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双极晶体管 文章

意法半导体(ST)推出新抗辐射基准电压芯片,在各种工作条件下实现稳定可靠的性能

  •   横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics,简称ST)在最近召开的巴黎核能与太空辐射效应大会(NSREC, Nuclear and Space Radiation Effects Conference)上宣布,其现有的JANS/JANSR产品新增一系列经过筛选的获得国防军备后勤局(DLA, Defense Logistics Agency)认证的JANSR双极晶体管。新晶体管拥有同类产品中最佳的抗辐射性能,特别适合航天和高可靠性系统,包括卫星以及核物理
  • 关键字: 意法半导体  双极晶体管  JANS  

IR推出高性能600V超高速沟道IGBT IR66xx系列 为焊接应用作出优化

  •   全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出高性能600V超高速沟道场截止绝缘栅双极晶体管 (IGBT) IR66xx系列。坚固可靠的新系列器件提供极低的导通损耗和开关损耗,旨在为焊接应用做出优化。   新器件采用沟道纤薄晶圆技术把导通损耗和开关损耗降到最低,并与软恢复低Qrr二极管一起封装。这些600V IGBT通过5µs短路额定值来提供从8KHz到30KHz的超高速开关,还具备有助于并联的低Vce
  • 关键字: 国际整流器  双极晶体管  IR66xx  

ST高性能抗辐射器件通过美国航天项目认证测试

  •   横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics,简称ST) 在最近召开的巴黎核能与太空辐射效应大会(NSREC, Nuclear and Space Radiation Effects Conference)上宣布,其现有的JANS/JANSR[1]产品新增一系列经过筛选的获得国防军备后勤局(DLA, Defense Logistics Agency)认证的JANSR双极晶体管。新晶体管拥有同类产品中最佳的抗辐射性能,特别适合航天和高可靠性系统,包括卫星以
  • 关键字: 意法半导体  双极晶体管  JANSR+  

电子辐照对功率双极晶体管损耗分析

  • 功率双极晶体管由于其低廉的成本, 在开关电源中作为功率开关管得到了广泛的应用。应用电子辐照技术可以减小少子寿命, 降低功率双极晶体管的储存时间、下降时间, 提高开关速度, 且一致性、重复性好, 成品率高,
  • 关键字: 电子辐照  双极晶体管  损耗分析    

下一代低VCEsat双极晶体管

  •   近年来,中功率双极晶体管在饱和电阻及功率选择范围方面的重大改进,极大地拓宽了此类器件的应用领域。恩智浦最新推出的SMD封装型中功率晶体管BISS 4充分展示了双极晶体管的技术优势,它在为开关应用带来大功率低损耗解决方案的同时,也创造了新的应用领域。   
  • 关键字: 双极晶体管  晶体管架构  VCesat  201010  

输出峰值功率1kW的晶体管射频放大器(08-100)

TPS65552A 驱动便携式相机闪光灯

  • 在光线较弱的条件下,胶卷或数码摄影的高端设备需要氙气闪光灯管来进行拍摄。氙气闪光灯管可提供瞬间的高强度光源,在对较远处、高速移动或弱光条件下的物体进行拍摄时,这是最基本的要求。这种由氙气放电管产生的光
  • 关键字: TPS65552A 双极晶体管 闪光灯  德州仪器  
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双极晶体管介绍

  双极型晶体管(Bipolar Transistor)   由两个背靠背PN结构成的具有电流放大作用的晶体三极管。起源于1948年发明的点接触晶体三极管,50年代初发展成结型三极管即现在所称的双极型晶体管。双极型晶体管有两种基本结构:PNP型和NPN型。在这3层半导体中,中间一层称基区,外侧两层分别称发射区和集电区。当基区注入少量电流时,在发射区和集电区之间就会形成较大的电流,这就是晶体管的放 [ 查看详细 ]

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