ST高性能抗辐射器件通过美国航天项目认证测试

　　横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics，简称ST) 在最近召开的巴黎核能与太空辐射效应大会(NSREC, Nuclear and Space Radiation Effects Conference)上宣布，其现有的JANS/JANSR[1]产品新增一系列经过筛选的获得国防军备后勤局(DLA, Defense Logistics Agency)认证的JANSR双极晶体管。新晶体管拥有同类产品中最佳的抗辐射性能，特别适合航天和高可靠性系统，包括卫星以及核物理(nuclear physics)和医疗应用。

　　意法半导体自1977年起开始为欧洲航天局(European Space Agency)提供半导体解决方案，在欧洲航天局成立后一直获得该航天局的产品认证。意法半导体不断改善抗辐射产品性能，目前推出的新产品就是一个典型实例。

　　JANS系统属于意法半导体于2013年发布的欧洲空间元器件协调委员会(ESCC, European Space Components Coordination)项目的创新成果。新发布的JANSR+包括一系列100krad JANSR高剂量速率双极晶体管，意法半导体对每颗晶圆做了额外的100krad低剂量速率(100 mrad/s)测试。此外，意法半导体还宣布其JANSR+产品将提供超低剂量速率(10 mrad/s)测试数据，展示其出色的抗辐射效应性能。

　　因此，意法半导体的JANSR+系列产品让客户有机会使用抗辐射性能优异且配备所有相关测试数据的抗辐射产品。客户可直接使用这些产品，无需任何额外的筛选成本和交货周期，因此大幅提升了抗辐射产品的市场标准。

　　意法半导体事业部副总裁兼功率晶体管产品部总经理Mario Aleo表示：“意法半导体为欧洲航天工业提供抗辐射双极晶体管的时间长达35年，我们的产品飞行时间累计超过数亿个小时。我们专门调整的航天技术设计取得了同类最好的抗辐射性能，现在又获得了DLA证书，美国客户将受益于我们的无与伦比的耐辐射性能。”

　　所有产品都采用先进的密闭UB封装，可立即提供样品及开放大批量订货。

　　详情请查询网页www.st.com/radhard-bipoltransistors-pr

　　 技术说明

　　(1) 半导体器件的辐射效应与多个因素有关。对于双极晶体管，总辐射剂量(总辐射剂量越大，辐射影响越大)和剂量速率(当总辐射剂量给定时，剂量速率越低，辐射影响越大)是两个重要因素。低剂量速率特性对于卫星至关重要，因为太空中的剂量速率很低(在10 mrad/s范围内)。不过，标准JANSR认证只考虑高剂量速率，而高剂量速率既不是最恶劣的辐射情况，也不是半导体器件在空间中经常遇到的辐照状况。

　　辐射强化器件又称抗辐射器件，按照航天局测试规范，抗辐射器件是在辐射环境中接受测试，以便让设计人员知道产品能否成功耐受辐射，经过辐射后器件能否达到预期性能。抗辐射器件是为耐受最恶劣的太空辐射环境而专门研制的半导体器件。吸收辐射剂量的测量单位为rad。意法半导体的产品在实际空间条件下辐射性能十分优异，并配有支持其所声称的抗辐射性能的测试数据。

　　(2) 据文献记载，业界公认全身辐照剂量达到10 krad将会导致死亡。JANSR规范保证抗辐射性能达到100 krad。

　　(3) JANSR+ 低剂量速率保证测试是对每颗晶圆进行10项测试(5个偏压和5个不偏压)。每件产品都配备辐射验证测试(RVT)报告，包含在5种不同辐射程度时重要参数的漂移。

　　(4) 意法半导体的新抗辐射双极晶体管的最大集电极-发射极电压高达160V, 最大集电极电流高达5A,正向电流增益(hFE)高达450。