和降低漏电功耗。主要功能如支援厚闸极氧化层(thick gate oxide)和多通道长元件库，让SoC工程师能运用各种工具实现物联网应用的最佳化设计。

　　ARM实体IP设计事业部总经理Will Abbey指出：「完整的实体IP基础平台对联电55ULP製程实现物联网应用低功耗和低成本设计至关重要。针对低功耗所需的最佳化元件库，ARM和联电提供SoC工程师一套完善的全新开发工具。」

　　联华电子硅智财研发暨设计支援处资深处长林世钦表示：「物联网晶片工程师经常被要求以更快的速度，设计出更省电的高度整合解决方案。联华电子拥有晶圆专工产业最强大的物联网专用55奈米技术平台，全面且完整的IP资源可以满足物联网产品永远连线且超低耗电的要求。联电55ULP平台纳入Artisan实体IP之后，可立即增加工具选项，有助于降低设计複杂度和加速上市时程。」

　　Artisan元件库将支援：

　　• 0.9v 超低电压范围，和1.2v电压范围操作相比，最高可节省44%动态电力和25%漏电功耗

　　• 多通道元件库提供各种临界电压(Vt)选项，可让SoC工程师在漏电功耗和效能之间有多种组合选择。长通道元件库可进一步降低高达80%的漏电。电源管理工具组(PMK)可减少动态电力和漏电的损失。

　　• 创新的厚闸极氧化层元件库可大幅降低不断电元件(always ON cells)的漏电值(比一般标准电路低350倍)。此元件库可与较高电压(包括物联网装置使用的电池电压)连接，因此还具备了免装电压调节器的优势。

　　• 次世代高密度记忆体编译器提供多重电力整合模式，在极小化待机漏电功耗时保留存储状态。运用这些模式，SoC工程师可比一般待机减少高达95%的漏电。

　　联华电子 55ULP 实体 IP 即日起于 ARM DesignStart 网站供货。