传感器的基本物理效应
表1 一些物性型传感器的基础效应
检测 对象 | 类型 | 所利用的效应 | 输出 信号 | 传感器或敏感元件举例 | 主要材料 |
光 | 量子型 | 光电导效应 | 电阻 | 光敏电阻 | 可见光:CdS, CdSe |
红外:PbS, InSb | |||||
光生伏特效应 | 电流 | 光敏二极管、光敏三极管、光电池 | Si, Ge, InSb(红外) | ||
电压 | 肖特基光敏二极管 | Pt-Si | |||
光电子发射效应 | 电流 | 光电管、光电倍增管 | Ag-O-Cs, Cs-Sb | ||
约瑟夫逊效应 | 电压 | 红外传感器 | 超导体 | ||
热型 | 热释电效应 | 电荷 | 红外传感器、红外摄像管 | BaTiO3 | |
机 械 量 | 电阻式 | 电阻应变效应 | 电阻 | 金属应变片、半导体应变片 | 康铜,卡码合金,Si |
压阻效应 | 硅杯式扩散型压力传感器 | Si, Ge, GaP, InSb | |||
压电式 | 压电效应 | 电压 | 压电元件 | 石英,压电陶瓷,PVDF | |
正、逆压电效应 | 频率 | 声表面波传感器 | 石英,ZnO+Si | ||
压磁式 | 压磁效应 | 感抗 | 压磁元件;力、扭矩、转矩传感器 | 硅钢片,铁氧体,坡莫合金 | |
磁电式 | 霍尔效应 | 电压 | 霍尔元件;力、压力、位移传感器 | Si, Ge, GaAs, InAs | |
光电式 | 光电效应 | 电流 | 各种光电元件;位移、振动、转速传感器 | CdS, InSb, Se-化合物 | |
光弹性效应 | 折射率 | 压力、振动传感器 | 各种透光弹性材料 | ||
温 度 | 热电式 | 赛贝克效应 | 电压 | 温差电偶 | Pt-PtRh10,NiCr-NiCu,Fe-NiCu |
约瑟夫逊效应 | 噪声 电压 | 绝对温度计 | 超导体 | ||
热电效应 | 电荷 | 驻极体温敏元件 | PbTiO3, PVF2, LiTaO3 | ||
压电式 | 正、逆压电效应 | 频率 | 声表面波温度传感器 | 石英 | |
热型 | 热磁效应 | 电场 | Nernst 红外探测器 | 热敏铁氧体,磁钢 | |
磁 | 磁电式 | 霍尔效应 | 电压 | 霍尔元件 | Si,Ge,GaAS,InAs |
霍尔IC、MOS霍尔IC | Si | ||||
磁阻效应 | 电阻 | 磁阻元件 | Ni-Co合金,InSb,InAs | ||
电流 | 二极管、磁敏晶体管 | Ge | |||
约瑟夫逊效应 | 电流 | 超导量子干涉器件(SQUID) | Pb,Sn,Nb,Nb-Ti | ||
光电式 | 磁光法拉第效应 | 偏振光 面偏转 | 光纤传感器 | YIG, EuO, MnBi | |
磁光克尔效应 | MnBi | ||||
放 射 线 | 光电式 | 放射线效应 | 光强 | 光纤射线传感器 | Ti-石英 |
量子型 | P- N结 光生伏特效应 | 电脉冲 | 射线敏二极管 二极管 | Si, Ge | |
Li-Ge, Si, HgI2 | |||||
肖特基效应 | 电流 | 肖特基二极管 | Au-Si |
评论